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微电子专业词汇Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验
; w% L1 `0 b% Y/ u4 zAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子8 {# Q, v7 r# B/ G4 s8 D
Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触2 j% o3 B3 M Q/ v
Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层
6 z8 X. g1 }& n1 R9 r, {9 UActive region 有源区 Active component 有源元1 o' L1 x4 v2 c7 l) }/ U _! s; ^: M
Active device 有源器件 Activation 激活9 _) x* p& X% `% _ c8 R; ^2 ^( G
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区/ J& ?0 ~8 @, n: x
Admittance 导纳 Allowed band 允带1 _3 Z# o# k2 B8 N3 J. h
Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝
8 c% u* m* B8 H5 K& _1 ]) O' }. pAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化
7 P: W3 `2 E2 T. [# EAmbipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度
" X2 F- C8 D1 h" S/ |Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器
) e1 U1 C* R( ?+ Q8 GAnalogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃' T$ [' h; c& t( c& c6 [
Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的
8 {5 k3 v# O' h& G3 Z* y4 x9 QAnode 阳极 Arsenic (AS) 砷 \8 ], j. N4 b; O# w, m
Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程1 f3 L6 J( l4 d! J. G. d
Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿
, E) r1 C3 b9 H, v7 T* i3 V+ kAvalanche excitation雪崩激发
) Q7 p! |; I& R: f- l9 KBackground carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂
* G3 D) p% z- @" O9 K1 O0 m! p$ MBackward 反向 Backward bias 反向偏置8 n! I4 O2 ^% H0 A Q, _+ @
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合# n% [. K) b2 R# S7 |
Band 能带 Band gap 能带间隙
. c5 {% j+ r0 E' b" w. BBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层$ R Z P4 p8 e g A8 ?
Barrier width 势垒宽度 Base 基极) h8 n& u- Y/ h: e
Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 2 z! Z; w ~: B
Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 - {1 l; Z7 S) q p9 m; V4 |
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 / R- L$ I$ j4 j; m( h; u, T2 l+ N
Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关
7 A$ P o- G* d, Q1 `1 qBinary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体
! Y0 j6 i( F7 C0 c/ h/ D- hBipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管1 z6 x% {) X; ^9 X+ |( e: s# F
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带: n: G# O& q& ?3 Q8 u
Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方+ O( O7 r+ i9 z+ N p* m: U: t- d
Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼( ^3 m6 q: q* M) e; [7 n2 ]6 ?. i
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子5 A# d' Y7 ^; [, N
Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路
: b. [8 G) O. U4 i! }. Z( v; e% D/ A- `Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器 Boron 硼
3 i/ z6 H- i5 U' fBorosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件* ]4 W( A, s$ F$ b, c
Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板0 P2 E2 ^2 R4 v( f6 ]
Break down 击穿 Break over 转折- y+ Y; m- ]- A c$ }! Z" @
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区& n2 \" y+ a9 n4 s% }! |
Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场
/ W9 N. h4 [) l3 I* V$ lBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收
7 n* `: i% J) Y& bBulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合
3 C% w, f9 j9 s/ O4 l, cBurn - in 老化 Burn out 烧毁* r& D1 e. G6 M& H4 ]; h. @, y
Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区
: j7 w! J8 i$ r1 k0 s) b( J : A' q5 ` v) p0 @# }9 w
- 1 - Created by rainman微电子专业词汇
]: U( f& T: n$ ^) }# }2 qCan 外壳 Capacitance 电容
; c# L! [- y* K" E4 r5 ]Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 4 H7 O$ Q$ f! u9 p3 J I
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 - e1 F3 N; t" ]8 V3 L7 @
Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出
, K5 U& T5 K( c& u9 bCascade 级联 Case 管壳
$ ?5 [ |( X+ m" M& N$ m" S) kCathode 阴极 Center 中心/ h0 \2 M3 t" Q G7 L
Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道8 y) |9 { C, m" E* O5 l
Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流
$ F* \) t' L% [Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短
6 x. H- w' i( ?$ n; J5 u0 SChannel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗
+ Z& y u" I, d' t& t( NCharge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应6 ^# }9 c2 y1 r! j, S( k* r
Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件% e" p2 H+ A$ R/ ^; q
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储* _) T7 u5 y o( G! \4 K( i0 ?
Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光
7 m, U3 ]9 ^7 \, t7 ~Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片( |9 s, E$ X) k5 ~
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位
3 z& A( O3 X* ?" [2 p1 {Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面
% O, x! p+ W+ S( v6 i# `4 QClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器. u0 w: f3 c2 d( W( s% q
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构/ n) \7 `- L; t5 Y
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极( P$ C7 d6 H. T f% G9 Z% ?* A
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放
7 Q# V0 I7 L$ P0 l& zCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
& y# y/ b" a3 M* ?/ }7 ACommon-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
" N d2 h- ?% f4 d: A: |' F8 RCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入4 w; k) l2 U% C0 r8 O
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
- T% M- I6 q b; w# i. z& H0 NCompatibility 兼容性 Compensation 补偿1 u1 i# B/ ~6 L
Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体+ T3 g9 R) h( \% m
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路' N+ Y$ A& X4 l7 K; t/ x
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
! p) _1 ?) `# }2 b9 c( Z9 c- S. V互补金属氧化物半导体场效应晶体管
5 \) J8 f; N4 ^: t9 s1 FComplementary error function 余误差函数
* o" C2 r5 V* W4 R: TComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造( L; K5 `0 ^' C. w2 d- N
Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导
# ]- ~3 J8 a4 d$ i8 TConduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 {* @2 l+ n& R3 @3 g4 y, f6 Y
Conductor 导体 Conductivity 电导率- K3 l% z: W! Z; ^# R q: z
Configuration 组态 Conlomb 库仑+ |! c% @5 C% o% ~* Z! ^# R
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数
7 h% ~5 x& p* O4 m/ R, u- d0 Z$ C; NConstant energy suRFace 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散
, E/ k0 x9 G* G7 n( vContact 接触 Contamination 治污
, }: J7 ]/ ~0 q- r( z+ s6 qContinuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔6 q" E6 a6 y$ O8 t
Contact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件: Y P/ I# P: W3 P
Contra doping 反掺杂 Controlled 受控的
2 a9 y# U% O6 ?Converter 转换器 Conveyer 传输器
% B; l6 X7 O( G) T r" j: jCopper interconnection system 铜互连系统 Couping 耦合* N% K8 B& C6 P% |; S1 ?7 j% ~4 Z
Covalent 共阶的 Crossover 跨交1 l! W2 Q$ i. ?9 a6 W5 _2 t
Critical 临界的 Crossunder 穿交 1 b7 D0 V5 y$ z
Crucible 坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格6 \; _3 L# P! E. x/ i o7 |
Current density 电流密度 Curvature 曲率, H* h7 b+ ]- |4 i! |- Y/ M1 @2 M
- 2 - Created by rainman微电子专业词汇9 l; E9 K; M/ L0 {; F! R0 @
- 3 - Created by rainman% T% y/ t ?' O3 ], L; v
Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享& |& _/ a, E8 f- f1 G
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲
_. n V+ l8 P; q& ^, JCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的
; M5 q5 R/ a4 A1 ^' CCzochralshicrystal 直立单晶8 B3 }# Q$ V6 `9 K% N
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz 法直拉晶体 J）
% C* ]0 a# T% k& iDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流
: Q( t. N0 U& L) T7 IDead time 空载时间 Debye length 德拜长度6 S. m0 ?' J8 E" M2 W5 K1 u* X; ^
