找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 2021|回复: 31
打印 上一主题 下一主题

这个做开关电路有没有问题

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2019-3-5 11:33 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
这个做开关电路有没有问题/ v; y1 [  L& [+ a- v  ~* q1 ?% e

QQ图片20190305113058.png (32.6 KB, 下载次数: 13)

QQ图片20190305113058.png

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2019-3-7 09:47 | 只看该作者
niuth 发表于 2019-3-6 12:32
+ N2 N1 o+ A0 B* A: |+ m' j" TMOS管导通后,会造成栅源控制电压消失,器件自身会反复断开和导通,是这种设计思想吗?
! O! L2 w* W1 K. D; z6 i
现在SPI1_MOSI是PMOS输入有3.3V 。  我想实现NPN三极管IO口高电平导通,PMOS G极低电平导通,SPI1_MOSI拉低,现在这个电路拉不低
) L, ~: L2 J- n% A, F4 d

该用户从未签到

推荐
发表于 2019-3-20 10:38 | 只看该作者
楼主的图在于虽然PMOS在NPN三极管导通情况下,G极被拉低实现了VGS<0,满足PMOS导通的条件;但一旦PMOS导通,S极会被拉到D极电位(也即拉低),此时VGS约为0,不满足PMOS导通条件,又关断了;) }. P( M% K8 _! b
21#的图可实现楼主想要的功能;

该用户从未签到

推荐
 楼主| 发表于 2019-3-8 10:43 | 只看该作者
KOGBOYQQ 发表于 2019-3-7 16:58
  O; j4 X* H; ?: T& W8 F. R; g你的電路P4_0,LOW的時候Q3 pin2-3.3V,pin3-0V
6 y' A  j" E6 v7 V+ K  ?- [P4_0 high的時候Q3 pin-3.3V, pin3-3.3V  ; a# ?# M6 W& F) s
是嗎?

; ~: ?1 n4 Y; ?( t1 _# jP4_0是单片机给高,NPN导通,PMOS G极变低,我想实现PMOS输入脚拉低
* i, m3 o# J! |4 {5 W& n2 Y8 N
! q0 A+ I, J. S

该用户从未签到

2#
发表于 2019-3-5 20:44 | 只看该作者
我感觉有问题,
# m: |1 z8 p: ^& M+ y4 S3 }9 y第一,应该用NMOS
+ U6 b" }# o; ~8 b, T0 m$ n7 b第二,mos接反了,按现在的接法,信号一直都是通的,由左向右
0 K# w: t# ]: T1 r- M% L

该用户从未签到

3#
 楼主| 发表于 2019-3-6 09:17 | 只看该作者
现在P4_0 IO口给高MMBT2222打开后,SPI1不能拉低6 t1 e6 Y: ^9 H2 o/ v8 `" O

该用户从未签到

4#
发表于 2019-3-6 10:46 | 只看该作者
去掉两个管子中间的那个10K电阻就可以了

点评

不行  详情 回复 发表于 2019-3-7 09:43
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-17 15:02
  • 签到天数: 1136 天

    [LV.10]以坛为家III

    5#
    发表于 2019-3-6 12:32 | 只看该作者
    MOS管导通后,会造成栅源控制电压消失,器件自身会反复断开和导通,是这种设计思想吗?

    点评

    现在SPI1_MOSI是PMOS输入有3.3V 。 我想实现NPN三极管IO口高电平导通,PMOS G极低电平导通,SPI1_MOSI拉低,现在这个电路拉不低  详情 回复 发表于 2019-3-7 09:47

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2019-3-6 14:02 | 只看该作者
    这种电路主要用于电源的开关,你可以先说一下你的功能需求。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-3-4 15:38
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    7#
    发表于 2019-3-6 14:06 | 只看该作者
    SPI1_MOSI应该为源端输入,off-page方向有问题。查看AO3423 Pmos的导通VGS为多少,测量一下。看这电路感觉当Q4导通后,G端电压分压了S端,确定是否能满足导通条件吧。

    该用户从未签到

    8#
     楼主| 发表于 2019-3-6 15:56 | 只看该作者
    P4_0 IO口给高电平三极管导通,我想实现SPI1_MOSI 三极管导通后拉低。SPI1_MOSI 是VCC输入,

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-3-6 17:18 | 只看该作者
    1、很明显没有用,不管输入如何变,输出都是低;" [5 [/ r7 ]; o6 F4 h! I
    2、电路太复杂了,要考虑隔离,一个电阻,一个二极管就可以了。
    . g) z6 m/ l. p+ j. e. J7 e
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-17 15:03
  • 签到天数: 985 天

    [LV.10]以坛为家III

    11#
    发表于 2019-3-6 18:40 | 只看该作者

    3 z1 t. b. p: W* `& Z+ }* o& D6 Y1 o% }# s/ Q9 z# H& W6 L
    如图把G极的电阻改一下接法就没问题了!: V( c, h3 Z) b8 J

    点评

    我是想实现PMOS导通后输入会拉低  详情 回复 发表于 2019-3-7 09:10

    该用户从未签到

    12#
     楼主| 发表于 2019-3-7 09:10 | 只看该作者
    th2010-gc01 发表于 2019-3-6 18:40. l* R2 e, ^# Q2 _. X+ K; L
    如图把G极的电阻改一下接法就没问题了!
    ' t; _5 y) D; j. `
    我是想实现PMOS导通后输入会拉低3 \" O* ~7 q$ t* M

    点评

    那你输入要有电阻隔离才行!  详情 回复 发表于 2019-3-7 14:11

    该用户从未签到

    13#
     楼主| 发表于 2019-3-7 09:43 | 只看该作者
    shineysunwxy 发表于 2019-3-6 10:46
    * x7 k# l# N6 P. b7 x7 ^4 {去掉两个管子中间的那个10K电阻就可以了
    7 X+ \" k( }2 e2 B& |$ T' a2 q
    不行% o  U# \( Y! A. R/ V) f& L) C
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-6-18 11:00 , Processed in 0.109375 second(s), 35 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表