MOS管的闸电流(Qg)是什么意思

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公司中MOS现在用得比较多，有何知识点不太懂，请大神指点一下MOS管的闸电流中的“Qg”意思是：
6 `( a; p4 y; u0 ^# A4 s" G3 J7 X

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MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。

八戒爱电子

MOS管的闸电流中的“Qg”意思是： Q----表示电荷量，g-----表示栅极。Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。
+ Z, X/ i, Y; m. ]/ N# y- S( P# ~
MOS管的栅极特性相当于一个电容，电容是以电荷量Q，单位库伦表示所储存的电能量。
* g5 q: [7 R. \- w2 w
5 U1 X0 R5 Q4 z' ]- Z+ i* O4 ^8 nMOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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在电压一定的条件下，电荷越大、电容越大，这是动态参数测试的理论基础，理解Qg很重要。

芦根苏木

Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量
; E; `  V$ E( u1 l0 Q8 R3 N

八戒爱电子

hgaj 发表于 2022-1-17 16:40
Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量

3 Q1 L. }  a3 k5 S+ Z/ M, ^4 G是的，是的，就是电荷量的意思
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