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LLC谐振半桥电路分析与设计(2)

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    开心
    2021-9-7 15:01
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2022-1-6 11:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 Heaven_1 于 2022-1-6 17:15 编辑
    * H' L6 f& m( W: q# j! U8 M" W/ ~; L6 p' j0 Z& C% T" p/ f/ X* J6 T
    3.1 概述假设工作在感性区域只是半桥MOSFETZVS的必要条件(necessarycondition),并不是充分条件(sufficientcondition),因为半桥中点的并联电容(在FHA分析中被忽略)在转换过程中需要充电(charged)和消耗(depleted)。为了了解ZVS的工作情况,参照下图' ?4 B5 r' x6 `, }& k  a
    + q. l, \& L- Y, O1 i5 h

    ) Z' [& |, x2 Z# D
    ; ^, `+ `+ y' [" h7 H1 b  `1 y6 f$ {6 _* m$ v1 [8 E% S

    , k# E3 N3 T) a6 u其中存在两个电容,分别为POWER MOSFET的等效漏源极电容(输出电容)Coss和谐振腔阻抗杂散(stray)电容Cstray,因此节点N处的总电容Czvs为3 G* r9 l! V1 ^7 i) \
    & A8 I! G9 A% Q) V& N4 g

    + }2 f2 e# ]& j; U8 d8 f2 [9 T* P- V' p# |
    % Q) G, X! z1 h

    ) {0 U8 @2 Z& q" I+ I7 z公式33
    ! x; l' p" H4 ?/ K3 B

    ) ?* i$ y) B4 R* E  |转换过程如下图
    # W: `' F9 B: f+ V* @9 ~, N9 @
    ; q) V% C' y6 Y" o2 Y. n
    8 w* T/ a1 I( |0 E5 c4 s
    5 d; x& Q+ E* j6 i! X7 L) a2 J- q
    & _4 Q! ]) p' Q1 S8 e

    # \8 _7 d' r: V) J/ |) p0 O& p3.2 ZVS充分条件
    ' y5 g7 o, `1 Q& l2 B+ n% C& J! f
    6 I+ E: U( O! g3 \! K1 C
    为了达到ZVS,在两个MOSFET轮换开通之间存在死区时间T。由于工作在感性区域,因此输入电流滞后于输入电压,当半周期结束时,谐振腔的电流Irt仍然在流入,这个电流可以消耗储存在Czvs上的电荷,从而使节点N的电压降为零,所以在另一个开关开启时为零电压开通。在半周期结束时,谐振电流腔中的电流必须可以保证在T时间内,将Czvs的电荷消耗完,这就是ZVS的充分条件,临界电流Izvs为# t1 V6 H' G2 i) m

    % {- |+ \' D& [0 F7 e. r
    2 k' F* J, [1 s# Y5 e
    - G' n5 J1 D0 L) Z- O/ ?: f7 e! k! U3 v: m

    5 D5 H9 L4 u  H" L* m公式34# J% L4 M- C& R6 t' r* e
    , r: v9 x8 E5 {0 w% ?! O# ~8 L% @
    这个电流等于流过谐振腔的无功电流的峰值(90度异相),这个电流决定电路的无功功率% x$ U: o1 Z: i% c" L* K: w

    5 y0 E3 i( R- Z0 N* ~9 V$ |
    ; @$ c, y# @8 r0 k& D) _3 T, A8 U! G5 Q! [/ ^: n3 W- _
    & o* b$ B3 W' n
    9 G) q# b2 M1 a, {6 r' D  _
    公式351 ?& o' K, n$ h3 u( \( b4 V
    2 g7 q, J! m2 j* E# B: P1 H9 `
    而有功功率的输入电流Iact9 B2 `# E$ X$ S& r2 g6 R; x) e

    % w: g; Z; E0 V0 v- w/ A+ |# e1 A# g

      `/ f" B& |  H* p" d
    3 i, g$ ]3 ]0 M- ^: e
    # D. K) @' i- {! u& a+ b公式366 @' j% U+ N4 m3 _1 f& l. ]
    : m3 u; ~/ ?8 a. [  Q7 y5 t
    所以输入电流Irt
    1 b; C+ x9 V4 a6 Y$ S
    4 Z! J; C3 h* ^. Z

    : k$ W. q$ [, ?( Q8 b& m# P5 n5 F! Z9 v" ?2 t" i9 [" X

    3 H5 c8 g/ j8 y' n+ ]: T% I/ M, E( v- s( v& \6 @5 E8 r
    公式37
    + l; H  w( B; R4 ?
    谐振腔电流滞后电压的相位Φ(工作点的输入阻抗相位)' K1 q7 l, l) g0 k

