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常见的集成电路封装汇总

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  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-2-18 11:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    1、BGA封装(ball grid array)5 P( H2 y# @3 k& w+ a" {2 c
    ! N6 S' s9 @' {8 r
    . r7 q% p: p, i/ H" V; V0 s
    球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。5 ^- T3 O$ a0 s) G' e8 s
    9 T3 p7 h% H6 F3 R2 \& [  {' Q0 o

    3 ?0 R6 g" `2 G0 a& z3 v
      y& X' A4 c" w( u% A. y$ M; f3 W+ V2 v1 t0 g9 r

    6 O( c) Z+ Z% D6 n  u$ s5 R2、BQFP封装(quad flat package with bumper)( I3 w& |) |) E. V4 d
    - C" Z; [: k* b8 z6 y8 q

    % p: V5 n. p  r! a1 L! ?, F( N带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。% s4 l4 i: V) v2 l2 L

    , E( I* U9 O% U* Y/ Q
    + a6 O9 U7 U* L% v4 e* E6 k/ h! Q& `$ J6 n
    3 t. I* H2 q$ q" K5 a

    ! L% s# I& ]2 q4 f& @1 ~0 F3 N3、碰焊PGA封装(butt joint pin grid array)
    3 E$ K$ K& G- ]% ^0 g( s
    1 m2 d4 }& i& I! P3 W
    & V$ P$ V" X& F8 ~  O8 X表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
    ! y7 v1 R3 y8 C# Y+ R1 n- |. E* J. G
    ) j% Y0 |! I( `( }
    4、C-(ceramic)封装' M$ D  h; }7 R$ w1 o

    , _. U6 F) Q$ h$ i$ P
    , [4 {/ e' _& }7 e$ a2 l8 m表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
    " O. y+ P$ P# Z$ `0 b5 o! l3 w& R1 b" q  D6 n  I

    & V, o0 E8 g& F5 x7 ?, e0 O( W( D5、Cerdip封装
    , p: p7 J' k1 ?" _
    : W( Q% e" V! n' @, B/ Y7 w5 F0 `( B. n
    用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
    ! |. _" w& D  l' H2 a% X- j$ q2 K: \$ Q6 H

    " G8 `% u) S/ T: Z: }2 L% K' }6、Cerquad封装
    . s! o, [9 N3 N5 X  f  l9 H* R. a/ S* u+ g! f' m- y$ N

    3 F5 u: R. }( r表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3~5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。: B: b8 ^6 X* r3 }

    . h0 ]/ w$ t: g& o- M  _; U/ B- G( ^1 h7 M, K& m. D/ ^* B
    带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
    & F1 g3 }% W7 N* w' b5 ~
    3 y" L! ~6 N" b. m3 Y3 q6 K1 G9 c
      h! ~2 j+ r9 B% B7 i4 C$ P& N! H8 {7、CLCC封装(ceramic leaded chip carrier)
    , g3 x# y# c; h  W( T6 H$ u, `
    8 q4 r; ]' Q8 j9 M. q( x8 C9 X/ ^( a( P
    带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
    : f% u2 r) X# N% I( V' [5 X/ o3 F- G8 a% f

    ; z; O7 h5 c; n) H3 S1 C8、COB封装(chip on board)
    ! ^# A( k$ x, [& r1 g/ U) G0 ^# h8 n
    ( D7 n, I3 C0 C9 r& Y9 K# T" Y  k! y! T. L  Z( g7 h8 \
    板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可*性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。1 S1 P0 B3 T# m+ Z8 o0 B% n+ @

    $ J2 i; t3 H8 t& s, S
    6 o9 C; i) l, U) h$ F% l
    + |0 X; T5 h6 `  T4 e& a3 V5 y* `6 N+ V1 Y  C4 J; |/ d
    7 v3 w$ j7 e4 R2 d5 J, ~0 t2 q: }
    9、DFP(dual flat package)
    ( u' X8 Z& ]3 k6 q, x6 S. F* N1 ?. ]0 }

    ! I+ d4 \0 x; S3 |" v双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。/ }0 H6 [/ U% r

