TA的每日心情 | 开心 2022-1-29 15:05 |
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1、BGA封装(ball grid array)5 P( H2 y# @3 k& w+ a" {2 c
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球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。5 ^- T3 O$ a0 s) G' e8 s
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6 O( c) Z+ Z% D6 n u$ s5 R2、BQFP封装(quad flat package with bumper)( I3 w& |) |) E. V4 d
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% p: V5 n. p r! a1 L! ?, F( N带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。% s4 l4 i: V) v2 l2 L
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! L% s# I& ]2 q4 f& @1 ~0 F3 N3、碰焊PGA封装(butt joint pin grid array)
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& V$ P$ V" X& F8 ~ O8 X表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
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4、C-(ceramic)封装' M$ D h; }7 R$ w1 o
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, [4 {/ e' _& }7 e$ a2 l8 m表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
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& V, o0 E8 g& F5 x7 ?, e0 O( W( D5、Cerdip封装
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用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
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" G8 `% u) S/ T: Z: }2 L% K' }6、Cerquad封装
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3 F5 u: R. }( r表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3~5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。: B: b8 ^6 X* r3 }
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带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
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h! ~2 j+ r9 B% B7 i4 C$ P& N! H8 {7、CLCC封装(ceramic leaded chip carrier)
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带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
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; z; O7 h5 c; n) H3 S1 C8、COB封装(chip on board)
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板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可*性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。1 S1 P0 B3 T# m+ Z8 o0 B% n+ @
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9、DFP(dual flat package)
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! I+ d4 \0 x; S3 |" v双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。/ }0 H6 [/ U% r
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. Q" v9 b' v, p8 L9 m' X10、DIC(dual in-line ceramic package)
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陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
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11、DIL(dual in-line)4 N2 i% k, ~4 X# O$ [7 b
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2 H9 E7 a* c9 D M) vDIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
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12、DIP(dual in-line package)1 C( |0 [4 f( Z$ m, |
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9 I7 ~0 ~ B+ y+ [) C; P! d双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。
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13、DSO(dual small out-lint)9 `+ Y* T6 N3 P W3 K1 p( F
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# l+ H, k6 i# W% c4 A/ J& j双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。. H* X, r* l9 z4 h: j7 F- b9 a. t2 R; q c
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) o: f6 C1 q4 ^3 o, M14、DICP(dual tape carrier package)
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% \5 `: }9 o5 t双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。
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同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。( Y4 A7 e- \0 ^9 b+ r: Q
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. m7 x( \2 p1 |, L3 v8 k' [1 g16、FP(flat package)
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6 Y; x0 W* k" L6 Q! Z, N扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。- q8 h" z# a: N, n& @
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17、Flip-chip" H* {5 B0 U. K& O( e4 a# _/ h
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倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。
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5 M& B) ~ n, d, R但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。. i2 a, e5 G# Y) Y" j6 C6 }+ |# U
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其中SiS 756北桥芯片采用最新的Flip-chip封装,全面支持AMD Athlon 64/FX中央处理器。支持PCI Express X16接口,提供显卡最高8GB/s双向传输带宽。支持最高HyperTransport Technology,最高2000MT/s MHz的传输带宽。内建矽统科技独家Advanced HyperStreaming Technology,MuTIOL 1G Technology。4 x% W* R1 }4 \$ O+ l. o
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18、FQFP(fine pitch quad flat package)) r+ a3 x5 A3 G2 Q( B) |6 k* H
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小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)
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PQFP的封装形式最为普遍。其芯片引脚之间距离很小,引脚很细,很多大规模或超大集成电路都采用这种封装形式,引脚数量一般都在100个以上。Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板芯片采用这种封装形式。此种封装形式的芯片必须采用SMT技术(表面安装设备)将芯片与电路板焊接起来。采用SMT技术安装的芯片不必在电路板上打孔,一般在电路板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点,即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片,如果不用专用工具是很难拆卸下来的。SMT技术也被广泛的使用在芯片焊接领域,此后很多高级的封装技术都需要使用SMT焊接。
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% [9 V; F' N+ r5 C以下是一颗AMD的QFP封装的286处理器芯片。0.5mm焊区中心距,208根I/O引脚,外形尺寸28×28mm,芯片尺寸10×10mm,则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:7.8,由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小了。
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* _4 i& P- ?1 F6 k19、CPAC(globe top pad array carrier)1 M2 G( \5 @: M+ R7 @" t
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美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
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20、CQFP軍用晶片陶瓷平版封裝(Ceramic Quad Flat-pack Package)- i# {9 c6 e9 C7 b5 h1 t% h$ O# U
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3 J$ x5 D: Y; I( P( s右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝(CQFP),這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工業用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層(有高起來,照片上不明顯)用來防止輻射及其他干擾。外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳,這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。6 j4 P; v5 v# j, P) ]! g
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21、H-(with heat sink)5 H3 }) |1 ?0 K( k0 Y y
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表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。
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22、Pin Grid Array(SuRFace Mount Type)2 b) f Q: J4 }5 \
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+ g, x+ }2 Q9 Z6 l4 U9 L表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
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) z' W2 D1 y/ o9 s9 i23、JLCC封装(J-leaded chip carrier)! r, G+ F( F& `% C
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8 e' Z; j# o2 C0 N# y0 C$ eJ形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
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24、LCC封装(Leadless chip carrier)/ b% r- a! @- {, l; o# T, x3 k
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无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。
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25、LGA封装(land grid array)' i5 W I, q7 K( a+ Q8 X) k
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5 _$ n( f% S2 y" |2 U( ~+ R3 L触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路。
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- W( Z: P3 d, t: I5 b6 dLGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。) B, h2 q+ t0 n2 Y( l
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X! [3 ?/ g: a( b+ }1 l9 D( D) _26、LOC封装(lead on chip)
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4 J+ M; z9 {) Y O5 r芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
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% p4 ?' c( ]; e& _7 }27、LQFP封装(low profile quad flat package)
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9 Y9 ?' R6 w- s; m9 A% K/ u薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP
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" s9 q! z/ ]( S! L: e" e3 {外形规格所用的名称。
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28、L-QUAD封装
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4 g3 t& i& F0 ]陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。
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0 i' Y3 W: Y6 s1 ^6 M* u3 y封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。
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29、MCM封装(multi-chip module)
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- b+ J$ I- l1 _6 Y多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
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7 c& U, d5 x3 r根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
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. u$ a7 \7 y d/ z, v# l3 s4 {30、MFP封装(mini flat package)
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小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
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