倒装芯片的发展趋势

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目前倒装芯片逐渐成为主流的封装互连技术。传统的FCBGA的发展趋势如下：
; J& v6 U/ e; y# g/ D4 [8 k5 e1. 凸点节距：
a. 减小凸点节距能够提高I/O密度；
b. 节距变化趋势：250um逐渐降低至75um，CP bump节距可以做到更低；
2. 焊锡凸点沉积方法： 蒸镀-->丝网印刷-->电镀；
3. bump焊料组分：高铅-->共晶-->无铅（Sn-Ag）-->Cu柱节距<125um；
4. 封装组成： 陶瓷基板-->高密度互连层压基板-->预浸层压基板-->低热膨胀系数层压基板-->无芯基板；
5. 封装结构： 密封单片盖（SPL）-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑

" e( i6 Q2 K- z. q! x1 R, C$ T    现在由于小节距阵列和无铅化要求，晶圆制造中容易出现高应力的凸点结构以及脆弱的层间电解质层。以上材料的特性在封装过程中容易出现可靠性不稳定的情况，如ILD（电介质层）开裂，UBM分层，凸点开裂，或其他与应力有关的问题。解决此类问题，封装工程师需要向晶圆制造商询问硅叠层及其有关强度的情况。以及在以下方面进行调查;
, Y1 l3 Q( t/ d. O5 J5 b. ]5 ~- W1. 顶层Cu或Al的厚度；
2. 非ELK覆盖层数；
# A8 y( z' @# Y8 V4 r3. 通孔密度；
4. 硅一侧凸点焊盘开口；
3 `" A, ~3 ?& Z2 u8 {4 v5. 凸点UBM的直径和高度；
6. 在凸点结构下方添加钝化层，如聚酰亚胺（PI）或PBO；
1 @3 C5 G2 Q3 @- q# y7. UBM叠层，如厚度和材料；
8. PCB焊盘尺寸及阻焊层开口（SMO）；
! x: G# f: k6 e% p/ A3 p9. UBM/SMO对比；
  k- J# s: Q; B* F10. UBM应力；
8 }0 V7 g- [. ]1 c9 A7 V- U4 T( G1 f11. 芯片/封装之比；
# a2 x! h) W3 M0 I  E12.底部填充材料；如高Tg
. R9 x3 C1 Z$ F$ z8 B, a+ n. L( v: J13. 回流温度曲线，如缓慢冷却；
+ ?/ @, c8 ]1 o4 j' O! g14. 增加密封盖或其他强度更高的结构单元；
5 W- S: E5 R* `" @# ?( \/ ^15. 基板芯材及厚度；
$ d! F4 J& b7 d$ ?5 T. h& h) y16.基板热膨胀系数

* J2 s8 b6 k6 N* Y4 y

Zmb

密封单片盖（SPL）-->非密封单片盖-->加强筋+盖子-->裸芯片-->模塑