    0 V5 e5 ]1 R( U# G$ n4 `7 k
    9 o5 ^- Z( `+ D# F6 U  o* e7 X3 b) P$ k: w9 g' [, j

    , M7 P7 d* H! k: M8 \) Y9 f6 M9 _2 j" Z* H" Y7 W, T
    公式38
      U$ H7 d- N7 Y: I9 G# j0 p  t

    ' d/ s. |& }9 o3 W: R9 B8 L因此我们可以得到整个工作区间内,半桥POWER MOSFET ZVS的充分条件(sufficient condition)的相位判定! B. o, K; E7 _2 F& E( x7 M  _
    - D. q  y5 o% L3 F6 E" M
    + h4 X, |8 ?; O. w6 T
    2 L3 `# x8 e9 H  C
    9 {  e6 o# }# f

    , N# e' f& |( x+ X
    公式39
    ) K" e7 @! F3 n5 _$ a

    8 f+ k" `) M/ P4 V% e# r, A3.3 通过选取Qmax来保证ZVS的实现
    5 ~/ Q$ [0 h1 v2 k
    $ X1 R/ H3 F0 H$ C1 |: b6 e
    满载条件下的Qzvs1求tanΦ对于解出品质因数(满载,最小输入电压,最大增益,最小工作频率)并不方便,因此我们计算Qmax(最大输出功率,最小输入电压),此时输入阻抗为零相位(由上边关于Qmax的描述可以看到,Qmax是在Zn虚部为零的条件下得到的,即相位Φ等于0,而零相位则无法满足ZVS的充分条件,也就是说半周期结束时的Irt不会大于临界值Izvs),所以选取(5%-10%)的差度,保证相位Φ不为零:' _- m! V; ?" }$ Z2 N% P, a) Y& i

    & r- w' K; E- w7 `0 t" d8 _$ C9 f2 f. T6 [# {5 c
    ; ~( c* {- J" Z1 U5 G+ Y
    8 w  j% R: ]7 S
    0 E. O; ^+ ]) ^0 c" \1 L, s: G0 R
    公式40
      w7 Q5 ]6 f  w, S/ F9 O
    " t! x0 V+ {: i5 s- G: m: [/ v6 t! P
    从上式得到的结果要验证是否满足tanΦ的条件,不满足则需要重新设计。空载条件下的Qzvs2当然,ZVS的充分条件需要满足空载且最大输入电压时的情况,这样,满载时ZVS的最大品质因数增加了约束条件
    6 \/ F( e6 s8 P
    0 ?. G8 C3 C3 R/ `8 u
      h% r  x6 a  X% _" O" g, i8 Q

    / O0 ^: c5 s( l3 v7 M! A, E. O  G& Y
    : n/ ^- ]3 J& F8 j" L9 d

    + j5 ~; |! G0 i- {9 D
    * U, O. ^6 H: n2 t$ J6 t

      v% m$ K9 x/ @! x4 C。空载时,Q=0,所以0 x) b  n. j& F8 K# s5 w) e
    * t- ^5 |% d. g9 o  d
    # N) D7 ?8 T; K5 t; ~+ a; t6 W. [

    + }9 S* G' i9 t; c1 j# N
    ' A& z, k; v; u, y7 Z' G: w6 ]4 g
    公式41

    , _* W; j$ \. A+ O7 R
    1 g9 e2 d' S0 ~1 Q. |
    % z+ M7 f* y9 v0 K3 Z

    3 z9 o: }3 n7 V- m' q! a+ c
    * a4 {2 \7 R: O6 J& J* i5 I( d8 d/ {

    - p. W$ Y4 r# t0 ]- r
    % X, N4 ]+ b2 `& t2 g1 f
    公式42
    2 U9 b% u2 }/ U& X
    ( ]$ Y$ w- Y9 {
    由ZVS充分条件知
    ( V) A% g% D3 Q& u

    . ?! v+ N8 L3 R; i
    " W+ N- P/ P5 M+ W$ a; ]& W5 O
    % {5 j6 e" a5 m9 X: \6 [, f/ |) A" [  C5 F
    5 D  }5 N5 e+ r' [4 \" X0 F, N
    公式43

