MOS管封装分类及PLCC封装样式

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在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。
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而不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等都会不一样，而它们在电路中所能起到的作用也会不一样；另外，封装还是电路设计中MOS管选择的重要参考。封装的重要性不言而喻，今天我们就来聊聊MOS管封装的那些事。
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MOS管封装分类

5 x1 L8 c( {0 H& F按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(SuRFace Mount)。
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+ P# T% c8 s4 a& j/ F- J0 B插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装（DIP）、晶体管外形封装（TO）、插针网格阵列封装（PGA）三种样式。
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, ?! ~5 v, O, t7 H$ a) c5 |2 y2 @插入式封装
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4 c# d* e: ^6 D表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形（D-PAK）、小外形晶体管（SOT）、小外形封装（SOP）、方形扁平式封装（QFP）、塑封有引线芯片载体（PLCC）等。

表面贴装式封装
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随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
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1、双列直插式封装（DIP）
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: L- Q! J" Y8 s6 f3 W/ J$ mDIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP（Shrink DIP），即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。

DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式）等。DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。

% @5 U! c* R- R1 D& x3 Z但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差；同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DIP封装逐渐退出了历史舞台。
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2、晶体管外形封装（TO）
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. w1 p& C. T# b9 A, R: K" J; k属于早期的封装规格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封装设计。
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TO-3P/247：是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点。
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TO-220/220F：TO-220F是全塑封装，装到散热器上时不必加绝缘垫；TO-220带金属片与中间脚相连，装散热器时要加绝缘垫。这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用。
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TO-251：该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。
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TO-92：该封装只有低压MOS管（电流10A以下、耐压值60V以下）和高压1N60/65在采用，目的是降低成本。
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' U' j9 t/ b  k, c( S近年来，由于插入式封装工艺焊接成本高、散热性能也不如贴片式产品，使得表面贴装市场需求量不断增大，也使得TO封装发展到表面贴装式封装。TO-252（又称之为D-PAK）和TO-263（D2PAK）就是表面贴装封装。

TO封装产品外观

8 R$ k2 V  p% m, N! U, l# Q# i6 yTO252/D-PAK是一种塑封贴片封装，常用于功率晶体管、稳压芯片的封装，是目前主流封装之一。
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采用该封装方式的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。
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& P% e% Q( P* `& T其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热；所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。其封装规范如下：


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TO-252/D-PAK封装尺寸规格
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TO-263是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。
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除了D2PAK（TO-263AB）之外，还包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等样式，与TO-263为从属关系，主要是引出脚数量和距离不同。
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: x: X7 H+ F9 X" E: TTO-263/D2PAK封装尺寸规格

  l! B) {; q" `9 y0 l3、插针网格阵列封装（PGA）
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PGA（Pin Grid Array Package）芯片内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列，根据管脚数目的多少，可以围成2～5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的优势，能适应更高的频率。

PGA封装样式

7 A3 F7 X, V5 K$ v+ s; b6 y其芯片基板多数为陶瓷材质，也有部分采用特制的塑料树脂来做基板，在工艺上，引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64到447不等。

- G9 j, Y  a* J7 E5 _8 s% _( x8 s) p9 T这种封装的特点是，封装面积（体积）越小，能够承受的功耗（性能）就越低，反之则越高。这种封装形式芯片在早期比较多见，且多用于CPU等大功耗产品的封装，如英特尔的80486、Pentium均采用此封装样式；不大为MOS管厂家所采纳。
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4、小外形晶体管封装（SOT）

5 u% ]# M  |4 Z) I$ }4 DSOT（Small Out-Line Transistor）是贴片型小功率晶体管封装，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25（即SOT23-5）等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26（即SOT23-6）等类型，体积比TO封装小。

+ ~1 @! ]- m9 c8 L5 X* CSOT封装类型
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) B" \$ ~6 C# l: cSOT23是常用的三极管封装形式，有3条翼形引脚，分别为集电极、发射极和基极，分别列于元件长边两侧，其中，发射极和基极在同一侧，常见于小功率晶体管、场效应管和带电阻网络的复合晶体管，强度好，但可焊性差，外形如下图(a)所示。

SOT89具有3条短引脚，分布在晶体管的一侧，另外一侧为金属散热片，与基极相连，以增加散热能力，常见于硅功率表面组装晶体管，适用于较高功率的场合，外形如下图(b)所示。