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速! O' n" _/ j& F5 e7 i0 `. X
Decibel (dB) 分贝 Decode 译码
# g( m1 x7 s8 [: ?$ `8 Z+ BDeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级
6 R. Y+ l# c7 C" k* N" B; tDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 J2 y) ?: R% L! d$ g
Defeat 缺陷
6 M* r+ C4 E1 R F- C3 |Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度
: b1 w8 M& }1 oDegradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度9 e4 ]8 T2 J2 r" H/ b. Z
Delay 延迟 Density 密度: g: k# Z" }( {5 {, h! I" T
Density of states 态密度 Depletion 耗尽
5 T0 W4 C. P V8 YDepletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 2 F1 ?$ n" `- F% Z9 U! V; [, R! U3 _- P
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应9 F4 a; B1 r: M2 W
Depletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽 MOS 9 c/ W. |# o4 l& u; x, C
Depletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜4 Z. E. q" k2 O4 q* i
Deposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则
' A' ?3 j! ~' g4 tDie 芯片（复数 dice） Diode 二极管
G) V, Y8 i) r8 l4 @9 \Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离8 J3 e3 ^6 c. G4 y7 [+ q7 y
Difference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器
: c! v* c& t1 |' }Differential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结
: L$ E& b9 S6 @% O' NDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数3 U$ A. X( e3 i$ @( m8 F
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率0 K3 `& W1 V% D. T0 N
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉2 e* h9 E1 R( p
Digital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴
/ _7 t! C5 S& B5 `2 PDipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合
! N, Z J3 }& Z: a5 i; VDirect-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁
2 E& d5 {. x f d: dDischarge 放电 Discrete component 分立元件
& J8 Q8 D; |1 y' A3 @7 d1 w- nDissipation 耗散 Distribution 分布0 a& p% E( V# v" C& d8 O; A8 E
Distributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型
5 k. }$ A ~1 kDisplacement 位移 Dislocation 位错1 R8 M- M0 ?% p' g
Domain 畴 Donor 施主
7 ^0 X3 _% g, b! _9 QDonor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂
- H3 U+ y( K- y* Y/ _Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度
, f7 w$ i* W, J d. ~( [, pDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散 MOS.) a( |6 E1 ~: n$ p" h
Drift 漂移 Drift field 漂移电场
- C- [% n7 A+ f8 ~( KDrift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀' _* I" _& ]* Y n! c& Z: _
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量
, S8 ^6 d" W6 y# h2 v. ADuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） ) @0 V' m$ q% s# J
双列直插式封装9 g: ~! @' Y7 G
Dynamics 动态 Dynamic characteristics 动态属性" V8 N: r$ w' F& v9 \9 e
Dynamic impedance 动态阻抗. ]) Z3 S: X) B# y5 ^! D4 b
微电子专业词汇
/ t4 |4 \" b& L1 T6 {. h# _) KEarly effect 厄利效应 Early failure 早期失效
$ [# J0 B' K# B8 H i* @! _2 R' j& o$ \Effective mass 有效质量 Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系$ e6 c7 { K8 w- r6 D# Z+ Z& }
Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器% _9 ]5 L3 Y/ O/ F7 b
Electrode 电极 Electrominggratim 电迁移' X- x) K* m: v
Electron affinity 电子亲和势 Electronic -grade 电子能# a' I" l2 T+ e# H
Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光
! c* D K% d% Q2 o2 N4 B) C7 R: \Electron gas 电子气 Electron-grade water 电子级纯水
2 b3 Y" L8 T8 Y+ QElectron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt (eV) 电子伏( k) B) H1 v7 M% S
Electrostatic 静电的 Element 元素/元件/配件0 T2 `( [& H3 z4 n
Elemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆: a5 d1 V& l- r5 O3 T
Ellipsoid 椭球 Emitter 发射极 + Y$ u% i' w. r( I
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑 Emitter-coupled pair 发射极耦合对
" E; o5 e6 I- l( ~6 n$ y; L" oEmitter follower 射随器 Empty band 空带; x4 n* J2 @; d* T6 E. U/ X$ e
Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应
3 Y" X) P8 O; E2 u5 xEndurance test =life test 寿命测试 Energy state 能态
' G8 c. Z9 @; R6 I* w6 d' hEnergy momentum diagram 能量-动量(E-K)图 Enhancement mode 增强型模式
; \7 K. X6 l3 ?& AEnhancement MOS 增强性 MOS Entefic (低)共溶的2 Y. ]. V3 b: x" y$ J! M# F
Environmental test 环境测试 Epitaxial 外延的
5 |3 b" Y. d+ y$ ~) ^+ VEpitaxial layer 外延层 Epitaxial slice 外延片
$ b1 F1 A( {' ^9 h. g' gExpitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效电路
0 l ~, |7 y5 X2 dEquilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子
0 L, y/ O4 k5 G( PErasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器4 w- f3 u2 l2 K, X2 n/ o+ w
Error function complement 余误差函数
2 H" F2 T1 X. s. o' I, @4 [Etch 刻蚀 Etchant 刻蚀剂
6 p, ^" d* N7 w9 @4 u' O' `# P8 pEtching mask 抗蚀剂掩模 Excess carrier 过剩载流子7 r# t' u! `+ Q* _6 F, p
Excitation energy 激发能 Excited state 激发态% }) x' m. d2 R: ]7 F; v& P& x+ G
Exciton 激子 Extrapolation 外推法
' y, U, w, S. jExtrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 杂质半导体
& w9 O) j5 m3 C/ O" XFace - centered 面心立方 Fall time 下降时间
. C7 G" W- f, b8 K. z8 g0 tFan-in 扇入 Fan-out 扇出2 l S; {" y* d0 W
Fast recovery 快恢复 Fast surface states 快界面态5 h1 S, S8 x6 }9 h
Feedback 反馈 Fermi level 费米能级8 w8 Z. l9 o8 G! q' M
Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势
+ a/ Z4 {" C+ b5 T# c' pFick equation 菲克方程（扩散） Field effect transistor 场效应晶体管
6 B8 o$ c: n( C% R1 r: k+ vField oxide 场氧化层 Filled band 满带4 ~" l5 j/ x8 E5 B. y1 t
Film 薄膜 Flash memory 闪烁存储器
9 J0 |! x8 E9 _+ D$ E7 N/ B, ]# t4 ?Flat band 平带 Flat pack 扁平封装& k5 A2 u: P R! [0 o7 k0 \: F
Flicker noise 闪烁（变）噪声 Flip-flop toggle 触发器翻转
" ?0 }. J* _( t F, }Floating gate 浮栅 Fluoride etch 氟化氢刻蚀/ a& S- C& s, U- g1 D9 v
Forbidden band 禁带 Forward bias 正向偏置
: W5 f8 O4 F2 A2 ^5 DForward blocking /conducting 正向阻断/导通# L8 o- x5 w% Z, M, v
Frequency deviation noise 频率漂移噪声 9 @( Q4 u9 ^% J5 S# X: L( }% a
Frequency response 频率响应 Function 函数* F4 F4 m5 b; i
Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾
& G8 Q0 o% g* L" ]Gamy ray r 射线 Gate 门、栅、控制极7 O k, A2 _' J' ?# Z; o/ z5 l
Gate oxide 栅氧化层 Gauss（ian） 高斯6 C: N3 R8 @3 Q: z2 B9 J, t9 Y
- 4 - Created by rainman微电子专业词汇
% \) l9 Q w4 v1 IGaussian distribution profile 高斯掺杂分布 Generation-recombination 产生-复合
$ ^. K2 j! G& F3 C' BGeometries 几何尺寸 Germanium(Ge) 锗4 T3 {% N/ i: I5 F, k
Graded 缓变的 Graded (gradual) channel 缓变沟道
! t/ @: }: X. ~- x- YGraded junction 缓变结 Grain 晶粒% _7 [) b; a3 l( n/ q! _- a1 U
Gradient 梯度 Grown junction 生长结: Q& P. u6 E6 r% x
Guard ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘 模型( o+ }2 N* p7 ?. J* w
Gunn - effect 狄氏效应
