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求助大佬,mos管容易坏,是什么原因

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发表于 2019-9-11 15:28 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 超級狗 于 2019-9-13 11:19 编辑
3 y% u: o" y' a/ M, X
4 {6 N  l  ^/ w8 k+ ]& t28V分压后得到3.65V作为栅极导通的电压,现在发现这个MOS管特别容易坏掉,DS无法导通,正常测量+12V_SSD应该是12V,坏掉的测试未1V左右。是原理图设计的原因么?还是忽略了什么地方,求大神指点。9 C: G4 `: U4 l: G1 F5 |! K$ c

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Infineon IPL60R365P7.pdf

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发表于 2019-9-11 16:49 | 只看该作者
1.做开关管使用时应该选用P-MOS管;

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2.若用PMOS管输入应该接到S集; 3.PMOS管G极为低时导通; 如果使用NMOS管: 1.导通电流比较小; 2.D极应该串一个电阻; 你这个电路原理上就错误了。  详情 回复 发表于 2019-9-11 16:51
  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-28 15:48
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-9-11 22:35 | 只看该作者
    本帖最后由 449786840 于 2019-9-11 22:57 编辑 1 D1 g9 C/ ^8 {* [
    w_wengang 发表于 2019-9-11 17:52
      v6 }2 A5 @3 |8 n这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试 ...
    # `, R$ ^9 n4 D% g1 ^  s6 |
    源极输出悬空肯定不行啊  NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。但这个电路肯定是不能一直实现导通的,还是因为导通条件Vgs的问题,源极输出如果有电容接地,初始源极电压为0,栅极通过前面的电阻分压得到4V左右的导通电压使NMOS导通;一旦导通源极电压就是12V了,这时Vgs为负MOS管截止,就这样反复的导通截止。4 E5 e' u7 L9 w( H2 h
    如果想一直导通就直接把前面的电阻分压调至16V左右(IPL60R365P7的Vgs可以承受+-20V的直流电压)就绝对没问题。
    * E4 k+ R: J1 |7 D9 y6 }
    . k' J2 s! c6 q4 C

    点评

    搞定了,感谢感谢~~~~  详情 回复 发表于 2019-9-12 10:06

    该用户从未签到

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     楼主| 发表于 2019-9-11 17:52 | 只看该作者
    449786840 发表于 2019-9-11 17:456 y3 ?% H5 z4 E7 k  A  Y% V' J
    有可能是没导通  你把R95阻值改大一点,是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空  后级一定要接电 ...

    + `* y1 E* s3 F, V, p; X) x这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的
    - A* k$ R* l- l5 C! p' D

    点评

    这个有道理  详情 回复 发表于 2019-9-14 18:03
    源极输出悬空肯定不行啊 NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。  详情 回复 发表于 2019-9-11 22:35

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2019-9-11 16:51 | 只看该作者
    gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:49
    7 I. q$ b" u4 v+ u1 e& R1.做开关管使用时应该选用P-MOS管;
      c4 h9 r8 P/ ^- b0 E
    2.若用PMOS管输入应该接到S集;
    , v1 o* v+ F& }7 ?! \! j: i7 A3.PMOS管G极为低时导通;. G: q  j/ T6 }7 F' t
    如果使用NMOS管:/ h; V- d0 h  Y- l- L
    1.导通电流比较小;8 j* ^/ e) y. Q/ o! O# l$ s
    2.D极应该串一个电阻;
    / [; }+ Q: [% U& S+ m' |& L7 A7 X  d你这个电路原理上就错误了。
    - E. v! |7 J6 ~- r/ a; ^
    ) C# i" B) ]& u1 O# }" t" s2 I) N* t3 p; F1 Q8 X

    点评

    是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题  详情 回复 发表于 2019-9-11 17:41

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    4#
     楼主| 发表于 2019-9-11 17:41 | 只看该作者
    gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:51
    : T9 Z( k: L0 Y3 U  ?2.若用PMOS管输入应该接到S集;
    + u$ b  t6 q2 s4 X! P# d4 K1 L3.PMOS管G极为低时导通;
    # k3 N/ v2 @6 D1 E: U" s: H: |如果使用NMOS管:
    - l0 e! A, ?1 F7 G( F
    是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题

