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在利用SIwave做频率扫描的问题

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1#
发表于 2011-3-22 15:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在利用siwave做频率扫描的时候,据说Vsoure激励源应该放在实际电流输入端,Vprobe放在芯片电压PIN附近.我个人认为应该相反搁置,理由是:芯片才是电源平面噪声的主要来源,有没人同意我的说法?
. d4 c5 ~3 Y6 v/ ?4 y8 `. V

该用户从未签到

2#
发表于 2011-3-22 16:15 | 只看该作者
从你的问题看你是用siwave做PI!  X8 j- }" z: r% t' j6 f
9 g6 F7 s$ A7 b' o  K
如果是这样的话.用siwave做PI的话一般从2个方面开始做
( W! }( n& n$ t$ H$ `2 u) @1.是谐振分析
3 h0 H1 m% ^! j( M8 {2.是阻抗分析.
! [" }. y& P0 I/ G) B- e: F4 V  H! ]* _0 X4 g2 x9 y) y
还有你指出的是电源平面一般是信号的噪声源,我们一般从字面上理解没问题.6 p5 @# c# D9 e& H- |, G9 G8 O1 C
但实际上电源平面除了有自生无法消除的ripple.还有高速数字信号的跳变引起的SSN等.
7 \& J/ \! m2 I这些都是构成电源平面不完整的主要因素.并且都是由外部因素引起的.
1 A2 C( ^6 t4 p7 _1 g& G' D& C) Y# p  t- m4 W3 d- ?2 ~

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3#
发表于 2011-3-23 09:59 | 只看该作者
频率扫描是为了观察该激励源对系统其他部分的耦合,所以激励源应放置在板子上可能是干扰源的地方,Vprobe要放置在你想要观察的地方,也就是干扰源可能干扰到的敏感区域。激励源可以是电压源,也可以是电流源。通常我们使用电流源模拟IC芯片工作,作为一个激励源。
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