双面SiP三维封装结构解析

poseidon

此专利针对现有技术提供一种双面SiP三维封装结构，它能够使用预制的3D导电部件成为堆叠封装的支撑结构，将3D导电部件作为电磁屏蔽的接地端，模组中使用晶圆级封装和其他器件的组合，可以降低封装模组的尺寸高度，提高
封装模组的高频性能，有效的防止电磁干扰，可应用于毫米波器件。
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图1 双面SiP三维封装结构图
& P' b- d  }, v" o* S% C$ q0 |6 k图1展示了一种双面SiP的三维封装结构，它包括核心转接板1，核心转接板1正面贴装有扇出型晶圆级封装结构2和第一被动元件3，这二者外围设置有第一3D导电部件4。扇出型晶圆级封装结构、第一被动元件和第一3D导电部件外包封有第一塑封料5。核心转接板背面与正面结构相似，贴装有芯片7和第二被动元件8，3D导电部件6位于它们的外围，并包装有第二塑封料9，同时第二3D导电部件6背面设置有第一焊球10。封装结构顶面和侧面设置有屏蔽层15，第一3D导电部件4正面处的屏蔽层15设置有开口16，从开口16可以连接外部封装体或其他功能器件。
4 w. f1 u% S& J3 v/ X! @另外，扇出型晶圆级封装结构2和第一被动元件3位于同一水平线上，并与第二被动元件8位于同一垂直线上；同理芯片7和第二被动元件8位于同一水平线上，与芯片7位于同一垂直线上。这一结构可保证芯片、扇出型晶圆级封装以及被动元件之间最短的信号传输线路，减少传输线路中的损耗，保证信号传输的稳定性。
与现有技术进行对比，此专利提出的双面SiP封装结构具有以下优点：
9 _7 r+ E- V2 z. H! v2 E1、封装模组中使用晶圆级或者面板级制作的重布线核心转接板以及内部使用的晶圆级封装结构可以降低整体封装模组的高度和尺寸；
2、主芯片、其他芯片（如MEMS、控制芯片、集成无源器件）采用晶圆级封装结构，使用低损耗的绝缘材料，可以提高高频性能；
& P* Z$ x6 a2 n+ y+ n+ ~9 @4 p3、可以提高整体封装模组的高度设计的灵活性和翘曲控制的稳定性：上下部分的3D导电部件是预制单独设计的，可以有全金属柱和金属柱中填充树脂的组合，具有灵活的CTE设计可以来控制整体结构的翘曲，其高度设计也可以进行灵活的设计；
7 U- w. u2 X8 L8 c. p7 A3 O4、3D导电部件不仅可以作为堆叠或埋入封装的支撑导电部分，也可以作为电磁屏蔽的接地端，可以防止电磁干扰。
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embnn

这个厉害了

ytmgadw

这技术已经出来很早了