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1.开启电压VT
0 @/ k0 M$ Y0 m" p1 O/ E·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
1 M& W% A% e! c- R- n) H, M$ o·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；* ?' z6 P+ [4 D& C1 j4 p
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。: Z7 i6 G9 U7 j$ Z U
2. 直流输入电阻RGS3 N n5 N: G0 E$ p
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比5 d9 q! w9 y1 R# O( p
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
5 m6 ?& s# [- t% o9 J·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3 g4 S% J1 [" W, \4 r# D
3. 漏源击穿电压BVDS. \3 r" H1 \! d- }- ~; {' [: H
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
, B) j7 _4 k: ]# o5 @! Q9 }·ID剧增的原因有下列两个方面：) x/ o8 @* x0 a/ C( J. M
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
2 k0 U6 g0 B2 q3 r5 {) O: }0 P（2）漏源极间的穿通击穿3 L2 [* ~0 C; O, ]) g4 I
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID, h+ ^5 W+ h- _+ `3 j
4. 栅源击穿电压BVGS
* }7 M5 K, f1 v; i `·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。4 ]5 b+ g' f0 {4 w9 f
5. 低频跨导gm# a! w& g y4 G2 s! n, P- n
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
* \3 S. E* | ]2 P" t- _9 R* L·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
& w; u' T# q1 o b( m9 T' P. |, {·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
4 \& V, B. r/ Y( V( B2 d9 S: L·一般在十分之几至几mA/V的范围内8 ^& P% I4 k5 E- Q+ }% `$ l! V
6. 导通电阻RON( ^, ~7 S# k' S* g' K- I/ _$ ?
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
9 d; B8 y( M# f& A9 h. w; t·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间2 L n8 r+ u3 l$ d
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
& |; @! x w6 ^ g, N·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
! A4 V* u9 c9 Z @. Z: c$ G8 b* T4 X7. 极间电容
, I8 s: }. o! i/ j( V% o·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
0 E7 _/ z k* c& ]. j·CGS和CGD约为1～3pF! f: D: v/ e& I! w" @& {
·CDS约在0.1～1pF之间( p7 ~# g i# k; C
8. 低频噪声系数NF
# p, H/ B9 f+ O2 k1 C" u+ C+ \·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的1 ^8 ^: ]- T/ Y! B, f
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
) c$ k' T+ _8 O+ v; _·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）5 Q& p6 ^5 A% Y# }2 E7 z- b
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小2 B- \' A# N g* V
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数6 |! o# [: \' U
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
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发表于 2021-12-13 09:46
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