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了解一下DDR2布线规则(1)

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发表于 2019-12-30 09:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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" |+ y# w0 j% |+ n, O, mDDR2布线规则(1)
. l* G' k# w4 u- U, r2 `
: Z: e( J( f: B# L& k/ \$ [2 B一、寄存器配置: T0 `) n# p, N1 X% @0 H5 h- ]
1、在读数据时,打开主控端的0DI,关闭DDR2端的0ODT; 而在写数据时,则相反;数据线空闲时,则关闭两端的0DT。
) e6 ]1 _7 x- F$ m- T5 Q* V. g5 P, }% \& e2、对于DDR2 800, 设置寄存器,使主控端和DDR2端的0DT阻值为502。3 W& n( z9 c. G  z9 R
3、一般通过调整输出驱动强度以达到最好的信号质量;时钟线、命令线、数据线的延时-般可以独立调节,以满足时序要求。
/ k  N' l5 y5 O6 E
9 D- w- ~( [. ^2 k2 o8 @+ v4 r: t二、叠层设置
. p/ g+ ]* H1 v% N8 t% F0 N4 k1、对于同一组数据线及其对应的DQ STROBE线, 如Q[7: 0]、DMO与DQSO、 DQSO#, 应布在同一层,以减小信号skew.
$ u9 j: A  {  T, _8 H2、DDR2信号线的参考平面最好是选择地平面(尤其是时钟线),如果基于成本考虑,不得不选用电源层作为参考面,则DDR2供电电源平面需包围整个DDR2走线范围,且边缘要留有余量,电源与地平面间的阻抗在整个带宽范围内要足够低。
8 b- K) T4 Y3 W# ^% t/ L8 J  y9 m- u9 f$ _: o9 g
三、线长匹配9 P) X2 O0 Q3 D
1、走线增加一个过孔,大概相当于增加了90mil的传输线长度。
9 }- m/ {$ L9 [2、对于走线长度应把封装内部引线长度计算在内。
8 h7 Q, i! {0 k0 X3、各信号线的长度匹配如下表: (控制线: CS、CKE、 ODT; 命令线: Address. BankAddress. RAS、 CAS、 WE; 数据线: DQ、DM)
- h4 E  R3 o- u2 c
. f/ ~( c8 ?0 F. e2 `8 N. _3 M; n. O+ J
' o% g# p1 r/ n7 ~8 `
& ?8 B+ l: {. |/ e/ I9 z! r" C
4、时钟信号差分对的长度差应控制在5mi1以内。
& G1 l( V" ^& d3 R; A! @/ w0 C5、在能够满足布线空间的情况下,走线长度越短越好,- 般控制在5000mil以内, 可以以时钟线作为参考线。
# p, S) n$ k8 U/ i; `8 o; Q# r
四、串扰的抑制
  U& E/ c. P5 i$ x) Y1、对于蛇行走线,各线段之间的间距应至少为走线宽度的两倍(边沿到边沿)。
. X. S1 I1 l7 M- w1 G5 ^2、DDR2信号线与非DDR2信号线之间的间距应大于25mil。
) _+ p+ w$ X: W. P1 \$ @' t3、时钟、DQS等差分线与其它DDR2信号线的间距应大于20mil。
- t; h- A/ J7 [9 m# c4、同一组命令线,同一组控制线或同一组数据线间的走线间距应大于走线宽度1.5倍(最好2倍以上),而不同组间的信号线间距应大于走线宽度的2倍(最好3倍以上)。
. [& U; F4 {6 \3 t5、在扇出线区域,由于空间限制,不能满足走线宽度和间距要求时,可适当减小走线宽度及减小走线间距,但该扇出线长度应小于500mil。/ Q4 ?, Z1 s/ \- f" }& k+ ~6 F
6、扇出线过孔应尽量靠近焊盘,如有可能,最好打焊盘孔。
. M& b7 ~( H' y7、每条信号线的过孔数最好不要超过两个。% V9 j: S3 T& `$ q2 Q) {7 S1 m5 V
8、VREF参考电压线要有足够低的阻抗,且与其它DDR2信 号线的间距大于25mil。( B6 Z5 |' t0 K2 k( g4 n  m) ]

( }! t! y( F+ ]! X8 |7 O* c# _五阻抗匹配4 s5 t- R+ |/ ?; H9 {" y
1、DDR2 800信号走线单端阻抗应设置成5007 N" s( `: w0 I# A3 i
2、对于控制命令线、时钟线要进行阻抗匹配,可采用源端串联匹配或末端并联匹配。(源端匹配具 有较小的驱动功率,但.上升沿时间是未端匹配的两倍,且-般驱动器的HI和L0驱动电阻不一样,较难得到精确的匹配阻值,源端匹配一般只适合于点对点拓扑)。5 a$ D" c8 E+ b8 [
3、对于单端信号线,源端端接电阻加驱动电阻值等于走线阻抗;而未端端接电阻等于走线阻抗,端接电压为DDR2供电电压的一半,通常需使用专用的DDR2端接稳压电源,在整个带宽范围内具有低阻抗,高动态响应能力等性能。
! h5 H5 o4 q: d1 J4、Clock、data strobe等 差分信号线应尽量设计成紧耦合差分对,即差分对内间距应小于走线宽度。走线应对称,如同时改变线宽,同时打过孔等。
' K+ ^/ R3 a! G/ k( y# h+ y5、对于Clock差分信号线,如有两个负载,则各分支线长度应尽量短且对称,每条分支线末端用2002电阻进行并联端接。5 R1 r5 S0 G+ C: u3 V4 S( ]9 o2 z
6、并联端接电阻的走线长度应控制在250mi1以内。对于点对点拓扑的末端端接电阻,应放在接收器后面。
8 _6 B4 T8 X/ S, D9 y# n! I7.对于控制命令线,如有多个负载,应采用星型连接,各分支线长度应短且对称,并在分支点进行阻抗匹配,阻值等于走线阻抗。(如图: 其中L2大于250mil, 小于1500mil; L3小于250mil; 各分支对称段的长度偏差应小于50mil)
# g. F4 `4 r- O5 a9 R) B! [+ K$ `; a& R! E' t, a) J6 Y$ L. |

  w9 {9 `, N, x- L! ~4 O6 D6 l
- [, `4 P- ?0 `" m) T2 x* L& d0 e! G+ }
8、有时为降低功耗,可以关闭0DT功能,此时, 对于点对点拓扑的数据线,可以在DDR端进行串 联端接;而对控制命令线不做匹配,但要加大走线间距(不推荐使用)。7 ]! q% E, L4 Y7 o

2 {- S9 [5 M& c. F$ n; M7 i! V+ b" ]' D0 N0 R3 s& M( Q

: `5 c( Y8 O/ Z* H8 _" E3 [
8 i# l* H( A: X$ C. N) x8 C. x! V- S0 q

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发表于 2019-12-30 19:08 | 只看该作者
先看看,后面要用的时候再来
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