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在高频领域,信号或电磁波必须沿着具有均匀特征阻抗的传输路径传播。当遇到了阻抗失配或不连续现象时,一部分信号将被反射回发送端,剩余部分电磁波将继续传输到接收端。信号反射和衰减的程度取决于阻抗不连续的程度。当失配阻抗幅度增加时,更大部分的信号会被反射,接收端观察到的信号衰减或劣化也就更多。 # E! }8 M4 |5 Q1 h& E- [3 `
阻抗失配现象在交流耦合(又称隔直)电容的SMT焊盘、板到板连接器以及电缆到板连接器(如SMA)处经常会遇到。 " X% v, i( R8 z/ ?( w
在如图1所示的交流耦合电容SMT焊盘的案例中,沿着具有100Ω差分阻抗和5mil铜箔宽度的PCB走线传播的信号,在到达具有更宽铜箔(如0603封装的30mil宽)的SMT焊盘时将遇到阻抗不连续性。这种现象可以用式(1)和式(2)解释。铜箔的横截面积或宽度的增加将增大条状电容,进而给传输通道的特征阻抗带来电容不连续性,即负的浪涌。 * B" ~! e6 X% J
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为了尽量减小电容的不连续性,需要裁剪掉位于SMT焊盘正下方的参考平面区域,并在内层创建铜填充,分别如图2和图3所示。这样可以增加SMT焊盘与其参考平面或返回路径之间的距离,从而减小电容的不连续性。同时应插入微型缝合过孔,用于在原始参考平面和内层新参考铜箔之间提供电气和物理连接,以建立正确的信号返回路径,避免EMI辐射问题。
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( e, |- M& g8 l8 s1 p 但是,距离“d ”不应增加得太大,否则将使条状电感超过条状电容并引起电感不连续性。式中:
. l/ O! S3 e, H! r2 A, x- R% N 条状电容(单位:pF);
' N8 J# {6 B8 n; M% x% W5 u 条状电感(单位:nH); 5 A6 l2 _) }$ B1 W5 l
特征阻抗(单位:Ω); 9 Z8 J* L: q! m9 e$ n4 U
ε=介电常数; 8 b* v7 m+ F7 T8 j1 \
焊盘宽度;
6 q$ T; {2 E$ l 焊盘长度;
) V4 d5 e2 @/ M3 N& o# `5 f 焊盘和下方参考平面之间的距离;
, W$ g+ \( r( z4 C8 w4 { 焊盘的厚度。
5 u8 v, f N( {$ v6 m ` 相同概念也可以应用于板到板(B2B)和电缆到板(C2B)连接器的SMT焊盘。 ) N/ M. u3 k) x5 P& @0 e- P5 P
下面将通过TDR和插损分析完成上述概念的验证。分析是通过在EMPro软件中建立SMT 焊盘3D 模型, 然后导入Keysight ADS中进行TDR和插损仿真完成的。
4 |" l+ [9 J8 X! z 分析交流耦合电容的SMT焊盘效应
; I) K7 D. r- A+ L+ l s8 M 在EMPro中建立一个具有中等损耗基板的SMT的3D模型,其中一对微带差分走线长2英寸、宽5mil,采用单端模式,与其参考平面距离3.5mil,这对走线从30mil宽SMT焊盘的一端进入,并从另一端引出。 $ Y( G0 Z2 i1 z3 K/ @+ o9 o
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图4和图5分别显示了仿真得到的TDR和插损图。参考平面没有裁剪的SMT设计造成的阻抗失配是12Ω,插损在20GHz时为-6.5dB。一旦对SMT焊盘下方的参考平面区域进行了裁剪(其中“d ”设为10mil),失配阻抗就可以减小到2Ω,20GHz时的插损减小到-3dB。进一步增加“d ”会导致条状电感超过电容,从而引起电感不连续性,转而使插损变差(即-4.5dB)。
[* Y" P# X( L7 z# Q) M 分析B2B连接器的SMT焊盘效应 4 ]: s+ p! Y) _
在EMPro中建立一个B2B连接器的SMT焊盘的3D模型,其中连接器引脚间距是20mil,引脚宽度是6mil,焊盘连接到一对长5英寸、宽5mil,采用单端模式的微带差分走线,走线距其参考平面3.5mil。SMT焊盘的厚度是40mil,包括连接器引脚和焊锡在内的这个厚度几乎是微带PCB走线厚度的40倍。
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铜厚度的增加将导致电容的不连续性和更高的信号衰减。这种现象可以分别由图6和图7所示的TDR和插损仿真图中看出来。通过裁剪掉SMT焊盘正下方适当间距“d ”(即7mil)的铜区域,可以最大限度地减小阻抗失配。 ! n; [# x" p, r3 H
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本文的分析证明,裁剪掉SMT焊盘正下方的参考平面区域可以减小阻抗失配,增加传输线的带宽。SMT焊盘与内部参考铜箔之间的距离取决于SMT焊盘的宽度以及包括连接器引脚和焊锡在内的SMT焊盘有效厚度。在PCB投产之前应先进行3D建模和仿真,确保构建的传输通道具有良好的信号完整性。
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