4 b# `. Q( E s" D6 DHardened device 辐射加固器件 Heat of formation 形成热
4 p, l. i& [4 Q7 z8 j5 |Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻 空穴带
. G: l+ @0 w$ Q9 HHeavy saturation 重掺杂 Hell - effect 霍尔效应% C/ g; C: w. i1 V, L, O$ C
Heterojunction 异质结 Heterojunction structure 异质结结构! }3 x) a5 P* f
Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体
1 U }/ I9 I9 IHigh field property 高场特性: R# g5 G) S& j9 B
High-performance MOS.( H-MOS)高性能 MOS. Hormalized 归一化
' |: q" W2 U( D6 E q: HHorizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器 Hot carrior 热载流子# _' @, K6 X6 m
Hybrid integration 混合集成& G0 G* H: A" B# I% _
Image - force 镜象力 Impact ionization 碰撞电离# U; A1 @2 d1 H# v' o/ ?, k
Impedance 阻抗 Imperfect structure 不完整结构
8 m2 S/ I7 H/ |( G% qImplantation dose 注入剂量 Implanted ion 注入离子
1 o# Q; p: ]1 f' r* KImpurity 杂质 Impurity scattering 杂志散射
/ P3 V+ w3 U6 Y8 u1 z5 n5 ^1 yIncremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模% a% p9 ]6 j( E8 P9 e. L# p1 }
Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物 Induced channel 感应沟道
5 J& j! h& ^' t- W: o. UInfrared 红外的 Injection 注入
9 |/ ^) f6 z) f- U7 W) ^; UInput offset voltage 输入失调电压 Insulator 绝缘体% Q/ b9 t) R0 e) K' T% z& X
Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅 FET Integrated injection logic 集成注入逻辑 7 S& Q( u# g! R; g: r
Integration 集成、积分 Interconnection 互连. r0 E8 K" B% N- }( t$ S
Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构
4 S( y$ D& P1 H# w2 NInterface 界面 Interference 干涉. e7 Z, A- W; @' V
International system of unions 国际单位制 Internally scattering 谷间散射8 U* v% ~: m/ a- N
Interpolation 内插法 Intrinsic 本征的 ) @9 e" R1 I: ^0 n( }$ j
Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向工作+ a @9 W1 c! @4 t: H5 ?* E% |
Inversion 反型 Inverter 倒相器
3 x. l! r. r6 O% z, t# U/ {Ion 离子 Ion beam 离子束 " Z& o7 \) J% R3 M7 D
Ion etching 离子刻蚀 Ion implantation 离子注入
1 F( O _- E$ @1 h$ ]: M. x2 ]Ionization 电离 Ionization energy 电离能
5 [0 v" E+ b: S" XIrradiation 辐照 Isolation land 隔离岛
- ~. f/ n5 i( \2 ^Isotropic 各向同性# n. _* q! @2 n- x6 o
Junction FET(JFET) 结型场效应管 Junction isolation 结隔离
3 b# B: Z( X ^' z) gJunction spacing 结间距 Junction side-wall 结侧壁6 C0 Z | @6 w& j; s8 {
Latch up 闭锁 Lateral 横向的
- u" z# O1 }$ I0 u) tLattice 晶格 Layout 版图4 m& S" W; S8 I' @5 w6 L
Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶" G' j& D- O2 z# b
格缺陷/晶格畸变8 ~+ q! W- C6 F5 P9 S
Leakage current （泄）漏电流 Level shifting 电平移动
3 B, W1 x) T' g% x+ z; g - 5 - Created by rainman微电子专业词汇4 P" M' M+ X% n# C& T7 _
Life time 寿命 linearity 线性度8 T) y/ b% m9 q1 w0 Y3 @1 L- @
Linked bond 共价键 Liquid Nitrogen 液氮% h2 z: Y5 q0 u6 {4 {$ e! i
Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术 ; V* V3 }( K' q+ e; f( i& V
Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 发光二极管
6 y: Y$ g; @3 E* j1 FLoad line or Variable 负载线 Locating and Wiring 布局布线8 I- k& D! M# F) f; Z5 {) d, V9 O
Longitudinal 纵向的 Logic swing 逻辑摆幅
; Q/ y7 d- ~" K+ g. VLorentz 洛沦兹 Lumped model 集总模型. ~* O) N) A7 M. o6 b' M. ?3 f
Majority carrier 多数载流子 Mask 掩膜板，光刻板
! W, s- d! _! P" k% O% `! cMask level 掩模序号 Mask set 掩模组
6 Z/ C1 g0 I/ _Mass - action law 质量守恒定律 Master-slave D flip-flop 主从 D 触发器& C9 x4 }1 q$ f2 c! u4 M! E