SOT143具有4条翼形短引脚，从两侧引出，引脚中宽度偏大的一端为集电极，这类封装常见于高频晶体管，外形如下图(c)所示。
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9 c! ]' Z, T) G8 [; vSOT252属于大功率晶体管，3条引脚从一侧引出，中间一条引脚较短，为集电极，与另一端较大的引脚相连，该引脚为散热作用的铜片，外形如下图(d)所示。
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常见SOT封装外形比较
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主板上常用四端引脚的SOT-89 MOSFET。其规格尺寸如下：
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: m- }' [9 @6 o, B0 T3 rSOT-89 MOSFET尺寸规格（单位：mm）
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' b; ~* W& S% Q8 U; u5、小外形封装（SOP）

7 s& O, t# }2 X4 z. LSOP（Small Out-Line Package）是表面贴装型封装之一，也称之为SOL或DFP，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。材料有塑料和陶瓷两种。

SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，简写为SO（Small Out-Line）。

. i2 P* G* Z7 [; K, h1 G# _0 b/ c; t: rSOP-8封装尺寸

SO-8为PHILIP公司率先开发，采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。
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后逐渐派生出TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格；其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。
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& i$ a$ Y$ Q( M8 G% b常用于MOS管的SOP派生规格

6、方形扁平式封装（QFP）

$ q& _8 d4 N  x+ @( ~4 }QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般在大规模或超大型集成电路中采用，其引脚数一般在100个以上。

, N0 l' I0 w( }: D" f用这种形式封装的芯片必须采用SMT表面安装技术将芯片与主板焊接起来。该封装方式具有四大特点：

5 t1 e) ]  a8 C: A: S4 i' A①适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线；

5 q1 B  T1 l5 L: N. N9 M- {②适合高频使用；
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③操作方便,可靠性高；

④芯片面积与封装面积之间的比值较小。
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与PGA封装方式一样，该封装方式将芯片包裹在塑封体内，无法将芯片工作时产生的热量及时导出，制约了MOSFET性能的提升；而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半导体向轻、薄、短、小方向发展的要求；另外，此类封装方式是基于单颗芯片进行，存在生产效率低、封装成本高的问题。
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( {# R3 K  J6 U, F2 h6 `4 A! E因此，QFP更适于微处理器/门陈列等数字逻辑LSI电路采用，也适于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路产品封装。

7、四边无引线扁平封装（QFN）
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+ b' e, \! }) _; ^: @( jQFN（Quad Flat Non-leaded package）封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装表现出面积比QFP小、高度比QFP低的特点；其中陶瓷QFN也称为LCC（Leadless Chip Carriers），采用玻璃环氧树脂印刷基板基材的低成本塑料QFN则称为塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
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是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。

QFN主要用于集成电路封装，MOSFET不会采用。不过因Intel提出整合驱动与MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封装（“56”指芯片背面有56个连接Pin）的DrMOS。
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$ [& J" ^6 n+ A' ]! ?% V需要说明的是，QFN封装与超薄小外形封装(TSSOP)具有相同的外引线配置，而其尺寸却比TSSOP的小62%。根据QFN建模数据，其热性能比TSSOP封装提高了55%，电性能(电感和电容)比TSSOP封装分别提高了60%和30%。最大的缺点则是返修难度高。

, S/ W- d6 |# h. v+ J% \9 \采用QFN-56封装的DrMOS
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随着技术的革新与进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流，这就是整合驱动IC的DrMOS。
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" U( e# T. f, u$ {' v' l) [瑞萨第2代DrMOS

经过QFN-56无脚封装，让DrMOS热阻抗很低；借助内部引线键合以及铜夹带设计，可最大程度减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。

8 S6 v7 i( H$ `$ j: ~  L另外，采用的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗；并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式APS（Auto Phase Switching）。
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; f/ N2 Q- \. \6 M除了QFN封装外，双边扁平无引脚封装（DFN）也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了广泛采用，与QFN相比，DFN少了两边的引出电极。

7 i* C- m( M" Z% P) H7 {8、塑封有引线芯片载体(PLCC)
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. {  e6 b5 `2 kPLCC（Plastic Quad Flat Package）外形呈正方形，尺寸比DIP封装小得多，有32个引脚，四周都有管脚，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。
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其引脚中心距1.27mm，引脚数从18到84不等，J形引脚不易变形，比QFP容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。

4 x' Z* P0 ?; p2 ?3 _PLCC封装是比较常见，用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路，主板BIOS常采用的这种封装形式，不过目前在MOS管中较少见。
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PLCC封装样式
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主流企业的封装与改进

