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在利用SIwave做频率扫描的问题

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1#
发表于 2011-3-22 15:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在利用siwave做频率扫描的时候,据说Vsoure激励源应该放在实际电流输入端,Vprobe放在芯片电压PIN附近.我个人认为应该相反搁置,理由是:芯片才是电源平面噪声的主要来源,有没人同意我的说法?7 @" C# @% [! q! d+ p

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2#
发表于 2011-3-22 16:15 | 只看该作者
从你的问题看你是用siwave做PI!* E* ?4 ^# y' j# J; v
/ l1 k- E7 ~) m/ I; ~0 ^+ N' |
如果是这样的话.用siwave做PI的话一般从2个方面开始做
& y2 A9 z0 R6 x1.是谐振分析
5 \" X4 \% a9 q# t+ Z2.是阻抗分析.
- @# f6 ~% M' o- p& d
# q4 y& l: p2 [还有你指出的是电源平面一般是信号的噪声源,我们一般从字面上理解没问题.! [2 v7 N/ |/ }' n6 h5 A) i5 X4 m
但实际上电源平面除了有自生无法消除的ripple.还有高速数字信号的跳变引起的SSN等.
# j( i2 u: I  K; K这些都是构成电源平面不完整的主要因素.并且都是由外部因素引起的." O* X9 {, W- q+ h7 Q

1 |4 z$ L9 m) m5 K

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3#
发表于 2011-3-23 09:59 | 只看该作者
频率扫描是为了观察该激励源对系统其他部分的耦合,所以激励源应放置在板子上可能是干扰源的地方,Vprobe要放置在你想要观察的地方,也就是干扰源可能干扰到的敏感区域。激励源可以是电压源,也可以是电流源。通常我们使用电流源模拟IC芯片工作,作为一个激励源。
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