TA的每日心情 | 慵懒 2022-1-21 15:20 |
---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。
* C3 p% n2 i7 {# Y+ ?$ h' f0 o0 O7 } ?, Z: ~
1、温度导致失效:
/ m4 u: B% n( ?2 ?# [# m# R- h* C# ]& E. T, S; t/ X
1.1环境温度是导致元件失效的重要因素。
8 w- s+ [$ S+ z+ }: b9 Q5 y) d, i! Y9 {# P" d. d, N
温度变化对半导体器件的影响:构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感,当P-N结反向偏置时,由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响,其关系为:$ j0 \+ p1 D, p% D' g
! `( f R* \) C' D; _温度每升高10℃,ICQ将增加一倍。这将造成晶体管放大器的工作点发生漂移、晶体管电流放大系数发生变化、特性曲线发生变化,动态范围变小。/ r$ q# C. `6 t7 p
1 G+ k1 u3 P" _# ~! n4 J' ~温度的升高将使晶体管的最大允许功耗下降。
, S9 p# h7 x0 [# r1 X, k' w6 J0 \8 V, b
由于P-N结的正向压降受温度的影响较大,所以用P-N为基本单元构成的双极型半导体逻辑元件(TTL、HTL等集成电路)的电压传输特性和抗干扰度也与温度有密切的关系。当温度升高时,P-N结的正向压降减小,其开门和关门电平都将减小,这就使得元件的低电平抗干扰电压容限随温度的升高而变小;高电平抗干扰电压容限随温度的升高而增大,造成输出电平偏移、波形失真、稳态失调,甚至热击穿。
) Y6 H/ a5 k+ X: k' n" o
0 N' e& @( K! ?8 o" T2.1 温度变化对电阻的影响! H& `4 \4 k F
4 U, s/ J' M* q4 E( l# O+ f3 J9 O* v
温度变化对电阻的影响主要是温度升高时,电阻的热噪声增加,阻值偏离标称值,允许耗散概率下降等。比如,RXT系列的碳膜电阻在温度升高到100℃时,允许的耗散概率仅为标称值的20%。
1 O/ y$ p9 T9 Q! A/ m" D, P1 j) A Z
但我们也可以利用电阻的这一特性,比如,有经过特殊设计的一类电阻:PTC(正温度系数热敏电阻)和NTC(负温度系数热敏电阻),它们的阻值受温度的影响很大。: ]' v: A/ x; n7 u
t" W: C1 G7 {/ e3 A0 c. l对于PTC,当其温度升高到某一阈值时,其电阻值会急剧增大。利用这一特性,可将其用在电路板的过流保护电路中,当由于某种故障造成通过它的电流增加到其阈值电流后,PTC的温度急剧升高,同时,其电阻值变大,限制通过它的电流,达到对电路的保护。而故障排除后,通过它的电流减小,PTC的温度恢复正常,同时,其电阻值也恢复到其正常值。4 _, D f8 I T
9 G$ ?( w1 [5 z
对于NTC,它的特点是其电阻值随温度的升高而减小。- l$ m7 \' q6 h
% p9 n/ `& I$ a! G" r
2.2温度变化对电容的影响
2 ?- @5 S" f1 P2 w0 o1 h4 t5 H7 I! G' Q' M$ @3 `9 T% o/ x
温度变化将引起电容的到介质损耗变化,从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时,电容器的寿命就降低50%,同时还引起阻容时间常数变化,甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。5 y7 ~; p- S) l/ N% x5 B( h9 \
/ D3 W# R. w+ L3 M# ?. [; H& ^
此外,温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。, _. ]# O% ^4 x& l: H
. E) q: Y0 x, E9 R
3、湿度导致失效
& Y+ B: Y; D- [4 ?; e9 k t; T. K% x
湿度过高,当含有酸碱性的灰尘落到电路板上时,将腐蚀元器件的焊点与接线处,造成焊点脱落,接头断裂。" t/ m; w0 S3 s
, c% U7 u% q- B8 k" L5 o
湿度过高也是引起漏电耦合的主要原因。
w$ U+ P) q2 V4 R" ^! Z% \$ `" Y" m; N% W) n
而湿度过低又容易产生静电,所以环境的湿度应控制在合理的水平。
" d- K' M( }% b+ q5 r
w- U: t0 m3 I5 M- v4、过高电压导致器件失效2 \. |3 P; e0 k+ N6 d# K# o
2 ^1 N& b7 ?/ z: m" t施加在元器件上的电压稳定性是保证元器件正常工作的重要条件。过高的电压会增加元器件的热损耗,甚至造成电击穿。对于电容器而言,其失效率正比于电容电压的5次幂。对于集成电路而言,超过其最大允许电压值的电压将造成器件的直接损坏。8 @6 \; J, ?- O. ]4 M) |
% b# c. `* C8 M! u
电压击穿是指电子器件都有能承受的最高耐压值,超过该允许值,器件存在失效风险。主动元件和被动元件失效的表现形式稍有差别,但也都有电压允许上限。晶体管元件都有耐压值,超过耐压值会对元件有损伤,比如超过二极管、电容等,电压超过元件的耐压值会导致它们击穿,如果能量很大会导致热击穿,元件会报废。
1 A: z+ S& y7 Q2 |6 k* h
X6 ?# l* J# P/ E; T5、振动、冲击影响:
* W( X( m& N5 ^3 x! Y" Q
7 Z5 H q; \" g* j! S5 E- g机械振动与冲击会使一些内部有缺陷的元件加速失效,造成灾难性故障,机械振动还会使焊点、压线点发生松动,导致接触不良;若振动导致导线不应有的碰连,会产生一些意象不到的后果。# T5 k+ U+ H9 @! H. M
( v" e" ^, F3 C; ~ U$ T: L, c可能引起的故障模式,及失效分析。
) A# C1 Y) F8 H( U) N: ]6 Z T8 O
2 q8 \& w, C* K4 F; B& ~电气过应力(Electrical Over Stress,EOS)是一种常见的损害电子器件的方式,是元器件常见的损坏原因,其表现方式是过压或者过流产生大量的热能,使元器件内部温度过高从而损坏元器件(大家常说的烧坏),是由电气系统中的脉冲导致的一种常见的损害电子器件的方式。 |
|