由于CPU的低电压、大电流的发展趋势，对MOSFET提出输出电流大，导通电阻低，发热量低散热快，体积小的要求。MOSFET厂商除了改进芯片生产技术和工艺外，也不断改进封装技术，在与标准外形规格兼容的基础上，提出新的封装外形，并为自己研发的新封装注册商标名称。
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3 S# z# p3 H; r3 Q) M3 E7 g! @( P1、瑞萨（RENESAS）WPAK、LFPAK和LFPAK-I封装
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2 F; m- G! {+ X% I3 ~) qWPAK是瑞萨开发的一种高热辐射封装，通过仿D-PAK封装那样把芯片散热板焊接在主板上，通过主板散热，使小形封装的WPAK也可以达到D-PAK的输出电流。WPAK-D2封装了高/低2颗MOSFET，减小布线电感。



瑞萨WPAK封装尺寸
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% N  T* {: v; P: S2 |) [7 L4 jLFPAK和LFPAK-I是瑞萨开发的另外2种与SO-8兼容的小形封装。LFPAK类似D-PAK，但比D-PAK体积小。LFPAK-i是将散热板向上，通过散热片散热。
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0 q' P, g9 i1 H  V瑞萨LFPAK和LFPAK-I封装

2、威世（Vishay）Power-PAK和Polar-PAK封装

Power-PAK是威世公司注册的MOSFET封装名称。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8两种规格。

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. X! e' M! w1 N8 E( A( h威世Power-PAK1212-8封装
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威世Power-PAK SO-8封装
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Polar PAK是双面散热的小形封装，也是威世核心封装技术之一。Polar PAK与普通的so-8封装相同，其在封装的上、下两面均设计了散热点，封装内部不易蓄热，能够将工作电流的电流密度提高至SO-8的2倍。目前威世已向意法半导体公司提供Polar PAK技术授权。

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威世Polar PAK封装
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5 U8 Z9 w2 @/ Q+ r3、安森美（Onsemi）SO-8和WDFN8扁平引脚（Flat Lead）封装
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安美森半导体开发了2种扁平引脚的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引脚被很多板卡采用。安森美新近推出的NVMx和NVTx功率MOSFET就采用了紧凑型DFN5(SO-8FL)和WDFN8封装，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低QG和电容，可将驱动器损耗降到最低的特性。

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3 K9 E( I( S$ H. k9 T9 P安森美SO-8扁平引脚封装
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, w+ N& J! v3 p0 w7 @3 }安森美WDFN8封装
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4、恩智浦（NXP）LFPAK和QLPAK封装

恩智浦（原Philps）对SO-8封装技术改进为LFPAK和QLPAK。其中LFPAK被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装；而QLPAK具有体积小、散热效率更高的特点，与普通SO-8相比，QLPAK占用PCB板的面积为6*5mm，同时热阻为1.5k/W。

恩智浦LFPAK封装
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% V3 @& u8 ~! ^8 D! `6 B8 J! Y恩智浦QLPAK封装

# g" ~8 m  i3 L( Z( T- t5、意法（ST）半导体PowerSO-8封装
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8 P* t3 W1 V" x9 x, Q( j, y7 o意法半导体功率MOSFET芯片封装技术有SO-8、PowerSO-8、PowerFLAT、DirectFET、PolarPAK等，其中PowerSO-8正是SO-8的改进版，此外还有PowerSO-10、PowerSO-20、TO-220FP、H2PAK-2等封装。
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意法半导体Power SO-8封装

6、飞兆（Fairchild）半导体Power 56封装
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' s2 a7 P+ E$ RPower 56是Farichild的专用称呼，正式名称为DFN 5×6。其封装面积跟常用的TSOP-8不相上下，而薄型封装又节约元件净空高度，底部Thermal-Pad设计降低了热阻，因此很多功率器件厂商都部署了DFN 5×6。

Fairchild Power 56封装

: c- ?2 `+ k( F7 a7、国际整流器（IR）Direct FET封装

Direct FET能在SO-8或更小占位面积上，提供高效的上部散热，适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的AC-DC及DC-DC功率转换应用。与标准塑料分立封装相比，DirectFET的金属罐构造具有双面散热功能，因而可有效将高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力增加一倍。

