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求助大佬,mos管容易坏,是什么原因

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该用户从未签到

发表于 2019-9-11 15:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 超級狗 于 2019-9-13 11:19 编辑
* ~, s0 M+ j; f; v1 Q3 W2 m* {* K7 L- B, Y0 H
28V分压后得到3.65V作为栅极导通的电压,现在发现这个MOS管特别容易坏掉,DS无法导通,正常测量+12V_SSD应该是12V,坏掉的测试未1V左右。是原理图设计的原因么?还是忽略了什么地方,求大神指点。, x$ x( M- s7 Z% G
111.png

Infineon IPL60R365P7.pdf

1.3 MB, 下载次数: 2, 下载积分: 威望 -5

该用户从未签到

发表于 2019-9-11 16:49 | 显示全部楼层
1.做开关管使用时应该选用P-MOS管;

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2.若用PMOS管输入应该接到S集; 3.PMOS管G极为低时导通; 如果使用NMOS管: 1.导通电流比较小; 2.D极应该串一个电阻; 你这个电路原理上就错误了。  详情 回复 发表于 2019-9-11 16:51
  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-28 15:48
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    [LV.1]初来乍到

    发表于 2019-9-11 22:35 | 显示全部楼层
    本帖最后由 449786840 于 2019-9-11 22:57 编辑
    ( h  P) y+ y, L. t" {& M
    w_wengang 发表于 2019-9-11 17:522 o' G1 ?' }5 j6 O( Z+ r
    这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试 ...

    - j) d5 I& a. x* G  @, ?& P' n源极输出悬空肯定不行啊  NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。但这个电路肯定是不能一直实现导通的,还是因为导通条件Vgs的问题,源极输出如果有电容接地,初始源极电压为0,栅极通过前面的电阻分压得到4V左右的导通电压使NMOS导通;一旦导通源极电压就是12V了,这时Vgs为负MOS管截止,就这样反复的导通截止。8 o$ @( }- E3 S% {2 j: c2 C* j
    如果想一直导通就直接把前面的电阻分压调至16V左右(IPL60R365P7的Vgs可以承受+-20V的直流电压)就绝对没问题。7 }% }5 B/ t, [/ C- i/ h

    ) G( `/ N3 Y* E. q2 Z

    点评

    搞定了,感谢感谢~~~~  详情 回复 发表于 2019-9-12 10:06

    该用户从未签到

     楼主| 发表于 2019-9-11 17:52 | 显示全部楼层
    449786840 发表于 2019-9-11 17:45. J; j. o3 N! x& I
    有可能是没导通  你把R95阻值改大一点,是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空  后级一定要接电 ...
    8 \) k( b. n0 I4 ?& V; t" B
    这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的" z+ B8 t2 B) Y$ v

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    这个有道理  详情 回复 发表于 2019-9-14 18:03
    源极输出悬空肯定不行啊 NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应该都没坏。  详情 回复 发表于 2019-9-11 22:35

    该用户从未签到

    发表于 2019-9-11 16:51 | 显示全部楼层
    gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:49
    $ _0 E0 f6 ~6 y0 Q7 d1.做开关管使用时应该选用P-MOS管;

    : z. Z  V# T/ T  b, s2.若用PMOS管输入应该接到S集;. b  E# }( `2 h6 @
    3.PMOS管G极为低时导通;
    3 l1 M6 W# q; u/ u4 G4 l5 {如果使用NMOS管:0 D# Z. [2 A9 I# Z
    1.导通电流比较小;+ V6 Q/ K' G& W9 U, K% H+ v% r
    2.D极应该串一个电阻;3 n) e8 V( L" J/ @6 N/ C
    你这个电路原理上就错误了。/ h& C- ^: r5 w1 E( R8 t; E2 s" x

      ~, Q' D; K1 C: }# E: a
    3 @" _  b+ {! }- @$ t" ]

    点评

    是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题  详情 回复 发表于 2019-9-11 17:41

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     楼主| 发表于 2019-9-11 17:41 | 显示全部楼层
    gaoqianbo 发表于 2019-9-11 16:51% ]8 V+ E% Q# L5 R8 w$ \
    2.若用PMOS管输入应该接到S集;
    3 i) d2 o* e8 q% d: D3.PMOS管G极为低时导通;4 W+ ]5 O  f7 U
    如果使用NMOS管:

    9 V, j3 n9 N+ `( a3 L3 p是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题
    111.png

    点评

    N MMOS 管導通後,+12V_SSD 就會出現,這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V Vgs < 0V !!!  详情 回复 发表于 2019-9-11 18:05
  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-28 15:48
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    [LV.1]初来乍到

