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本帖最后由 wewwqq 于 2020-2-7 14:17 编辑 $ l! ^+ ^% y$ W9 Z- }
5 N( J% V) e6 M' u4 L9 {
随着CMOS工艺的快速发展，集成电路得到快速的发展。射频、中频和基带5 a( C' W# N+ t: ~) T% L/ C
等电路更趋与集成在同一块芯片中。在无线局域网的射频前端电路中，混频器是
/ K% V1 v' q" u4 r7 I9 Z1 |8 b9 ?& U+ M起着及其重要的作用，是电路的核心部件。本课题设计了一种可以工作在低电压
9 `7 a( ^2 b% I R; g" ^* h下具有优良性能的新型混频器电路，它是在吉尔伯特混频器(Gilbert Cell4 y- U: o) E) g5 Z9 U
Mixer)电路基础上改进而成。
% k. F+ r. V8 f# C; N在传统的吉尔伯特混频器电路的基础上，我们引入了一种新的低电压结构,! l) K7 j+ @$ z! n5 Y, ?
是为了达到低电压高性能的目的。这种低电压结构由电容和电感所组成的共振电
" C- M: j `" E$ }* d: ~8 H3 P+ ^" X路以及耦合电容构成，采用这种结构可以有效地降低整个电路的供电电压。另一6 P( w8 U8 x8 X9 l0 v" b( J# X
个方面我们采用三个差分对取代原来电路中的一一个差分对，另一同时，我们对吉1 V( S& e, m4 _& x7 k: ~- ?
尔伯特混频器的跨导级做了调整,引入了新的跨导单元结构这样做的结果是提高) _. Z' \9 o8 `& O1 ^
了混频器的跨导，从而提高了整个电路的增益和线性度所以，提高增益和线性度* f1 S! D& j. n9 V n8 |
意味着提高混频器的性能,同时降低了供电电压意味着降低功率消耗,也就是说,
: z' ^" W* ]$ v* k4 j在移动设备中用同样的电池可以延长使用时间。 G& C! c' f- r# m7 s
使用0.35um CMOS工艺,在mentor的Eldo仿真环境下对所设计的新型混频6 B# _ U- s- o: f$ ^; d2 \
器电路进行仿真，结果表明电路射频频率为2. 4GHz,本振频率为2. 2GHz,中频 o5 Z! A, Y& b4 Q# d; A; Z" y
频率为200MHz。仿真结果得到的转换增益为7.48dB,1dB压缩点为-3.4dBm,
% P6 F& X, O* m* Z R4 @输入三阶截断点为8.2dBm，供电电压为2.5V,噪声系数为12. 4dB,消耗功率为
7 `1 O& p& X0 @( }" X11.8mW。仿真结果证明新的混频器结构在性能.上有很大提升,即经过改进的电路
1 u6 y) c9 S" F8 a4 {4 ]! z: T6 W可以工作在较低的供电电压下，并且增益和线性度等方面都有很大提高。.
@9 _+ z( T& x* s, W7 j( s# ?关键词:混频器，射频，COMS工艺，线性度- i- h6 t/ X4 L' [# C4 \& b
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发表于 2020-2-7 14:15
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