    1 E# R8 K, H1 N/ N1 \( C
    . Q" v9 b' v, p8 L9 m' X10、DIC(dual in-line ceramic package)
    6 Q/ D4 [6 a4 Q/ j
    : z. R% B' d$ l( F, N  Q. V* B5 b+ d" o8 ?$ e6 d5 X
    陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
    0 A0 \% C0 B8 C5 f, t6 H+ R
    6 s, P1 g/ `! m0 V# i/ D/ H1 F$ h$ ]; C1 S( P
    11、DIL(dual in-line)4 N2 i% k, ~4 X# O$ [7 b

    7 `# y, t! d8 E# B& K! e
    2 H9 E7 a* c9 D  M) vDIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
    7 Q, k  b+ P& A# ~: @& o* \0 f& v- _0 D. Q+ s( Z; D+ p% Y
    ( l+ @8 u; c4 W  F+ x5 u
    12、DIP(dual in-line package)1 C( |0 [4 f( Z$ m, |

    : ]% T$ n9 j$ u% ]4 @. U
    9 I7 ~0 ~  B+ y+ [) C; P! d双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。
    ( c4 k* [1 u' R  a5 c1 ?
    3 u3 {: z+ c% _) p. |
    0 O1 E0 |0 o" l( b1 e% H/ p/ z
    6 I6 I: p9 [. D7 e# F% u* P  Y2 ?; K4 c8 z( [* ^% F2 F
    # i- F1 F! G. g) r6 ]5 J
    13、DSO(dual small out-lint)9 `+ Y* T6 N3 P  W3 K1 p( F

    " `% s! t. I5 s& q! s' V- u
    # l+ H, k6 i# W% c4 A/ J& j双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。. H* X, r* l9 z4 h: j7 F- b9 a. t2 R; q  c

    & ^4 y* h2 F( ~* T5 V1 I' d8 ?
    ) o: f6 C1 q4 ^3 o, M14、DICP(dual tape carrier package)
    ' F8 |) t" W+ i0 v
    : N- _+ I; g( u5 _7 f& p0 a2 Q
    % \5 `: }9 o5 t双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。
      x2 C4 v# K' k: g8 [; Q/ j& S- R; ~1 k  s( E* T/ b+ X3 }5 q

    ! V' v9 Y9 n/ [( y" `15、DIP(dual tape carrier package)2 I+ Q+ k) G; ?8 a( ~0 ~
    - z; \) o% m  C
    / H4 e* o, f) l# G. i6 F
    同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。( Y4 A7 e- \0 ^9 b+ r: Q
    5 T/ P& p& h0 M7 V

    . m7 x( \2 p1 |, L3 v8 k' [1 g16、FP(flat package)
    + M8 L2 h- @% B5 `  R6 Y, ^5 S
    9 q: Z& T3 E0 h' b5 n% K
    6 Y; x0 W* k" L6 Q! Z, N扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。- q8 h" z# a: N, n& @

    & m+ g& j0 r, o9 s. w2 Z% D: r- }3 K. k" |0 q8 y
    2 o1 N) B4 q, ^" Q

    0 ^6 f8 P; H. p  }5 R; n# B  T4 |$ M6 y  m6 f- a! Z/ S, T
    17、Flip-chip" H* {5 B0 U. K& O( e4 a# _/ h
    4 O- E* I/ F+ B0 r# V7 T* x: a/ b
    & E2 I. u- l# G( F- r
    倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
    ) h( Y0 z  C$ \$ B' K
    ' v) v! p7 F3 W& L  a, D
    5 M& B) ~  n, d, R但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。. i2 a, e5 G# Y) Y" j6 C6 }+ |# U
    , e1 \% E3 W4 H/ I2 p
    8 S1 V9 r2 [$ @" _1 E
    其中SiS 756北桥芯片采用最新的Flip-chip封装,全面支持AMD Athlon 64/FX中央处理器。支持PCI Express X16接口,提供显卡最高8GB/s双向传输带宽。支持最高HyperTransport Technology,最高2000MT/s MHz的传输带宽。内建矽统科技独家Advanced HyperStreaming Technology,MuTIOL 1G Technology。4 x% W* R1 }4 \$ O+ l. o
    . R1 E5 B5 [, C5 y
    / d9 {2 j0 E1 r! Z8 _  `3 ^& E
    18、FQFP(fine pitch quad flat package)) r+ a3 x5 A3 G2 Q( B) |6 k* H

