MOS管主要参数如下

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1.开启电压VT
3 u8 c8 i, y+ s7 G" X" z" H·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS
8 x# F/ ~8 p. {; M$ ^·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
8 t( i7 p0 \0 ^8 ]·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
6 R! S7 x; V5 O- Y, Y) a& C·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
4. 栅源击穿电压BVGS
: [. W  o' G7 z1 ^& |' o; C·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
/ ?+ u( a" X% n* j. A; V5. 低频跨导gm
1 D+ J+ z) G' i·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
$ b. A# i! q# C0 Y7 a) @·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
1 `3 ]# i; G5 \6 O( J4 O+ s2 s·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
6. 导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
+ x9 a! M3 ^$ f5 Q·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
5 R; G/ w! g9 J·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
2 [. n$ g  ?+ V+ m: q" n. J7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
7 k9 G8 M5 v0 N/ S/ f·CDS约在0.1～1pF之间
. L- f( V- [$ W' U6 m5 w* u( }1 i8. 低频噪声系数NF
1 G* {( s3 J/ e2 Z4 L9 ]·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
0 l2 j+ J0 X/ _3 x' y/ X·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
; s) O+ Y6 x# L% x, i·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
4 w. ]! A1 J+ |. u8 d8 a·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
  p& d( q2 o6 G3 |0 n·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

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参数还是比较完整的
2 i9 M9 l" Y/ o2 s6 F/ F

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比三极管的双效特性要小
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噪声是由管子内部的载流子不规则引起的