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1.开启电压VT
/ R: T) S0 O8 o8 P& [·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；* q* A3 _+ v# I( c% Q) A; S
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
, v9 m" I9 h9 v; B! U·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
9 {7 n6 x- h0 }0 Y2 J% A4 R2. 直流输入电阻RGS/ O4 g- {/ a2 t3 G: h* p
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
2 ~! Y: _6 f/ v7 d$ q4 w·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
, v7 C+ @0 w4 o* W7 A* [5 R- O3 k, w% @·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
$ d5 S& y& I* |( Q3. 漏源击穿电压BVDS2 L- s$ ~: Q+ A- S, D" o* V% \$ ~) C
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
; t5 {0 }! M, T% t* r# D0 `& A5 Q·ID剧增的原因有下列两个方面：
( j9 N, E' g5 j1 L% S$ T8 E（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿, t0 Y) d8 S5 W/ X
（2）漏源极间的穿通击穿9 u, K) f7 X7 } Q- ^
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID* v1 x4 N, R8 m$ {, A$ {0 C9 k$ Q
4. 栅源击穿电压BVGS
( u$ _6 O$ U" M$ h& K# I·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
$ O- K* V7 W" J' ^2 Z/ X( |5. 低频跨导gm9 Z# _/ g9 |4 k0 T; Z
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导: [5 X+ w: P5 X8 i4 b+ B
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
& H. [4 R7 x5 M4 @% l·是表征MOS管放大能力的一个重要参数0 h4 e+ g, \. ^9 ~4 H5 C
·一般在十分之几至几mA/V的范围内. w1 e+ v$ t; p" c+ E/ }* e5 E
6. 导通电阻RON9 }3 }7 U! u" Z, s& w
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
3 O9 e7 A/ Y) N: C0 O* U·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间; {+ R+ h0 |( `: B" G+ L
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似; j: y3 e6 e$ Z! s
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内/ [6 s3 L5 G' F- V
7. 极间电容7 u( A# W5 I$ l" e3 J
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS, r, }5 R* }- `$ s+ E9 S2 K( V, b
·CGS和CGD约为1～3pF
; Z- M m* n) \6 J- z·CDS约在0.1～1pF之间
: I9 J. Q8 S- A0 Q8. 低频噪声系数NF
4 W. }. P6 a7 K/ w0 R·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的" i5 x4 u) a, W' ^1 Y
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化5 @7 w" P* z" J5 {7 @$ U5 [$ j
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
- v+ h+ f9 x5 h- _3 ~( o3 |( Z) k·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小* r3 h) }) ~! t5 w
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数/ ^$ M7 l3 i5 y' O. V! F
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小* [* j2 M6 j: R: W" T6 C9 R
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发表于 2021-12-13 09:46
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