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1.开启电压VT$ s- ~: A y5 Q
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
/ ?, A9 w4 \4 V, L( U·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；, O5 n7 b5 F: @ u: i7 s( A4 Y& N1 N
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
n6 |8 u1 |& x2. 直流输入电阻RGS
% V7 x* [( o* i- E! n- @9 Z$ z·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比5 D I! o2 E$ Z8 x4 L7 s9 k, |, }/ z3 _; l
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
/ T2 R$ m; |1 |·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
& e4 D; G: J8 d' s- ?4 a3. 漏源击穿电压BVDS+ B" N* T6 o" ~/ A5 t
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS0 ^, S$ L6 H# {7 Y
·ID剧增的原因有下列两个方面：
# L+ L3 A- \2 M/ _. D9 G（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿- ^5 h7 A" X" x( I
（2）漏源极间的穿通击穿 }7 }9 A0 E9 i- S7 g
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
$ M$ L+ q9 Z0 N) y/ H4 a) `4. 栅源击穿电压BVGS2 r/ n+ A& t( _- Q0 m. ^
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
) K9 {( e3 A/ z) a5 P5. 低频跨导gm- g. A& B) v2 Y" z
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导9 \5 D5 [! K" P, J0 Y% v
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力$ P! j2 I! e P# h5 p9 ~' X
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数/ u5 {8 _9 s3 t( }+ ?: Y5 M/ m+ S
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
2 V: {( s/ m/ O% {# F: y# o$ t4 h5 p6. 导通电阻RON. d$ [1 j& b1 y6 H# l" C7 B* ^
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
0 e7 s( c1 J7 k·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间6 U" P: z. v- d# H7 K
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
5 k% N+ Z4 v. y2 N·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
- h& u: |5 V0 k5 ^7. 极间电容+ f* G" i) I+ p) R0 V& E) {
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
2 Q* d* B& j! d, n·CGS和CGD约为1～3pF3 b3 z! G4 q% j8 V, B
·CDS约在0.1～1pF之间
3 }$ ]; e/ J q0 T: g' @' g$ k8. 低频噪声系数NF
$ b! A0 o' F# b6 q% ^+ \·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
( S0 B' a9 h' n2 @" l6 p* b; Z·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化' ^8 X, `3 X. ]! s$ W) A9 a
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）* M1 g3 e2 m" ] \/ V
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
1 d& z. x4 K* m; ^% J·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
% A/ |6 K$ F+ Z1 a& V! E7 w·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
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发表于 2022-1-17 10:19
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