    : l9 q) t: y  b- _) w6 j6 O: n0 _; c$ R' S8 }: i
    小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)
    7 z6 l1 R, B1 R6 m) X( b/ f" h' T0 e3 F& V0 @, L7 t8 o
    0 f" G" `1 m6 E4 J) p( J3 u$ H
    PQFP的封装形式最为普遍。其芯片引脚之间距离很小,引脚很细,很多大规模或超大集成电路都采用这种封装形式,引脚数量一般都在100个以上。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板芯片采用这种封装形式。此种封装形式的芯片必须采用SMT技术(表面安装设备)将芯片与电路板焊接起来。采用SMT技术安装的芯片不必在电路板上打孔,一般在电路板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点,即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。SMT技术也被广泛的使用在芯片焊接领域,此后很多高级的封装技术都需要使用SMT焊接。
    6 S1 {0 W% {0 ?1 E, `
    9 A- h, j9 |  j2 c6 s: J3 A9 }: _2 Z
    % [9 V; F' N+ r5 C以下是一颗AMD的QFP封装的286处理器芯片。0.5mm焊区中心距,208根I/O引脚,外形尺寸28×28mm,芯片尺寸10×10mm,则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:7.8,由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小了。
      ^! L; Q- G. L  r, K
    * n  Q6 E$ n6 b
    * _4 i& P- ?1 F6 k19、CPAC(globe top pad array carrier)1 M2 G( \5 @: M+ R7 @" t
    1 p$ c4 ~6 j( s1 [. l/ t
    4 J+ Q8 X4 \6 }6 t+ c8 n# U
    美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
    # p2 R) N5 ?* z5 ^
    ; t- n% f# w# S& M6 [# z& p4 b. w) r) k- k3 J
    20、CQFP軍用晶片陶瓷平版封裝(Ceramic Quad Flat-pack Package)- i# {9 c6 e9 C7 b5 h1 t% h$ O# U

    1 Y9 ^, R; c% k0 ?; X; R9 R8 A
    3 J$ x5 D: Y; I( P( s右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝(CQFP),這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工業用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層(有高起來,照片上不明顯)用來防止輻射及其他干擾。外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳,這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。6 j4 P; v5 v# j, P) ]! g

    ' h. z+ H+ Q% k$ d* O8 P6 b* g# g- f/ N

    " i; ^2 h/ Q: k1 ~3 l' t% l3 W6 N0 b' j$ L$ {2 }9 D
    ; }+ p! {# }% e  k/ m+ ?: `
    21、H-(with heat sink)5 H3 }) |1 ?0 K( k0 Y  y

    5 @* O" P1 g/ W8 d- r' r8 i. A4 e2 }" n3 b: A
    表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。
    ( @0 i0 g8 B" k! ]% \) X. `
    9 u7 u+ e/ Q8 N7 H8 A, x) M  B) V5 p
    22、Pin Grid Array(SuRFace Mount Type)2 b) f  Q: J4 }5 \
    0 M, f2 k9 L5 v1 Q; w

    + g, x+ }2 Q9 Z6 l4 U9 L表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
    1 S! O9 }% H0 a7 n
    * \& b) l  r! \) N8 e1 p
    ) W6 U% y, [7 Y
    ' y( {  ^' Y- @6 M3 L8 Z% `' ]% J8 h2 M; g1 \+ E