    111.png (21.89 KB, 下载次数: 0)

    111.png

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    N MMOS 管導通後,+12V_SSD 就會出現,這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V Vgs < 0V !!!  详情 回复 发表于 2019-9-11 18:05
  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-28 15:48
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    [LV.1]初来乍到

    5#
    发表于 2019-9-11 17:45 | 只看该作者
    有可能是没导通  你把R95阻值改大一点,是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空  后级一定要接电容

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    这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的  详情 回复 发表于 2019-9-11 17:52

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    7#
    发表于 2019-9-11 18:05 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2019-9-13 13:25 编辑
    ; x  g' _9 t1 O/ g% [
    w_wengang 发表于 2019-9-11 17:41
    3 }2 v2 L; c# S" h, N是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题
    + d2 z2 s) d, X* U4 s
    N MOS 管導通後,+12V_SSD 就會出現,這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V- ?: B" S6 W6 V& l; e

    " h4 ?. E8 K% \' w6 I( p4 J4 uVgs < 0V !!!
    % G, m3 U, f. }- }7 o7 b0 m/ @" D6 l5 O; X# \. H
    + Y5 u% P- ~2 X: x; H6 R

    点评

    灰常感谢,确实是这个原因  详情 回复 发表于 2019-9-12 10:07
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-11-19 15:21
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2019-9-11 18:42 | 只看该作者
    本帖最后由 飞熊在天0311 于 2019-9-11 18:45 编辑 / {8 M* z$ n  P( ^/ T' `  [
    ( q2 T$ J/ s7 X- W1 s, V5 K
    这个电路就是一个有问题的电路,而且不可能一直导通,狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触发导通,结果12V和GND干一起了,结果完球了。
      q+ b3 E4 u$ F* |- ^常规用Pmos;如果用NMOS,需要再加一级电路。
    ! {7 Z' _7 ?% c$ }% E, G

    点评

    解决了,灰常感谢~~~~  详情 回复 发表于 2019-9-12 10:07

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    10#
     楼主| 发表于 2019-9-12 10:06 | 只看该作者
    449786840 发表于 2019-9-11 22:35
    * f0 ^& a! x& N3 x. m" X源极输出悬空肯定不行啊  NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应 ...
    / S2 l9 b8 q! ^& g& @+ A
    搞定了,感谢感谢~~~~
    6 h! L# `( N! ^8 Q* p

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    11#
     楼主| 发表于 2019-9-12 10:07 | 只看该作者
    飞熊在天0311 发表于 2019-9-11 18:421 h" K) a9 B4 W
    这个电路就是一个有问题的电路,而且不可能一直导通,狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触 ...
      X8 c( {& F8 ?* M0 s
    解决了,灰常感谢~~~~4 _, H. x" J7 A* L  e

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    12#
     楼主| 发表于 2019-9-12 10:07 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2019-9-13 13:25 编辑
    " Z  }" Y, s" c7 g
    超級狗 发表于 2019-9-11 18:05  a( E( i1 [& D4 A' z
    N MOS 管導通後,+12V_SSD 就會出現,這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V1 ~# t2 [' a4 t' m. R* W
    + N% y5 |0 L& ~/ q) o3 b8 `7 `
    Vgs < 0V !!!
    * {9 T# H) \8 ?! ~" D. v/ M0 u  ~
    灰常感谢,确实是这个原因
    0 ]) K; ^+ n3 z

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    该用户从未签到

    13#
    发表于 2019-9-14 18:03 | 只看该作者
    w_wengang 发表于 2019-9-11 17:52
    0 _7 H. {6 c- d( i- x这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试 ...
    9 j0 b% {8 a* X6 i5 N7 H! ]
    这个有道理: h# D* f! ^6 g- ]( Q% x# T4 N0 f

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    14#
    发表于 2019-9-16 09:44 | 只看该作者
    VGS操作有正確嗎??可關注是否在開關不完全下,導致熱堆積讓ic毀損
  • TA的每日心情
    开心
    2025-5-28 15:02
  • 签到天数: 334 天

    [LV.8]以坛为家I

    15#
    发表于 2019-9-16 10:55 | 只看该作者
    讲的都很有道理,学习了
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