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一、引言 随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mm pitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。 那么,什么是小间距QFN封装PCB设计串扰抑制呢? 二、问题分析" R- s) P! K! p8 ?
在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图1是一个0.5 pitch QFN封装的尺寸标注图。
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! G, F( _* u7 l: c2 \- r. U图1、0.5 pitch QFN封装尺寸标注图( |( Y1 f! w I1 F% P
图2是一个使用0.5mm pitch QFN封装的典型的1.6mm 板厚的6层板PCB设计:
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图2、QFN封装PCB设计TOP层走线
! N5 P( ]5 s% E j差分线走线线宽/线距为:8/10, 走线距离参考层7mil,板材为FR4.
7 x! V) M7 @; V6 w9 K图3、PCB差分走线间距与叠层2 }/ Q1 Z* t. X$ H" j
从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分 对间的串扰增大。
; ~0 m( @0 R7 f. e5 y' y图4是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。
& _7 a* s1 O+ G" x: G3 O: ^$ m7 R# O- M" v" o$ ~4 M ~
图4、差分模式端口定义及串扰仿真结果$ j5 W5 g& Y: z. V9 _, Q: N
从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。* }8 \- |/ Z) c6 q0 C! ~. G
三、优化方案分析
0 t l" G: t! W$ \( q) C对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。
) ]5 Y7 B( c5 Y1 I& \图5是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例:7 [% R! R& B2 Z! p( t; f
' B( w0 B0 v @; R' v* G/ H: W7 s图5、紧耦合差分布线图& z/ {, X$ N+ {$ B5 p2 u8 q7 v
图6是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果:
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% p6 m$ S, b2 ~图6、紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果/ t3 A- u0 p: E$ F4 s
从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。
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