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TI常用器件选型1 K3 A) _! j2 \; ^! k' W
1 半导体管
% M; ~7 ~$ c9 w+ |) q1.1 ESBT2 m- p3 j/ Y, r8 A: V$ k
STC04IE170HP N 沟道ESBT
W5 \: O2 h9 } ~8 z/ c- W1 _, g% D4A, 1700V, 50W，饱和压阵< 1. 5V
$ {/ m1 ?4 `) V- A2 X7 m. d# e1.2 IGBT. C2 \# Z6 V1 N1 R
1.2.1 600V1 R# B5 v. \, B& d% P
STGD3NB60F N 沟道IGBT
! x: U3 q5 I2 j+ V% ]& p3A, 600V, 25W~68W，饱和压降<2 .4V3 W( d1 d! s: e' }5 C
IRGffi6B60DK N 沟道IGBT* T; n( r4 `1 @2 t
7A, 600V, 19W，饱和压阵<2.6V) G F% u' \8 y6 w7 j
IRG4IBC30W N 沟道IGBT
' [9 u$ s$ E8 q: Z) L3 x: v2 i8.4A, 600V, 1 8W，饱和压降<2 .7V
2 J: ~* u. d6 q# ]; gIRG4PC30W N 沟道IGBT" F6 W0 V8 p/ V& w! e' J1 ?
12A, 600V, 42W，饱和压降<2.7V- g4 F" Q# _- p% q$ o; C& z& @% u- ^
IRGB4056DP N 沟道IGBT& T) O9 P) M* J, z2 `; ]
12A, 600V, 70W，饱和压降< 1.9πf
! E7 l2 o& L3 \: b) {- YIRG4PC40W N 沟道IGBT8 _3 }$ e5 ]1 I
20A, 600V, 65W，饱和压降<2.5V- L/ Q( }/ F1 B1 u, N" E
IRGB20B60PD N 沟道IGBT
( t# m$ K, w& `0 M8 C3 t22A, 600V, 86W，饱和压降<3.7V1 T4 _" v( x x+ o! x& L
IRG4PC50W N 沟道IGBT. k& W& X; P5 g5 y
27A, 600V, 78W，饱和压降<2.3V$ L$ U2 ^: C% [' f' G. ]$ w0 u
IRG4PC40S N 沟道IGBT! g# l9 R H, g7 v$ J
31A, 600V, 65W，饱和压降< 1.5V
8 V# p/ D3 x& q/ j$ L" TIRG4PC50S N 沟道IGBT
1 S+ i7 e: O% ]' n g41A, 600V, 78W，饱和压降< 1.4V
4 @% O. t: c; o2 ?) U5 A: E/ ]/ LIRG4PC60F N 沟道IGBT
4 p% \$ L3 i0 F0 J6 d8 n2 O( ]$ m7 }" e" j3 z7 q: b6 z% n
' d$ \9 B+ h% D q! V& z) o" |. i, Q; R, O, C1 a. Q! `
6 ?% C; J9 i: A/ K9 C) U |
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发表于 2019-11-19 18:27
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发表于 2019-11-19 20:08
