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芯片光刻时,为何出现光刻效果不好?

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1#
发表于 2021-3-3 13:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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芯片光刻时,为何出现光刻效果不好?# m# H6 y( }$ d" Z% T6 N
  • TA的每日心情
    奋斗
    2020-9-8 15:12
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2021-3-3 13:55 | 只看该作者
    显影是很关键的一部,显影液和光刻胶是接触式的反应,也是从上而下的作用。常用浸泡式和喷洒式。

    点评

    谢谢回答  详情 回复 发表于 2021-3-3 14:25
  • TA的每日心情
    开心
    2020-9-2 15:04
  • 签到天数: 3 天

    [LV.2]偶尔看看I

    3#
    发表于 2021-3-3 14:24 | 只看该作者
    涂覆的膜层比较薄,厚度均匀性也比较好,负胶比较厚,正胶的分辨率高于负胶,刻蚀工艺常用正胶、负胶做lift-off工艺较多。一般负胶也比同级别的正胶贵上不少。因此能用正胶的地方还是用正胶比较好。

    该用户从未签到

    4#
     楼主| 发表于 2021-3-3 14:25 | 只看该作者
    srilri2 发表于 2021-3-3 13:55
    $ o, B3 ]& v7 [' Q; s5 B$ m' ^, ~显影是很关键的一部,显影液和光刻胶是接触式的反应,也是从上而下的作用。常用浸泡式和喷洒式。
    % G0 ~/ y% M4 V
    谢谢回答 ; w" A: f4 P, E3 I, x9 K& w
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