Matching 匹配 Maxwell 麦克斯韦
9 e; m/ F+ @2 W0 f' o! w; \Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳状发射极结
# L9 Q4 g' R& QMean time before failure (MTBF) 平均工作时间7 Q* k5 p) X4 y/ A2 I5 }
Megeto - resistance 磁阻 Mesa 台面1 p1 z L# U2 f* W [2 l6 T
MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体 FET
7 U" q! ^; C/ L1 M8 \9 \Metallization 金属化 Microelectronic technique 微电子技术7 D# M/ W/ l) U' z
Microelectronics 微电子学 Millen indices 密勒指数
. G0 Y3 I) A) ~7 d5 k% i" M( @% s5 uMinority carrier 少数载流子 Misfit 失配
6 S* y$ f' M, x3 z u1 jMismatching 失配 Mobile ions 可动离子 " u4 h+ T% i$ c( B# N) L
Mobility 迁移率 Module 模块$ G/ A, [! I0 J3 z% N0 D. G
Modulate 调制 Molecular crystal 分子晶体) C: ~* Q" d: t8 O# B
Monolithic IC 单片 IC MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管5 j9 C& h6 d6 U
Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管 Multiplication 倍增! j- H) }1 r5 @. [0 _# g. e
Modulator 调制 Multi-chip IC 多芯片 IC
0 q* I9 A. ?2 ]Multi-chip module(MCM) 多芯片模块 Multiplication coefficient 倍增因子5 T0 Q- I7 K* X0 X& q
Naked chip 未封装的芯片（裸片） Negative feedback 负反馈
, C0 a7 |' q* n8 W# X6 [& ]Negative resistance 负阻 Nesting 套刻
- v; G* O9 W( U# h0 P4 g! VNegative-temperature-coefficient 负温度系数 Noise margin 噪声容限
1 W, F9 X( J1 Z* V# YNonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非挥发（易失）性
' [8 } H7 z E" y* e* l. u2 SNormally off/on 常闭/开 Numerical analysis 数值分析/ p+ N' l: c* `
Occupied band 满带 Officienay 功率
; q* U' k3 s jOffset 偏移、失调 On standby 待命状态
. H5 J% _9 A2 T( N6 [- \Ohmic contact 欧姆接触 Open circuit 开路! p2 x Q8 f+ u
Operating point 工作点 Operating bias 工作偏置& U- n# N8 U$ F7 |
Operational amplifier (OPAMP)运算放大器. Z. a7 T) [+ X: G0 E" E1 X D
Optical photon =photon 光子 Optical quenching 光猝灭# w( `6 Z7 f; F Y) F: a
Optical transition 光跃迁 Optical-coupled isolator 光耦合隔离器
: @9 u4 R* s1 G4 I: K" G7 U7 FOrganic semiconductor 有机半导体 Orientation 晶向、定向& N6 U' u0 c3 U$ t& g$ z$ e
Outline 外形 Out-of-contact mask 非接触式掩模: k3 X1 v- o7 a C
Output characteristic 输出特性 Output voltage swing 输出电压摆幅3 E# W- C% |( \& W5 @
Overcompensation 过补偿 Over-current protection 过流保护 # l! j- e) o7 `' l3 m( _
Over shoot 过冲 Over-voltage protection 过压保护7 F" t" ~! `5 p
Overlap 交迭 Overload 过载+ k$ k7 Y) f T$ v; D% }
Oscillator 振荡器 Oxide 氧化物 # ^* M9 j0 r# G: b
Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化层钝化 e& \" Y/ @ v! S. U- e7 g4 R. Y
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( P5 G9 q9 o+ \# dPackage 封装 Pad 压焊点
% u/ i& }4 t w2 y6 TParameter 参数 Parasitic effect 寄生效应/ ^% w# F3 \1 D" ^
Parasitic oscillation 寄生振荡 Passination 钝化
% z2 g5 h% X k& \Passive component 无源元件 Passive device 无源器件
! F( e2 c- g! @9 KPassive surface 钝化界面 Parasitic transistor 寄生晶体管 ; b) ~6 D1 {" D: K
Peak-point voltage 峰点电压 Peak voltage 峰值电压 " G& P w7 w0 |9 S+ p
Permanent-storage circuit 永久存储电路 Period 周期
* `# d& x" r/ E& |Periodic table 周期表 Permeable - base 可渗透基区1 t3 U2 I( {9 r3 ]$ F5 ~& I$ P
Phase-lock loop 锁相环 Phase drift 相移
& B9 m3 m4 y6 v' y. |Phonon spectra 声子谱. T H) F( |7 C5 j/ |* \9 }
Photo conduction 光电导 Photo diode 光电二极管
: ?4 t: G3 I; O( k% tPhotoelectric cell 光电池
/ K0 T l. {) TPhotoelectric effect 光电效应
1 n8 Y1 E. N# M4 \Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工艺
