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单片机器件选型错误案例

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发表于 2020-3-9 15:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、TVS管的误用   

. j* U* Y, p& h. g

        

4 Z+ o: D! K4 H$ e2 {
9 M6 R& \5 s6 N5 ]3 l" ^2 `, _
上图是一个USB口的防护电路,这个电路中首先误用的就是TVS管。TVS管作为一种防护
& ]) B8 r% V6 d4 k器件被广泛应用于防止过电压保护。此处的的设计思想也是想用TVS管来作为放静电的一种器* a% ^! L2 M- a) ~& q! I
件。但是这里用错了.
1 p; |$ C/ P& V此处设计要求为使用USB2.0作为设备配置口用。对于USB2.0而言其传输速率为
# F  ~, J, A' q- y- a480Mbps。通讯速率是比较高的。而TVS中除 了要考虑动作电压外,在通讯中使用时还需要
  D/ @( L+ z, _7 o0 P8 f% _  [. Z考虑结电容。SMBJ6.0CA的结电容高达上千pf,这么高的结电容在兆级通讯中会严重影响通
# c$ v: h- s( G  M8 b讯。因此不能使用SMBJ6.0CA这种TVS管。实SMB6.0CA是-种中等功率的TVS管,- 般
0 j9 h  G1 R6 Y! C7 }用作设备末端的防雷,放浪涌。放静电其实并不需要600W这么大的TVS管。正确的方法为使7 O' w3 n' ^3 k  X$ K: j
用传用的USB防护器件,比如:使用SEMTECH的RCLamp3624T.就可以满足USB2.0的保
8 t3 _. K/ j# ^$ s护,结电容不到1pf,以拥到2GHz。! l9 e3 N6 S# W( }) Y0 l2 e) P" |
2、磁珠的误用% j. u4 Y' r9 Q: [! [3 C# `
还是看上面的那个USB口的防护电路图。在TVS后面还有2个磁珠。磁珠主要用于抑制高
. J  x0 U! o: `1 a: v8 V频干扰。但是当看到这个磁珠时,我们需要问设计者,这2个磁珠是什么型号的,得知型号
* o0 d4 N5 R, r后,发现这两个磁珠的谐振频率为100MHz。那么在USB2.0的480Mbs通讯时,这两个磁珠
: O! }/ @, v1 P$ N1 n, f% x% w/ e: _已经不再适用了。磁珠不是加了一定好,磁珠要根据要抑制的频率选择,其谐振频率一定要% j: S, S2 m. }% U: ~9 y
高于至少5倍工作频率。在这个基础上再看阻抗等参数。' e+ j) ~' i% W/ r. d

7 z. a# A6 B* T* R" D        
6 i$ ?0 v; f+ i) d/ [& S

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2#
发表于 2020-3-9 18:08 | 只看该作者
很典型的案例                        
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