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一、引言 随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。 那么,什么是小间距QFN封装PCB设计串扰抑制呢? 二、问题分析2 X0 h2 @4 a" I6 x# W
在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图1是一个0.5 pitch QFN封装的尺寸标注图。
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% h8 \# T* S. [ w2 `图1、0.5 pitch QFN封装尺寸标注图
) b2 j" v* x; x& X; T- N$ \1 c图2是一个使用0.5mm pitch QFN封装的典型的1.6mm 板厚的6层板PCB设计:
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- b( R V3 i5 a图2、QFN封装PCB设计TOP层走线
8 V7 p7 L2 r& {3 j1 y, K3 l差分线走线线宽/线距为:8/10, 走线距离参考层7mil,板材为FR4.![]()
* {# o5 Y7 E* u4 r% g8 E图3、PCB差分走线间距与叠层
6 Y2 j* Q# _( A+ k4 }6 C! C, G从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分 对间的串扰增大。) E2 P. P+ F n' z
图4是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。
% Q1 [" y2 l0 h/ b ) ~3 h/ e$ {; z& Q E+ |
图4、差分模式端口定义及串扰仿真结果
; [: h8 t8 H# L+ w从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。 三、优化方案分析0 a2 N R# o0 L
对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。8 Y$ ?1 _+ B! H
图5是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例:
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! u1 n+ A% N a* s1 Z4 I图5、紧耦合差分布线图4 K( v1 ?3 s( ^0 D
图6是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果:5 ` v; I" B( H
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2 \+ F0 z v* q+ r1 u& A图6、紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果* y8 U2 m& n# ?
从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。
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