求助大佬，mos管容易坏，是什么原因

w_wengang · 发表于 2019-9-11 15:28

EDA365欢迎您登录！

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

本帖最后由超級狗于 2019-9-13 11:19 编辑

28V分压后得到3.65V作为栅极导通的电压，现在发现这个MOS管特别容易坏掉，DS无法导通，正常测量+12V_SSD应该是12V，坏掉的测试未1V左右。是原理图设计的原因么？还是忽略了什么地方，求大神指点。

gaoqianbo · 发表于 2019-9-11 16:49

1.做开关管使用时应该选用P-MOS管；

449786840 · 发表于 2019-9-11 22:35

本帖最后由 449786840 于 2019-9-11 22:57 编辑

w_wengang 发表于 2019-9-11 17:52 O+ f+ f7 p0 ~4 i; ~* U
这个还真有可能，之前试过把R95增大，栅极电压4V左右，+12V_SSD电压变成了2V左右，我把后级加个电容试试 ...

源极输出悬空肯定不行啊 NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。但这个电路肯定是不能一直实现导通的，还是因为导通条件Vgs的问题，源极输出如果有电容接地，初始源极电压为0，栅极通过前面的电阻分压得到4V左右的导通电压使NMOS导通；一旦导通源极电压就是12V了，这时Vgs为负MOS管截止，就这样反复的导通截止。
如果想一直导通就直接把前面的电阻分压调至16V左右（IPL60R365P7的Vgs可以承受+-20V的直流电压）就绝对没问题。

w_wengang · 发表于 2019-9-11 17:52

449786840 发表于 2019-9-11 17:45
8 j: Y. ^6 {5 s3 z. Z# L0 z$ W' o有可能是没导通你把R95阻值改大一点，是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空后级一定要接电 ...

这个还真有可能，之前试过把R95增大，栅极电压4V左右，+12V_SSD电压变成了2V左右，我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的

gaoqianbo · 发表于 2019-9-11 16:51

gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:49
1 m/ M( T$ c! @1.做开关管使用时应该选用P-MOS管；

2.若用PMOS管输入应该接到S集；
3.PMOS管G极为低时导通；
如果使用NMOS管：
1.导通电流比较小；
2.D极应该串一个电阻；
你这个电路原理上就错误了。

w_wengang · 发表于 2019-9-11 17:41

gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:51) G, k7 M' w0 S% _0 U; H
2.若用PMOS管输入应该接到S集；# M+ g% Y$ z! {
3.PMOS管G极为低时导通；) w2 E: R% e) l# E( w k
如果使用NMOS管：

是N MOS管，但是看参数应该不存在什么问题

449786840 · 发表于 2019-9-11 17:45

有可能是没导通你把R95阻值改大一点，是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空后级一定要接电容

超級狗 · 发表于 2019-9-11 18:05

本帖最后由超級狗于 2019-9-13 13:25 编辑

w_wengang 发表于 2019-9-11 17:41
' U5 q6 R: z+ J( O4 K+ V是N MOS管，但是看参数应该不存在什么问题

N MOS 管導通後，+12V_SSD 就會出現，這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V

Vgs < 0V !!!

飞熊在天0311 · 发表于 2019-9-11 18:42

本帖最后由飞熊在天0311 于 2019-9-11 18:45 编辑

这个电路就是一个有问题的电路，而且不可能一直导通，狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触发导通，结果12V和GND干一起了，结果完球了。
常规用Pmos；如果用NMOS，需要再加一级电路。

w_wengang · 发表于 2019-9-12 10:06

449786840 发表于 2019-9-11 22:35
+ U0 a! k, ?+ `& E) }! w* o F源极输出悬空肯定不行啊 NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应 ...

搞定了，感谢感谢~~~~

w_wengang · 发表于 2019-9-12 10:07

飞熊在天0311 发表于 2019-9-11 18:42
0 J2 }+ p% M* Q6 V9 N1 u这个电路就是一个有问题的电路，而且不可能一直导通，狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触 ...

解决了，灰常感谢~~~~

w_wengang · 发表于 2019-9-12 10:07

本帖最后由超級狗于 2019-9-13 13:25 编辑

超級狗发表于 2019-9-11 18:05
; k) o2 K" f) JN MOS 管導通後，+12V_SSD 就會出現，這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V7 G0 q! X' ^3 U y( g& s- M

. b% W) Z+ g8 i6 M9 [8 K( ^( f+ V, P6 sVgs < 0V !!!

灰常感谢，确实是这个原因

ziyue · 发表于 2019-9-14 18:03

w_wengang 发表于 2019-9-11 17:52$ _8 U7 Z c4 i: q/ B0 z5 ?
这个还真有可能，之前试过把R95增大，栅极电压4V左右，+12V_SSD电压变成了2V左右，我把后级加个电容试试 ...

这个有道理

Ryanapp · 发表于 2019-9-16 09:44

VGS操作有正確嗎？？可關注是否在開關不完全下，導致熱堆積讓ic毀損

海星karie · 发表于 2019-9-16 10:55

讲的都很有道理，学习了

帐号		自动登录	找回密码
密码			注册

求助大佬，mos管容易坏，是什么原因

EDA365欢迎您登录！

点评

点评

点评

点评

点评

点评

点评

点评

评分

浏览过的版块

推荐内容 /1