    发表于 2019-9-11 17:45 | 显示全部楼层
    有可能是没导通  你把R95阻值改大一点,是栅极电压高于4V。并且源极输出+12V_SSD不要悬空  后级一定要接电容

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    这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试。+12V_SSD单板是悬空的  详情 回复 发表于 2019-9-11 17:52

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    发表于 2019-9-11 18:05 | 显示全部楼层
    本帖最后由 超級狗 于 2019-9-13 13:25 编辑
    " h' j2 Z, f/ _! s
    w_wengang 发表于 2019-9-11 17:41
    : K, b; o7 N+ s! \- z是N MOS管,但是看参数应该不存在什么问题
    4 y) P. S( d! M; R, W- z5 z% S
    N MOS 管導通後,+12V_SSD 就會出現,這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V9 y; H. R7 X0 K
    ) H4 G8 N* A7 l& b9 I/ p
    Vgs < 0V !!!' S5 H8 [" B8 j# o5 m( L

    , _- @3 ?, s, h) @( @9 h1 b( ~; F6 L. z$ @# O

    点评

    灰常感谢,确实是这个原因  详情 回复 发表于 2019-9-12 10:07
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-11-19 15:21
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    发表于 2019-9-11 18:42 | 显示全部楼层
    本帖最后由 飞熊在天0311 于 2019-9-11 18:45 编辑
    3 ?5 u# q6 t& ~$ e: f5 J2 H0 D
    / h+ v4 \5 x& l* b* P这个电路就是一个有问题的电路,而且不可能一直导通,狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触发导通,结果12V和GND干一起了,结果完球了。& \" l5 E( b6 D" v3 p1 z
    常规用Pmos;如果用NMOS,需要再加一级电路。5 z5 W' Z; q: @

    点评

    解决了,灰常感谢~~~~  详情 回复 发表于 2019-9-12 10:07

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     楼主| 发表于 2019-9-12 10:06 | 显示全部楼层
    449786840 发表于 2019-9-11 22:35
    " V4 B' i7 y8 V  x. j5 F源极输出悬空肯定不行啊  NMOS导通条件Vgs>=Vgs(th)都不成立了。如果你是悬空的那之前你说的管子坏了的应 ...
    - ?. ^2 r2 B: n2 g% Y
    搞定了,感谢感谢~~~~% {; }) R! u* ]* U

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     楼主| 发表于 2019-9-12 10:07 | 显示全部楼层
    飞熊在天0311 发表于 2019-9-11 18:42
    5 Z* B2 i, K, J6 h7 k/ o( t这个电路就是一个有问题的电路,而且不可能一直导通,狗版主已经给了你逻辑上的反证。烧是因为后级接地后触 ...

    - J5 B- a* ?* O+ `! b解决了,灰常感谢~~~~" E% H+ L8 P7 \4 j+ w6 b

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     楼主| 发表于 2019-9-12 10:07 | 显示全部楼层
    本帖最后由 超級狗 于 2019-9-13 13:25 编辑 , G8 m& C  W2 F! W1 }% ^5 e
    超級狗 发表于 2019-9-11 18:05; q8 c- v7 y' q/ G5 i' z( \1 _
    N MOS 管導通後,+12V_SSD 就會出現,這時候 Vgs = Vg - Vs = 3.65V - 12V = -8.35V) r  I& X' R, x* _7 M
    . u4 N& M; s! A, B2 A$ T
    Vgs < 0V !!!

    8 H5 C5 o, c7 B0 C& [灰常感谢,确实是这个原因. m! T7 ?$ j  X& [$ B; T

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    该用户从未签到

    发表于 2019-9-14 18:03 | 显示全部楼层
    w_wengang 发表于 2019-9-11 17:52
    * Z. J0 z3 q6 ?* Y这个还真有可能,之前试过把R95增大,栅极电压4V左右,+12V_SSD电压变成了2V左右,我把后级加个电容试试 ...

    " `0 z. M7 F# @8 U这个有道理$ a: n0 P$ \. e$ d% d1 l! t( t

    该用户从未签到

    发表于 2019-9-16 09:44 | 显示全部楼层
    VGS操作有正確嗎??可關注是否在開關不完全下,導致熱堆積讓ic毀損
  • TA的每日心情
    开心
    2020-1-22 15:22
  • 签到天数: 20 天

    [LV.4]偶尔看看III

    发表于 2019-9-16 10:55 | 显示全部楼层
    讲的都很有道理,学习了
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