关于MOS开关管驱动

choose521

我想用PWM控制NMOS开关管导通，对于NMOS只有在Vd<Vg-Vth时，其才处于导通，在我的设计中漏极输入电压是80V，而PWM输出电压（栅极电压）是幅度为30V的方波，周期为50us，Ton为25us，请问如何来控制NMOS的导通呢，是不是需要驱动？
8 P5 W/ `5 F$ ^  F0 X# V

rergr

Vd<Vg-Vth时，NMOS工作在线性区，也就是不饱和导通区，并不是真正的导通。和你的理解正好相反。高压NMOS的开启在2V左右，所以30V的GS电压已经够了，甚至偏高。
  k) ]( q% f9 |& ^: ~因为一般DS耐压100V左右的NMOS，其栅极耐压也就20或30V，这个要看你的MOS的说明书。
理论上，GS电压越高，NMOS导通内阻越小，但是，由于要给栅极电容充电到高压，所以整个开启速度会变慢，所以并不是电压越高越好。
4 \& n# p* d* j; r* @2 _( v关于周期，你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算，看看开启速度能不能满足你的要求。

opipo

Vd<Vg-Vth，工作在线性区。
看MOS管的Vth为多少，器件手册上都有，你的PWM输出电压最好加个驱动，越高越好，这样管子导通时内阻小，但是电压太高会使管子击穿，设计时注意安全工作区。
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