国产星忆高速异步X型随机存储芯片XM8A01M16V33A

英尚微电子

XRAM是一种旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能ram的新型内存体系结构.XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新体系结构显着提高了内存密度并简化了用户界面。
& T) K/ R. X) r( C. M, y
XRAM是一种基于先进的DRAM工艺，再结合星忆创新的三态DRAM和免刷新DRAM两种专利技术的新型存储器件。不同于传统的DRAM芯片和SRAM，它具有以下特点：
6 @; u/ s1 S/ G7 w9 z! L• 成本 同等条件下晶圆面积节省30% ，晶圆产出预估可以增加25%
• 速度, 数据读取延时达到10ns级，相比DRAM要快10倍
) _% j" |* m7 f* n8 N& T• 存储密度, 单片支持Mbit和Gbit
• 功耗, 存储阵列损耗减少40%
• 无刷新, 简化控制器设计和时序操作，完全随机访问，提高总线利用率
' b5 ?. K; r$ j0 E* W/ f8 J• 高可靠性，支持-40~125摄氏度环境温度
1 f. O! K$ }5 ~" H2 [/ r& z

6 J1 p3 i6 U7 T& x6 T, S3 W+ NXM8A01M16V33A在功能上等效于异步SRAM，是一种高性能16M CMOS国产SRAM存储器芯片，组织为1024K字乘以16位和2048K字乘以8位，支持异步SRAM存储芯片接口。
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XM8A01M16V33A（1M×16）48引脚TSOP I引脚排列

) d( @9 w: u. u4 wXM8A01M16V33A特征
•异步XRAM芯片内存
0 Y7 e  S& p3 U•高速访问时间
0 |, M" X& x. u+ V9 ?% B! l8 ]•tAA = 10/12纳秒
2 j& z. g) Q$ j( L" e* T# ?•低有功功率
7 f! F- _' s* M5 F•ICC = 80 MHz时为75 mA
4 W1 b& A, L+ Y# K. W8 q/ J•低CMOS待机电流
; |2 i7 W: v- B: q•ISB2 = 40 mA（典型值）
! G0 q* M* c+ @4 p5 C; _6 \! W4 |. }- b•工作电压范围：2.2 V至3.6 V
+ N( G7 |% e# o9 z+ w•取消选择时自动掉电
•TTL兼容的输入和输出
•提供44引脚TSOP II，48引脚TSOP I封装和48焊球FBGA封装
  o( F4 @, i. d; B' T: \/ f2 h3 M! I
星忆存储专注于XRAM产品开发设计，提供高性能和低延时，低功耗及免刷新动态随机存储器芯片产品。致力于通过创新型存储芯片技术商业化、产业化的过程，带动国产存储器芯片的底层技术攻关和相关科研工作，从而推动国产存储芯片设计前端产业变革和更进一步的发展。星忆存储代理商英尚微电子支持提供驱动、例程、必要的FAE支持等技术支持。


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2020-9-8 17:06 上传

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英尚微电子

XM8A01M16V33A特征
•异步XRAM芯片内存
$ u4 b( k8 k$ X' n* V•高速访问时间
& o3 x% p, X) Y% Y, o•tAA = 10/12纳秒
•低有功功率
" b' S5 W( H4 N: Q* D9 S•ICC = 80 MHz时为75 mA
/ q0 |% F4 T* N8 s; u•低CMOS待机电流
. L+ t4 F# O" o5 }•ISB2 = 40 mA（典型值）
•工作电压范围：2.2 V至3.6 V
; W4 r0 ^: ~9 s6 R* K( ]; d8 `1 D•取消选择时自动掉电
•TTL兼容的输入和输出
4 u* T( B6 ^' T2 v( i. u$ f•提供44引脚TSOP II，48引脚TSOP I封装和48焊球FBGA封装