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一、电动自行车& E0 O- I' f7 {) U) e
随着环境污染问题的日益严峻,政府不断出台环保政策,例如广东最近开始的“禁塑令”。汽车尾气也是主要的环境污染源之一,洁净、环保、便捷的新能源交通工具被人们寄以改善环境的厚望,且由于中国人口基数大、交通拥堵问题严重、人均消费水平不是太高等特点,电动自行车在我国拥有了良好的发展前景。
+ M* w5 D$ u n 电动自行车 二、无刷直流电机( [ V! E0 u$ n& `! N. ?* u- j
电动自行车的电机主要采用永磁电机,按照通电方式的不同,又可分为有刷电机和无刷电机。无刷直流电机以其控制简单、调速范围广等优点,成为了电动自行车行业的主流电机。 & F! q4 K0 z7 Q9 t& O3 W
【三相全桥驱动电路】
, S' z$ v+ L2 \- g) t& [无刷直流电机采用全桥驱动方式,电路通电顺序为A进B出、A进C出、B进C出、B进A出、C进A出、C进B出。 ! _# q& K0 v9 f- q) X) T$ [
三、电动自行车控制器) R( Y: Y( q- t# |" ~7 l
电动自行车控制器为电动自行车的核心,其控制着无刷直流电机及其他功能部件。电动自行车控制器的自检程序会对每个模块进行检测,把结果转换为调速型号,控制功率放大和功率MOS管的导通和关断,进而驱动无刷直流电机旋转。
, c& D. |; e r m& |) B2014年,WANG LEI设计出一种基于STM8S903K3的电动执行车控制器,对无刷直流电机的控制采用上管PWM调制,下管恒通的调制方式,具有三挡变速、限速、EABS刹车、过流保护、欠压保护、电机自动识别、助力、巡航等功能。 9 Q1 J: n% o0 }
四、电动自行车控制器主要参数
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- l 控制器核心STM8S903K3
- l 电压变换芯片LM317T/LM7805
- l 蓄电池输出电压48V
- l 工作电流15A
- l 转把输出信号1~4.1V
- l 当电流超过23A时,进行过电流保护
- l 功能模块电压5V
- l 功率MOS管驱动电路电压15V
- l 功率开关电路电压48V
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【电动自行车控制器硬件整体框图】
: p: ~( m2 t+ T6 u k: f五、控制器驱动电路+ d$ Z, `" W3 S! q( j H$ r
无刷直流电机的驱动电路包括功率开关电路和信号处理电路,此控制器采用自举法来驱动三相逆变电路上桥的功率MOSFET,驱动电路具有自举升压、功率放大、硬件互锁、为电机电流检测电路提供输入等功能。 ' f1 |! G. ?% g# V2 V o# o
【自举法驱动原理】 【U相全桥驱动电路】
7 Z! v0 b9 V/ |! q六、驱动电路中功率MOS管的选择
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- l 为了减少耗能,导通电阻Ron要尽量小
- l 导通耗损和开关耗损产生的热量需要及时散出,最好选用更利于散热的封装
- l 导通和关断的反应时间t要足够迅速
- l 满足场效应管的Vds可以承受输入电压48V,并留有一定余地! |* R5 K- _% z' J7 t- b( K
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可选用的VBsemi微碧产品型号 0 x, [9 u3 d9 y! \3 [
①VBM1808 ②VBMB1806 ③VBZM80N80 ④VBZM80N03 ⑤VBZE2810
5 ]2 D, x- [( {# E5 e" Y7 V2 b2 ]4 b 可选用的VBsemi微碧产品型号
2 e3 X# C r/ I! j. m七、微碧半导体MOS管封装及应用, C6 R* g) [# q: U: a8 J, F
微碧半导体企业主要产品的封装有:SOP-8 、TO-220(F)、TO-263、TO-247、TO-252、TO-251、SOT-23、SOT-223、SOT-89、QFN等系列封装产线。 微碧部分MOS管产品封装编辑 + u; [- }6 n; s# x- K3 N
广泛应用于3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、军工/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网IoT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居、电脑主板显卡、MID\UMPC 、GPS、蓝牙耳机、PDVD、车载DVD、汽车音箱、液晶显示器、移动电源、手机电池(锂电池保护板)、LED电源等产品。微碧半导体有限公司以饱满的激情,拼搏务实的干劲,不断创新进取,致力于为客户群体打造出一座高效、便捷、直通、优质的服务桥梁。 . l9 c0 h( \! y9 j. A0 B' G) `0 r! v
八、参考文献) e6 E. |. Q* q
[1]王雷. 基于STM8S903K3的电动自行车控制器设计与实现[D].南京理工大学,2014. ; T( c+ X% o2 G$ |9 ]. V6 F$ y
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[5]李冬超,戴庆元,林刚磊,朱红卫,邵金柱.一种应用于DC/DC转换器的自举电路设计[J].电子器件,2009,32(01):87-88+92. : y1 V S; f1 t# ?7 w
[6]李正中,孙德刚.高压浮动MOSFET栅极驱动技术[J].通信电源技术,2003(03):37-40. 2 M( B( v4 _5 A- e4 C; z3 \5 v
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