    ) z' W2 D1 y/ o9 s9 i23、JLCC封装(J-leaded chip carrier)! r, G+ F( F& `% C

    . h4 v4 J( f0 e
    8 e' Z; j# o2 C0 N# y0 C$ eJ形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
    ; B7 \2 F0 ]! x, R1 p1 X" }% S& S- J+ A9 P+ ?* `& X
    ! [) i& J' w2 q& E7 d% i# C
    24、LCC封装(Leadless chip carrier)/ b% r- a! @- {, l; o# T, x3 k
    ! N3 b, m6 B2 O) N
    8 \) B2 V7 u: g& [- g$ H; h4 I
    无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。
    + R0 K- d. |9 I. B# G5 \
    1 Z: I# q3 n% Y) U7 @# v  g3 A7 Q) t. V) w3 R

    ( K7 ]5 f+ Q  o1 M' p9 G9 ^( s% d3 |0 q! z* k( s
    4 D2 o( @" D/ V7 U8 q' ]- @
    25、LGA封装(land grid array)' i5 W  I, q7 K( a+ Q8 X) k

    6 z- u& H. a+ T" O. ~7 E" t
    5 _$ n( f% S2 y" |2 U( ~+ R3 L触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路。
    3 J$ ?! \+ H9 `2 v( Q
    7 k" h4 x& h$ ^% A+ y2 D
    - W( Z: P3 d, t: I5 b6 dLGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。) B, h2 q+ t0 n2 Y( l

    % E: ?7 a1 |; @5 |1 `
      X! [3 ?/ g: a( b+ }1 l9 D( D) _26、LOC封装(lead on chip)
    + K+ ^$ [9 k) s1 t+ y( X
    , g3 L+ c. e0 g! c  Q
    4 J+ M; z9 {) Y  O5 r芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
    * ]' O) W6 p2 p; e* N2 v7 z4 p; _1 y) F9 T

    % p4 ?' c( ]; e& _7 }27、LQFP封装(low profile quad flat package)
    * _4 q( S" {8 r1 Q1 Q! l6 W) g9 b1 M# z: y1 D& U

    9 Y9 ?' R6 w- s; m9 A% K/ u薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP
    , J' J* p8 Y: t+ j6 X. G" n, G+ @, M
    # D+ Z' b+ k, B
    " s9 q! z/ ]( S! L: e" e3 {外形规格所用的名称。
    4 u8 `' W( @, s; L0 \( j) w; |4 W, h, }6 K2 b) `
    - p' J6 n9 V5 t/ x+ F0 |
    28、L-QUAD封装
    9 d8 j2 k1 [5 ?5 d! h& Z) s. v( o" Y5 i" U; ]" a* t" z8 T! r

    4 g3 t& i& F0 ]陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。
    ; N" w8 V: g  p7 w9 \6 {# t; G. G2 C3 x

    0 i' Y3 W: Y6 s1 ^6 M* u3 y封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。
    ; E. L% o/ P, N! E# R: k1 D1 y) |$ h4 H
    * c" x" p, d! t0 x) z  {. O
    29、MCM封装(multi-chip module)
    ' D+ D) J4 u1 z. l) [4 Q$ c. L
    3 ]/ t. [9 t  A8 l' o8 Y! H6 c
    - b+ J$ I- l1 _6 Y多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
    2 t1 Z' {" R4 q9 @0 X6 W) r. D( `. g5 M" x

    7 c& U, d5 x3 r根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
    * ^" T* V3 @9 ^+ E7 P9 Y# s9 U
    ' G) p' K/ g7 i, f" P
    . u$ a7 \7 y  d/ z, v# l3 s4 {30、MFP封装(mini flat package)
    5 ?) x* E+ [- S) M
    ( N$ V1 F; z# h" e, \, A6 B5 a, g; G+ M* K5 ~$ L. v+ d
    小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
    ! o6 D; n9 B, y6 u1 A$ V3 Z. j- E, Z4 q& l! C- o

      L# R4 ?7 ^) u3 _
    ; z- m8 ~* M3 E( d" ^# {: ~5 ?6 A

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    2#
    发表于 2022-2-18 13:05 | 只看该作者
    在pcb电路布局中封装必不可少,封装的选用也尤其的重要
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:22
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-2-18 13:31 | 只看该作者
    器件的封装形式各种各样,选好封装很重要
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