    ! N5 Z1 T. I. k0 f. D# r; L, Q

    7 S. \& R; b! b3 q将上式简化得到空载且最大输入电压时的品质因数0 J# k# x: b" ?0 R. l: H! o2 I, Q

    ; N* ^: P  c3 O) c
    9 R+ f! _" m3 s! o* ]
    2 Q& N& ]/ @1 {$ _
    , A% @6 y! M  i) K7 r
    1 Q0 U. i4 A, n9 e
    公式44

    + Y+ g# s4 p% Q) t8 ]* p! z
    + v/ f4 |+ A1 B* X5 E5 R
    因此,为了确保在整个工作区间,谐振腔可以ZVS,必须满足最大品质因数Qmax小于min(Qzvs1,Qzvs2)过载和短路条件时的工作情况(Operation under overload and short-circuit condition)
    3 V- ~0 A/ `8 B3 v

    ) P' z, S6 a- ^& Q7 `' ^5 l+ ~7 r* x% ~  v3 }1 m
    / a7 ^) Q* |3 m4 \% l, Z( I7 E0 G6 o

    : k$ v4 Q  c6 K1 J, d9 p# K/ d: P1 X9 `$ d5 v- x5 ]
    参考上图中的电压增益特性,假设谐振腔被设计以最大输出功率Pout.max工作于感性区域,相应地,Q=Qmax,并假定输出电压相对输入电压的增益大于1,如图中M=Mx 当输出功率逐渐由零开始向最大值增加,相应的对于不同负载的增益也会逐步地从红色曲线(Q=0)进入到黑色曲线(Q=Qmax)。控制回路会保持M始终等于Mx不变,因此静态工作点(quiescent point)会沿着M=Mx的水平线移动,相应地,水平线M=Mx和Q值曲线的交点的横坐标就是不同负载条件下的工作频率。
    2 T6 ]: B9 o/ F, I( J* w  Y

    0 R# h* ?9 n+ `1 U; u如果负载增加到超过最大规定值Q=Qmax,最后转换器的工作点一定进入容性区域,此时将会出现MOSFET硬开关,如果没有矫正措施则可能会导致设备故障。事实上,如果Q相对Qmax足够大,与M=Mx的交叉点将会出现在分界线Mz的左半平面,即容性区域;如果Q值曲线的正切线超过M=Mx,工作点将不会沿M=Mx移动。这意味者转换器将不能保证输出电压的稳定,尽管工作频率会降低(反馈反转feedback  reversal),但是输出电压仍会下降。限制最小工作频率(M=Mx与Q=Qmax的交点横坐标)并不能阻止转换器进入容性工作区域。事实上,当工作频率到达最小值时,如果负载继续增加,则会导致工作点沿着垂直线分f=fmin移动,最后穿过分界线。限制最小工作频率只有在最小工作频率归一化后大于1才有效果。所以,考虑到输出端过载和短路的情况,转换器的工组哦频率必须大于谐振频率fr,以降低功率吞吐量(power throughout)。
    ( @4 \* ?" M" z: w4 p% |; c. B
    # |7 p5 H$ i$ L9 r* d: i: e* _( `; K
    值得注意的是,如果在一段限制时间内,转换器规定传输峰值输出功率(输出电压稳定必须保持)远大于最大连续输出功率,谐振腔必须以峰值输出功率设计,确保其不会进入容性工作区间。当然,热设计则可以只考虑最大连续输出功率即可。无论如何,不论转换器被如何规定,短路或者一般的过载情况(超过最大谐振腔规定)都需要附加手段处理,比如限电流电路。磁集成Magnetic integration LLC谐振半桥非常适合磁集成,比如说,将电感和变压器集中到单一磁性设备。这可以很容易从变压器的物理模型看出,显然可以看到与LLC电路中的电感部分类似的拓扑结构。然而,理想变压器在二次侧存在漏电感,而在前边的讨论中都被忽略了。为了将二次侧漏感的效果考虑进FHA分析中,我们学要一个特殊的变压器模型和一个简单化的假设。众所周知,由于模型中理想变压器圈比的选择很多,因此对于一个给定的变压器,存在无穷多种电气等效模型。对一个合适的“等效”圈比n(显然不同于物理上的圈比nt=N1:N2),所有与漏磁通相关的元件都可以等效到一次侧。这种等效模型称作APR(All-Primary-Referred),即所有参数都等效于一次侧,该模型满足FHA分析。通过选择n可以得到APR模型:
    - T3 D7 k( ^5 f" j
    . m( j! j, X1 S8 M3 c" P$ {
    / g! I% W+ v: a
    + [# [# D9 V( D8 e% O7 x% G. k9 a

