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在利用SIwave做频率扫描的问题

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1#
发表于 2011-3-22 15:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
在利用siwave做频率扫描的时候,据说Vsoure激励源应该放在实际电流输入端,Vprobe放在芯片电压PIN附近.我个人认为应该相反搁置,理由是:芯片才是电源平面噪声的主要来源,有没人同意我的说法?
6 U/ v: S- N; n6 ?4 d. a; R

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2#
发表于 2011-3-22 16:15 | 只看该作者
从你的问题看你是用siwave做PI!8 q& n# y/ l/ n6 K& V$ T9 u
0 C9 ?7 s' |# M9 E" z
如果是这样的话.用siwave做PI的话一般从2个方面开始做
: Y1 N  y" x( f5 p" C6 J5 o1.是谐振分析! R, P8 d  p  I
2.是阻抗分析.
$ v% S1 h2 Q: P. ~& f8 A4 b) x- Z$ ~, j3 C) \( J: R0 \
还有你指出的是电源平面一般是信号的噪声源,我们一般从字面上理解没问题.: w4 x+ `+ y0 B( v. E# C6 i1 Q
但实际上电源平面除了有自生无法消除的ripple.还有高速数字信号的跳变引起的SSN等.. Z1 x( V' B' G1 l
这些都是构成电源平面不完整的主要因素.并且都是由外部因素引起的., L4 [/ G( j5 ?) @* x

" R( s" U- P; o- F

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3#
发表于 2011-3-23 09:59 | 只看该作者
频率扫描是为了观察该激励源对系统其他部分的耦合,所以激励源应放置在板子上可能是干扰源的地方,Vprobe要放置在你想要观察的地方,也就是干扰源可能干扰到的敏感区域。激励源可以是电压源,也可以是电流源。通常我们使用电流源模拟IC芯片工作,作为一个激励源。
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