裸片堆叠的关键技术有哪些？

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裸片堆叠的关键技术有哪些？

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圆片的减薄技术,目前一般综合采用研磨、深反应离子刻蚀法和化学机械抛光法等工艺,通常减薄到小于50μm,为确保电路的性能和芯片的可靠性,业内人士认为晶圆减薄的极限为20μm左右。

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悬梁上的引线键合技术。必须优化悬梁上的引线键合技术，因为悬梁越长，键合时芯片变形越大。
圆片凸点制作技术。
键合引线无摆动模塑技术。裸片堆叠封装的主要缺点就是堆叠中一层集成电路出问题，所有堆叠裸片都将报废，但毫无疑问裸片堆叠能够获得更为紧凑的芯片体积和更为低廉的成本。例如AMKOR公司采用了裸片叠层的封装比采用单芯片封装节约了30%的成本。

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低弧度键合技术。因为芯片厚度小于150μm，所以键合弧度必须小于这个值。目前采用的25μm金丝的正常键合弧高为125μm，而用反向引线键合优化工艺可以达到75μm以下的弧高。与此同时，反向引线键合工艺增加一个打弯工艺以保证不同键合层的间隙。

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圆片的减薄技术,目前一般综合采用研磨、深反应离子刻蚀法和化学机械抛光法等工艺,通常减薄到小于50μm,为确保电路的性能和芯片的可靠性,业内人士认为晶圆减薄的极限为20μm左右。