    . n6 `" ?; a7 R* G. B& h
    2 R: G7 A9 {: G0 z5 Hk:变压器耦合系数coupling coefficientL1:一次侧绕组电感值L2:单边二次绕组电感值
    0 f( _; F( c6 r: \) G( c4 r4 m. S5 Y

    8 b; z& q$ u( B  L% p$ W注意:(1)Lr仍旧保持了物理模型中的意义:短路二次侧绕组时测量得到的一次侧电感值3 `4 t- e3 S' J8 e

    ) a0 G8 b4 b1 ~9 ^4 c(2)一次侧电感L1不可以改变
    , C8 L# M7 s+ T9 u( a7 s" A

    ! V. J& k+ a) U1 O0 l% R! l两种模型(physical model and APR model)不同的地方只是在分割方式上,因此L1与Lr之间的不同点就是Lm。
    0 \" G+ l" s3 W: f/ ~; ^- C
    . `$ n, Q% A$ j9 w
    最后,倘若这些参数通过等效APR模型阐述得到,以上所作的分析可以直接应用在现实世界中的变压器。反之亦然(vice versa),基于FHA分析得到的设计流程将提供APR模型的参数;因此,必须增加步骤决定物理模型中的那些参数。* g- Y7 R, f* I# |1 d5 t0 ?6 g1 I+ ^4 [
    - _9 p5 K! u* X$ T
    尤其在计算圈比nt(physicalmodel)时,由于Lr与Lm与现实世界中存在联系Lr+Lm=L+Lμ=L11 q: q7 g9 f: l0 j& \/ b

    , A/ G6 ^6 o8 E2 ~* d$ }在物理模型中,问题无法在数学上得到解决:因为含有5个未知量L,Lμ,nt,L,L;而APR模型中只有3个参数:Lr,Lm,n.克服了该问题的假设是建立在磁路对称(magnetic circuit symmetry):假设一次侧和二次侧绕组的漏磁通刚好相等。由此假设可以得到:
    " A- t2 @( v4 d; E+ T, g" ]4 m
    : F$ I- {4 _; h* W5 \- e/ M
    ; [% K# x0 ]* f0 B) S

    - e: k* ?, c) B) e' A) ]7 B# s" O0 W- i9 b6 |6 i# n! B* b% b
    % C) i# l- j# [4 P4 w* `; x
    8 `, T9 u( x% V2 F$ Q& f; L
    $ a9 ]) f3 _" K: r' `
    7 o& g. T' x: W* D

    / X  \, e3 P) k& s7 G+ R: D# `, K6 U/ C' I, p

    & N6 G) O2 H# j/ M

    " u0 L# d0 X" {) M7 Q9 E: b1 {! v
    ! u- F6 J* O. C) x2 r$ k' |6 }4 G/ h5 R

    # [6 B0 x" {. g: j& i7 }8 f* x4 m% u7 s2 I

    : O: E) H: o3 |! U; I. W1 D6 s9 `" `  `# i7 Z6 y2 V- H  T1 p

    3 u2 _1 c* c& G+ x0 O+ a) M+ y0 b
    * L  h1 |- d2 k" x; Y3 a) B' z; j: U) o- e
    0 B1 X3 z% m0 u: h5 K& y

    6 ]9 _. K% [* l' n, V% k+ A5 ]
    - E6 b) q+ {1 m$ p# g4 X

    3 w6 q* `$ M% b& [2 H# f6 y# z6 u' I/ k0 U5 o7 [4 P

    ; ^- B4 A& h6 B: z' D' k" M7 Z8 y2 d) r

    $ `: {9 U6 Y% l, D8 h5 g  E) ^设计步骤
    " k" q; {- H/ Q
    - L  J8 q: X5 n7 U/ |6 {
    3.1 设计规格输入电压范围:Vdc.Min-Vdc.max正常输入电压:Vdc.nom输出电压:Vout谐振频率:fr最大工作频率:fmax启机频率:fstart3.2 附加信息节点N 的并联电容:Czvs死区时间:T3.3 一般设计准则准则1:转换器设计工作在正常输入电压(nominal nput voltage)准则2:转换器必须能够自动调节,当输入电压最大且零负载+ _% @/ E- |. ?1 [) X% W

