MOS管的闸电流(Qg)是什么意思

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4 l8 Q) ]) d% G& r* [公司中MOS现在用得比较多，有何知识点不太懂，请大神指点一下MOS管的闸电流中的“Qg”意思是：

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MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。
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八戒爱电子

MOS管的闸电流中的“Qg”意思是： Q----表示电荷量，g-----表示栅极。Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。
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MOS管的栅极特性相当于一个电容，电容是以电荷量Q，单位库伦表示所储存的电能量。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

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在电压一定的条件下，电荷越大、电容越大，这是动态参数测试的理论基础，理解Qg很重要。

芦根苏木

Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量

八戒爱电子

hgaj 发表于 2022-1-17 16:40
Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量

( G" k5 q0 t# F0 s% n是的，是的，就是电荷量的意思