2 M9 I0 x, h2 v/ j- G(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂 Pin 管脚& I( S) j9 ]; w3 O6 ?4 q1 ~4 {* O
Pinch off 夹断 Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）
5 S& S' {2 |( uPlanar process 平面工艺 Planar transistor 平面晶体管
; u4 z9 M+ m" n+ S6 X/ lPlasma 等离子体 Plezoelectric effect 压电效应
* {$ T6 R* N) T, e9 N/ jPoisson equation 泊松方程 Point contact 点接触6 o: `! N/ U. B7 w I; n
Polarity 极性 Polycrystal 多晶
' O: K; _/ p: F& L$ T/ U+ @; M kPolymer semiconductor 聚合物半导体 Poly-silicon 多晶硅
# g5 Y1 |* U {5 I- M6 K5 L3 ^Potential (电)势 Potential barrier 势垒2 `2 N2 i+ E+ I+ E$ r& S0 e6 B' ^
Potential well 势阱 Power dissipation 功耗
( P! W3 `: V" L+ }* hPower transistor 功率晶体管 Preamplifier 前置放大器
7 s% k7 W6 I8 Q! APrimary flat 主平面 Principal axes 主轴/ H9 l/ G4 H1 p* p' w0 Z
Print-circuit board(PCB) 印制电路板 Probability 几率
1 J8 Q _, o1 L: [8 `) OProbe 探针 Process 工艺
; w' b( |7 w' pPropagation delay 传输延时 Pseudopotential method 膺势发
7 m" K% U+ c, k k Z- E$ h+ |Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制' k6 ~4 l( U) T" b& r# j
Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制
* }/ K/ t4 _8 I+ S4 U+ o# oPunchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽级 |1 y2 I3 J7 S' ?) x4 ^
Quality factor 品质因子 Quantization 量子化 5 K6 P6 B% [ q9 Q
Quantum 量子 Quantum efficiency量子效应0 H4 g, t, k! {3 i0 v* }
Quantum mechanics 量子力学 Quasi – Fermi－level 准费米能级
0 N! F2 \# z& d, \Quartz 石英6 w! F# w; S% o/ z% k6 P
Radiation conductivity 辐射电导率 Radiation damage 辐射损伤9 s) W; b! M, K
Radiation flux density 辐射通量密度 Radiation hardening 辐射加固
: E0 k6 ?: Z& k& l8 l) z; a5 fRadiation protection 辐射保护 Radiative - recombination辐照复合
1 I( t+ F) Y# jRadioactive 放射性 Reach through 穿通
8 z8 g+ @" s8 ~- ~Reactive sputtering source 反应溅射源 Read diode 里德二极管6 C$ K6 D2 ]7 g" ^' U* ~# V- k
Recombination 复合 Recovery diode 恢复二极管$ K. C9 k3 B& {4 x k/ ]
Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢复时间
: ^6 J& m8 k' @: ?8 t) n# xRectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接触5 \6 t& w5 A. J' j
Reference 基准点 基准 参考点 Refractive index 折射率
/ ^6 I: E2 }; g) b% @! rRegister 寄存器 Registration 对准( O( Y' L/ g1 i& z% ?( ]( T
Regulate 控制 调整 Relaxation lifetime 驰豫时间
9 i4 ]; Z, s. ?7 x/ b; I1 e% p - 7 - Created by rainman微电子专业词汇
8 [' Z- O' r- }7 z7 @7 fReliability 可靠性 Resonance 谐振
8 m* @% m+ V8 y8 x, n, cResistance 电阻 Resistor 电阻器
- R' j* [0 K9 g; d2 ~/ v$ uResistivity 电阻率 Regulator 稳压管（器）
5 B- g- {) a Y' [( J1 D" DRelaxation 驰豫 Resonant frequency共射频率 3 l/ a( \. `7 Z# [
Response time 响应时间 Reverse 反向的
% J* z" N0 Y" G+ u3 YReverse bias 反向偏置) Y3 b7 Q9 o8 Q- U
Sampling circuit 取样电路 Sapphire 蓝宝石（Al2O3）
; _. }& L$ s' O( V4 {Satellite valley 卫星谷 Saturated current range 电流饱和区 : M. \$ J( [0 D. \9 t
Saturation region 饱和区 Saturation 饱和的
; ~4 X/ Z1 q* b4 i. Q5 ] G9 RScaled down 按比例缩小 Scattering 散射
' [5 X# n, W. d( p( h+ i+ _" u3 \) X, sSchockley diode 肖克莱二极管 Schottky 肖特基 " b' t. Q6 C* J+ Q
Schottky barrier 肖特基势垒 Schottky contact 肖特基接触
8 x% `- q5 u; p8 @. T% {8 W, xSchrodingen 薛定厄 Scribing grid 划片格
% y$ Q2 U8 }- G- E: N! aSecondary flat 次平面) c; y% v; k+ v4 [& Q& l
Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝; K( F5 p7 H; [8 P
Selectivity 选择性 Self aligned 自对准的