    0 g+ D: q: l7 _$ w0 U$ B3 X准则3:转换器必须在一直工作于ZVS区域8 c8 B8 A% c: `+ w0 ], m7 @

    3 A# t% i" X; D3.4 10个设计步骤+ Q6 j! l* W: p8 @/ g  T) _5 M$ B9 p1 H
    $ ^. D+ X. [0 W
    由准则1知,设正常输入电压下,谐振频率点的增益等于1,计算变压器(APR)圈比:6 h: R( y- k( o8 a# A0 O3 Z

    % a8 M, h$ S+ a8 |* x& b
    ( \/ f+ Z! ?' }1 p( E' R# k' x, P+ q
      g2 b3 I( M& X3 u. r
    7 c0 P2 X% ~5 ^5 ^4 P' _
    分别取输入电压范围的极值,计算最大与最小增益" A# ?0 t. P$ V) f3 b  J) \

    & K# ^$ k4 ^# R/ J* k, K  S
    ' s2 F! i4 D# ~' g+ [$ C, \
    ( R; E% i: `7 l, ~0 F
    2 H+ Z8 g, o) l% H8 }+ U; e% u6 D( j' l
    按照定义计算最大归一化工作频率  z7 T% o/ C9 t- S0 Y; L% h

    . W8 z4 n/ E0 j: h& ^5 t2 y: m; @0 p3 z% T

    # q; U. U2 j" [( {
    9 c3 ]. B# m. o( E8 v$ j" l3 I* L  U, O! V2 Y8 J
    计算反射到变压器一次侧的等效负载阻抗
    9 O; d) r7 Z, W3 b

    . g  M* B9 ]1 z4 ~/ u
    ; o- X  C5 P7 H+ E0 E. n& }7 z$ z( G. M. f1 l' K: U/ g% A
    ; k0 F; ]* i& Y* l
    ; T$ f/ e# Z2 Y: l+ v9 b  @% t
    计算最大输入电压,最大工作频率,零负载条件下,电感比值λ, |( b2 e; i0 C: Y3 f

    " u$ M' U" S  j# K
    & C# m* E  m; U% M# U+ }+ ?6 U1 P) n" Y+ k% u

    4 q; }/ j* \1 l; D$ O; d5 Z; f8 \# A3 Q! |* R( D
    计算最小输入电压,满载时,工作于ZVS区域的最大Q值(选择90%~95%)! x% O' X) w2 W- C$ J- K  B7 Z. F

    2 d. c9 r( J4 i' ?# Z
    , f& D2 g7 Y2 R/ W) ?
    $ ]: n1 d" g. G  Y! `5 ?
    . \6 O+ J4 x$ t9 q' v( b. x" A* n! U  a" M
    计算最大输入电压,空载时,工作于ZVS区域的最大Q值% J- _3 L* f3 m

    # E, n+ }' R" T0 ~" c" a- S+ W! R, d6 O1 j6 ~7 t

    0 n: c% t6 u8 Z7 P' N( Q" X0 c
    : `6 R) j1 R, w" I4 l2 U( I3 [
    其中6 t5 [6 B3 F) o* D

    / Y+ H4 G1 d7 q: J; o# i, o: y7 t$ C6 R9 O6 n6 G( j& Y
    $ o  Q6 u/ v) ]: T
    % B7 x# A, B. a4 B' x- l

    4 d# k4 d$ I9 C选择整个工作范围内(空载~满载)可允许最大的Q值,即Qzvs
    ) a) W0 m% q7 z% k  k& k6 e

    % S8 l8 R2 Z- b! h  v9 D9 h2 K$ J& b6 m$ c* b; f' X

    + m& L3 y3 V+ U6 l* f+ \9 {" t
    " ]7 c/ I! w2 Z) _; H/ }, g# C  c, \3 N
    计算最小输入电压,满载时,最小工作频率
    4 C9 H) |$ m& U/ G( C
    ( ]! U% t7 ~' l* N" G6 C
    4 f, U) F3 P+ L" X# Z4 @' H

    + Q1 z3 I, b$ s8 F4 i$ e$ J5 u) z6 T

    6 ^+ f% W) ^5 W! L$ A2 N1 W计算谐振腔特征阻抗和所有的元件值(Lr,Lm,Cr); ?* L% R/ B* B
    8 r/ h% d* q' l
    - q6 S7 N4 {  r& _7 X! p# v6 O* q1 F

    ) V8 M# G0 U7 M7 j- C
    ( u: U" ]* U3 ]" F& u
    4 {8 a0 e; ]* }( I9 G% K) E; |( C! s
    / @: b3 ]: q0 e9 y- s  P$ N6 |

    ! S$ k4 F! r" B/ [2 \8 V" L  ^3 n

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