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楼主: forevercgh
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【原创】理性认识SQ的时序仿真功能(不断更新中)_如需转载,请务必征得作者同意

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cjf 该用户已被删除
16#
发表于 2008-4-24 14:55 | 只看该作者
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17#
发表于 2008-4-24 19:23 | 只看该作者
原帖由 cmos 于 2008-4-24 13:29 发表
; ^& W7 D. _2 E- l$ H( k* r
# `1 l3 N" }3 ?! x( F" ~5 y- A" g4 f
buffer如同一头牛,负载如同车,牛拉1辆车和拉4辆车的速度是不同的。buffer delay如同牛拉车的速度。挂的车太多,负载就过重。挂的车少,牛跑的太快,容易出交通事故,出现过冲。
1 A# W6 b3 ~. @" L( A
# M+ U) |; Y. f( V
要从电磁波或电气的角度来解释,这样解释太粗糙了
" v! A9 E% h, T! Z- c# u0 A/ Y是不是会出现振铃或反射等,使达到(相对稳定的电压)Vmeans的时间发生变化?至于为什么会变化呢???假如外接负载恰好满足要求时,其Tbufferdelay的时间大概为多少?当超载了呢?其时间是变为多少???

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18#
发表于 2008-4-24 20:05 | 只看该作者
大家就是要多多讨论这个

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19#
发表于 2008-4-24 22:08 | 只看该作者
学习学习,正在弄呢
  • TA的每日心情
    开心
    2023-5-11 15:04
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    [LV.1]初来乍到

    20#
    发表于 2008-4-25 15:18 | 只看该作者
    原帖由 stupidboy 于 2008-4-24 19:23 发表
    , Z+ ^: x' X+ Z1 ?5 J+ l2 Y/ q4 \8 E" z$ z/ {' w

    4 a( z/ b! \' R- H5 @8 I6 \9 ~要从电磁波或电气的角度来解释,这样解释太粗糙了1 M# g/ V0 b3 d  X2 a
    是不是会出现振铃或反射等,使达到(相对稳定的电压)Vmeans的时间发生变化?至于为什么会变化呢???假如外接负载恰好满足要求时,其Tbufferdelay的时间大概 ...

      V! ?2 f8 A. J5 m$ V* }/ J
    1 ]5 H; @4 Z4 a( J, x- i; y从电磁波角度解释就需要做ansoft工具作3维的磁场仿真,这个好像不太可能,没有这么复杂的3维模型。- l1 o; Q4 R8 l# j! v
    电气特性,就是spice level的仿真就够了,牛拉车的说法只是一种比喻,我还想不出更好的比喻了。# c0 `. Z+ ~' f1 B0 Q( [
    所谓参考的vmeasure电压,只是给一头机械牛,因为这头机械牛的表现是稳定的,
    8 q% e6 t3 {* ^其他牛拉车都给予机械牛作为参考而已,你说的具体delay时间都可以仿真获得。具体case,具体数据,没有哪个数据能涵盖一切case的

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    forevercgh + 5 我很赞同

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    21#
    发表于 2008-4-28 15:15 | 只看该作者
    学习了

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    22#
     楼主| 发表于 2008-4-29 08:45 | 只看该作者

    Vmeas and test load descirption

    Vmeas and test load descirption- x) y! Z) X5 T& p+ S! n% u: l% W
    前面已经讲过Tco概念,那么手册中的Tco是如何得到的呢?
    3 X1 C/ `8 F, g+ o' m' a请看下图,半导体厂商首先会根据芯片特性确定具体的test load(不要深究为什么如此,如果想清楚理解,意味着你要进入一个新的领域----IC测试),我们的probe点即为T点,Tco的定义即为从时钟输入到数据输出的时间,而数据输出的时间点的确定即为T点波形上升为Vmeas的时间点。
    0 Y& B/ n. C5 V3 K: [
    & d) i4 E% C2 ~Vmeas为半导体厂商用来为输出buffer(当然包含output ,I/O,3-state)确定板级延时特性的电压参考点2 h1 m/ A/ Z# E' }/ A
    Vref,Rref,Cref为半导体厂商用来指明传输延时和输出buffer开关特性的test load
    3 n# ]! z* H1 _" u# f
    & _% F! C# m6 o" f6 S
    & R; q) @/ I& ~6 Q举个例子
    0 Q$ h. x8 U: n3 H. |8 h
    ( ]" ^$ i# s5 I0 {& F6 F& |' i" b4 w) w1 p0 [+ W. h4 Q
    这是取自一个ibis model clk buffer的test laod及Vmeas参数1 r, k' B  P; c7 N
    下面分别用SQ和hyperlynx搭建起test load  O3 R) C7 Y( B6 G3 q
    游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
    0 n: ?) }) c* `( @! [2 V: S
      `' a1 s/ ]& s- a# J
    理解不妥之处,烦请指正: }2 B6 U# _4 E

    ) [( P* J/ I/ Y0 p8 D- v# \; f[ 本帖最后由 forevercgh 于 2008-4-29 11:03 编辑 ]
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    [LV.2]偶尔看看I

    23#
    发表于 2008-4-29 10:21 | 只看该作者
    顶一下版主精彩的描述,只有在多讨论中才有收获。% `; c/ v: E! z* @( g- u; y
    负载比喻成牛拉车是很形象的,为理解方便,也可以简单地把负载看成一个电容,毕竟在RLC参数里,电容是最重要的,负载重就相当于电容大,电容大充电时间就长,信号上升就变缓。
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    [LV.1]初来乍到

