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TI常用器件选型
0 Q+ Q, w X' }* p6 y/ ~: K7 M1 n1 半导体管
3 [0 U* K8 b& N. s1.1 ESBT
2 b( ?$ S4 h: p: }. |+ ZSTC04IE170HP N 沟道ESBT
8 g4 ]% Y3 o$ r; ?, B4A, 1700V, 50W，饱和压阵< 1. 5V3 T3 T; I. p. l
1.2 IGBT5 R) W$ g& s$ I6 ^( C
1.2.1 600V
+ d& u( n( O2 p$ n0 O' m2 J1 ^( ^STGD3NB60F N 沟道IGBT
8 `" G, Y2 C4 i3 r8 E3 U3A, 600V, 25W~68W，饱和压降<2 .4V9 i4 e1 {% E4 K1 U6 k
IRGffi6B60DK N 沟道IGBT
% [; g( d8 o( Y4 B7A, 600V, 19W，饱和压阵<2.6V) S4 m3 y: x i7 s y2 b' T
IRG4IBC30W N 沟道IGBT& B* s: B* q1 ]+ n6 b
8.4A, 600V, 1 8W，饱和压降<2 .7V% U9 d! M ]4 _ C0 g+ v( T6 |1 n
IRG4PC30W N 沟道IGBT
) ^2 P8 u0 l5 I1 v( J12A, 600V, 42W，饱和压降<2.7V
) A# d$ j% s" QIRGB4056DP N 沟道IGBT
# I! [& `1 O$ t7 N12A, 600V, 70W，饱和压降< 1.9πf
' i4 K7 S. ^! x- WIRG4PC40W N 沟道IGBT
+ W- P" i t/ J# I' {0 }' k5 P20A, 600V, 65W，饱和压降<2.5V
' h: q1 K4 h1 ^IRGB20B60PD N 沟道IGBT5 B4 s! m' ~! C, _; U% }
22A, 600V, 86W，饱和压降<3.7V
" @/ s, f* e1 N J. cIRG4PC50W N 沟道IGBT0 T _. w5 G7 \9 ^0 K% q/ L9 Y
27A, 600V, 78W，饱和压降<2.3V
+ h; y2 V0 S! c9 ^IRG4PC40S N 沟道IGBT
# _( Y+ `- [% F3 ^31A, 600V, 65W，饱和压降< 1.5V
; m7 n1 {! A3 @: t2 l2 }" N0 kIRG4PC50S N 沟道IGBT
+ K( o) j% o7 e' M& E' m- _3 z41A, 600V, 78W，饱和压降< 1.4V) q4 U2 s4 w$ e* _$ H4 u
IRG4PC60F N 沟道IGBT0 X! f! x1 [0 r, n" s, ?0 j
?& G0 G6 A9 y3 }7 S' h7 ], r% ^ e* P
- d& g/ d8 I3 k8 A% ?. P8 U/ J3 E8 Y# n1 Y0 y& s
; M2 h" ]2 M$ \( N. k! \# m |
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发表于 2019-11-19 18:27
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发表于 2019-11-19 20:08