! {8 v0 w3 N! ?0 N: @. @: JDirect FET封装属于反装型，漏极（D）的散热板朝上，并覆盖金属外壳，通过金属外壳散热。Direct FET封装极大地改善了散热，并且占用空间更小，散热良好。

国际整流器Direct FET封装



3 H  R  {5 K* q/ M; m/ {  WIR Direct FET封装系列部分产品规格

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. q) R' O; G+ E/ ]+ v& V& A
7 c  P# G) @9 ~0 j  _% M内部封装改进方向
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除了外部封装，基于电子制造对MOS管的需求的变化，内部封装技术也在不断得到改进，这主要从三个方面进行：改进封装内部的互连技术、增加漏极散热板、改变散热的热传导方向。
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1、封装内部的互连技术

9 E% f6 B$ X. |- u. _2 YTO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊线式的内部互连封装技术，当CPU或GPU供电发展到低电压、大电流时代，焊线式的SO-8封装就受到了封装电阻、封装电感、PN结到PCB和外壳热阻等因素的限制。

* O4 N' x0 Q' ~# z5 H( c' P! R3 LSO-8内部封装结构
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这四种限制对其电学和热学性能有着极大的影响。随着电流密度的提高，MOSFET厂商在采用SO-8尺寸规格时，同步对焊线互连形式进行了改进，用金属带、或金属夹板代替焊线，以降低封装电阻、电感和热阻。
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标准型SO-8与无导线SO-8封装对比
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# X. t) h, ]1 R国际整流器（IR）的改进技术称之为Copper Strap；威世（Vishay）称之为Power Connect技术；飞兆半导体则叫做Wireless Package。新技术采用铜带取代焊线后，热阻降低了10-20%，源极至封装的电阻降低了61%。

9 P3 @& B- a9 I9 A: K# S国际整流器的Copper Strap技术
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威世的Power Connect技术

$ z5 F7 G) h8 m' ?飞兆半导体的Wirless Package技术
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6 P* p/ z, c. n! G2、增加漏极散热板

% E, r& j( x2 Q5 l' i  _1 M标准的SO-8封装采用塑料将芯片包围，低热阻的热传导通路只是芯片到PCB的引脚。而底部紧贴PCB的塑料外壳是热的不良导体，故而影响了漏极的散热。

技术改进就是要除去引线框下方的塑封化合物，方法是让引线框金属结构直接或加一层金属板与PCB接触，并焊接到PCB焊盘上，这样就提供了更多的散热接触面积，把热量从芯片上带走；同时也可以制成更薄的器件。

0 K( _2 y7 g" }; z7 H3 R  B$ t1 P威世Power-PAK技术

威世的Power-PAK、法意半导体的Power SO-8、安美森半导体的SO-8 Flat Lead、瑞萨的WPAK/LFPAK、飞兆半导体的Power 56和Bottomless Package都采用了此散热技术。
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3、改变散热的热传导方向
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Power-PAK的封装虽然显著减小了芯片到PCB的热阻，但当电流需求继续增大时，PCB同时会出现热饱和现象。所以散热技术的进一步改进就是改变散热方向，让芯片的热量传导到散热器而不是PCB。

瑞萨LFPAK-i封装
) A0 D. i4 L- u+ O9 C0 a
) k5 y- ^/ q) m/ l4 j瑞萨的LFPAK-I封装、国际整流器的Direct FET封装均是这种散热技术的典型代表。
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$ ^  e+ O+ m* t8 s  g  a5 X& k总结

未来，随着电子制造业继续朝着超薄、小型化、低电压、大电流方向的发展，MOS管的外形及内部封装结构也会随之改变，以更好适应制造业的发展需求。另外，为降低电子制造商的选用门槛，MOS管向模块化、系统级封装方向发展的趋势也将越来越明显，产品将从性能、成本等多维度协调发展。

, Z4 Y& L  _4 T! s# H) ~而封装作为MOS管选型的重要参考因素之一，不同的电子产品有不同的电性要求，不同的安装环境也需要匹配的尺寸规格来满足。实际选用中，应在大原则下，根据实际需求情况来做抉择。
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有些电子系统受制于PCB的尺寸和内部的高度，如通信系统的模块电源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封装；在有些ACDC的电源中，使用超薄设计或由于外壳的限制，适于装配TO220封装的功率MOS管，此时引脚可直接插到根部，而不适于使用TO247封装的产品；也有些超薄设计需要将器件管脚折弯平放，这会加大MOS管选用的复杂度。

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MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(SuRFace Mount)

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DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上

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技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。