    24#
    发表于 2008-4-29 10:39 | 只看该作者
    就我个人理解,外围test load,就是所谓Cref的具体值,来源于在芯片设计中对于板极最大负载的考量(是否是最大值也许存在争议,但50pf也够大了)。就是从drive 端往外看的所有电路的一个等效模型。
    * u' v( H+ N" I2 o3 L然后其余各种case,都是根据这个等效模型的一个参考。4 U% n1 b1 A) O5 K& W2 C1 S
    " C( U3 I/ J! M5 f" d, K2 S1 ^

    , m& J, R$ u( G0 S5 \; j4 hCref在芯片设计中也有其自身的指导意义。就是外围将要驱动的最大负载,从而在芯片内时序优化提供参考依据。但是很多国内芯片设计公司的外围约束基本来源于工程师的经验值,而没有考虑真实的pcb板的应用情况。因为芯片工程师很少有板极布局布线概念,更鲜有作信号完整性仿真,来给他选择合适drive bufer提供依据。这个是国产芯片现状。( D. Q7 l% h5 _( B: b
    至于国外的芯片,怎样来设这些参考值,就不太清楚了。但我觉得应该有一个很完善的流程,会有SI工程师,通晓板极和芯片布局2方面知识进行协调和仿真,从而做出兼容性最强的芯片。需要一个独立的SI部门来做这件事情。

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    25#
    发表于 2008-4-29 17:26 | 只看该作者
    ddddddddddddd

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    26#
    发表于 2008-4-29 18:34 | 只看该作者
    xuexi

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    27#
    发表于 2008-4-30 20:37 | 只看该作者
    秘密手册??

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    28#
    发表于 2008-5-1 17:13 | 只看该作者
    支持一个

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    29#
     楼主| 发表于 2008-5-5 22:15 | 只看该作者
    聊过了buffer delay,同时也明白了buffer delay会随着load情况的变化而变化。3 o, Z; H" b# Z
    而我们实际关心的应该是test load情况下的buffer delay,他将作为我们时序分析的参考基准,其重要性可想而知。+ f* _2 H; E3 ]+ H, L) T; N

    ! O0 `4 [* N2 z0 K0 uTco的提出是基于test load的测试结果,buffer delay作为tco的组成部分直接影响Tco,很显然,我们实际系统系统的load情形是不同于test load的。那么就要考虑到如何修正Tco的问题。
    / z2 f& K2 B  g+ O# F7 s# [$ J% Y# _) ]) a
    借用TI的图说明一下。5 @" q! U1 I0 S0 }# K2 B! M
    * l  G, J/ K+ l1 A1 X' [
    4 d8 D' \! a& ?  o% W
    C点波形即为test load情况下的驱动端波形; [/ Z) A% }4 M! P
    A点波形即为actual load 情况下的驱动端波形) C% A8 V6 ~" d- j9 ~
    B点波形即为actual load 情况下的接收端波形2 |2 \3 C! u9 N
    , v8 i' ?! S$ _  e( [
    我们将A,C间的时间间隔(电压参考点为Vmeas)即为我们的补偿时间compensation timing-----------Tcom% Q0 b- b! s7 Y

    0 B! ~7 i/ c0 K* Z& @, C这里的Tcom为240.741ps' S  s1 q" Q. m; T

    # w6 @( m' N: y2 `7 m而A,B间的时间间隔即为我们的板上走线延时(注意,这里的板上延时不同于传输延时)---------------Tlayout- t% i: u) Z& @
    Tlayout是我自己定义的,见笑啊(要说明的一点是,这里只是为了说明问题,定义不合适的还请海涵)
    ) b6 R  s6 ~  ^板上走线延时的电压参考点依据信号的类型有所不同
    , a8 q% P3 J% O- M5 X1.对于时钟信号来说,参考电压点为Vmeas,因为时钟信号要求严格的单调性(我们这里研究的是同步系统,参考信号为CLK)
    5 L% F7 Y- R; F  u3 [& `! Z# v2.对于控制信号,地址信号,数据信号来说,起始参考点为驱动端Vmeas,终了参考点为接收端Vil/Vih(非CLK信号不要求有很好的单调性,故引入门限电平作为参考点,避免非线性边沿造成的巨大误差)
    / s% b; L4 q) A3 _% Y, O! R就像下图,Vmeas电平持续Tref时间,非线性边沿的存在使得我们不能将Vmeas作为参考。
    " Z) O5 a) O* `0 o2 Z7 P

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    30#
     楼主| 发表于 2008-5-5 22:21 | 只看该作者
    这里的Tcom+Tlayout即为SQ标榜的settle delay和switch delay ,其实就是flight time(max,min)。这些概念比较晕,好多厂家的定义不同,比较愤愤。3 J/ |2 P& n' n. ]- y3 B5 H
    tcom已经讲过+ J2 V$ p, u* W* a# C  g6 u' g
    Tlayout由于终了参考点的不同进而冒出了几种不同的情形。3 {% \% s2 Q2 }( G0 f( C, @

    3 X0 T+ Y* G, I# a; K
    ; e. w# }: g* X% T" @' `
    游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
    ' N" [7 \0 w/ e' H0 ^$ Z- N" R3 Z' ?
    太晚了,要睡觉了,有空接着侃
    * @6 j1 K: m9 R' t2 c9 v% M% n! k+ x
    [ 本帖最后由 forevercgh 于 2008-5-15 20:38 编辑 ]
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