& d0 x- P! \: dSelf diffusion 自扩散 Semiconductor 半导体4 V, H B* K0 d, c2 {
Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 灵敏度
, ~2 v+ L& b. a/ J3 i4 X5 i+ OSerial 串行/串联 Series inductance 串联电感
& X) r3 f9 W- | ~8 xSettle time 建立时间 Sheet resistance 薄层电阻7 G4 A- z ~8 u; k: N& |
Shield 屏蔽 Short circuit 短路
1 X; ^8 V- ~) R1 vShot noise 散粒噪声 Shunt 分流7 E" ~+ p: h7 y
Sidewall capacitance 边墙电容 Signal 信号 $ [/ B% N0 F! B* o4 g
Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅 F9 s3 N0 v4 s* K
Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅0 J" s( K7 Z2 Q$ o& e
Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 绝缘硅
! {# Q) p- C r8 f* SSiliver whiskers 银须 Simple cubic 简立方7 A; N$ F, o+ R# z8 i1 [' ^4 }4 t
Single crystal 单晶 Sink 沉! j, r! m6 o5 {( n! H; J3 c
Skin effect 趋肤效应 Snap time 急变时间 " t0 E8 u% b5 f" B# r% q' r7 m
Sneak path 潜行通路 Sulethreshold 亚阈的$ L8 l. g& O& m7 t0 H& Q! C
Solar battery/cell 太阳能电池 Solid circuit 固体电路
& j3 @9 ~ _; k+ @) e4 Q6 A5 lSolid Solubility 固溶度 Sonband 子带
" L- m, \1 e! n0 f. S" m- OSource 源极 Source follower 源随器: X6 K6 |( e$ d) `( H, r; M/ f F9 H
Space charge 空间电荷 Specific heat(PT) 热4 K g% ?5 f, Z) ?6 l W
Speed-power product 速度功耗乘积 Spherical 球面的
7 U9 r# K* T' }9 vSpin 自旋 Split 分裂9 {. N$ h- T- C0 Z
Spontaneous emission 自发发射 Spreading resistance 扩展电阻
1 O& c8 |# v, o$ V. K; mSputter 溅射 Stacking fault 层错9 x- n, q3 o: Q V6 @- ?% z
Static characteristic 静态特性 Stimulated emission 受激发射 ' R# M( T, j( C* h9 ?6 L) z
Stimulated recombination 受激复合 Storage time 存储时间
0 }9 g# C# `, |3 {9 Y, Q+ s6 @0 O5 kStress 应力 Straggle 偏差
0 i4 a: h/ K# o' A5 c3 qSublimation 升华 Substrate 衬底
( q0 j& l6 [6 F9 Q0 f" ^Substitutional 替位式的 Superlattice 超晶格
& m$ U5 P' L! F. s5 C6 JSupply 电源 Surface 表面
7 r1 A# i: k% H% S; \Surge capacity 浪涌能力 Subscript 下标
' f* Q# s n1 O+ c4 y' }$ RSwitching time 开关时间 Switch 开关: P# `* G2 @# A
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& F9 l2 w9 V' S0 h6 _/ Q5 B" K$ vTailing 扩展 Terminal 终端
4 \8 o3 I/ y# yTensor 张量 Tensorial 张量的
0 [% V* T( f3 W& |/ n7 y/ |- a5 Y7 T9 k! `Thermal activation 热激发 Thermal conductivity 热导率) K7 D3 D A7 z5 I3 Q
Thermal equilibrium 热平衡 Thermal Oxidation 热氧化
) a: P: m% y( D4 r0 A4 [Thermal resistance 热阻 Thermal sink 热沉
% x8 Z1 [1 S6 YThermal velocity 热运动 Thermoelectricpovoer 温差电动势率( c q0 x, A6 ~; ~& M
Thick-film technique 厚膜技术 Thin-film hybrid IC 薄膜混合集成电路
$ @& ?4 o: a7 a% M* ~Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体 Threshlod 阈值
3 R' t- R9 K eThyistor 晶闸管 Transconductance 跨导
5 m7 N9 E2 s1 d+ KTransfer characteristic 转移特性 Transfer electron 转移电子. t6 o5 r1 e: V: n# W
Transfer function 传输函数 Transient 瞬态的 . t6 p+ I+ b) ^% m: h( s6 L, g
Transistor aging(stress) 晶体管老化 Transit time 渡越时间2 g) P) J$ s( j0 a8 k q3 w
Transition 跃迁 Transition-metal silica 过度金属硅化物% S; \( H& t V+ D! D2 l
Transition probability 跃迁几率 Transition region 过渡区
2 [/ D7 F6 @: t) G: p6 a( rTransport 输运 Transverse 横向的: N% l* u% J3 z& M6 t" f& @) Z
Trap 陷阱 Trapping 俘获
/ @% E, C4 e% D1 O$ o1 MTrapped charge 陷阱电荷 Triangle generator 三角波发生器1 a& q C$ u1 ~/ S$ X. _4 x
Triboelectricity 摩擦电 Trigger 触发
3 u6 @! ~2 z- l* ?) i: qTrim 调配 调整 Triple diffusion 三重扩散 8 o3 _7 }. _7 H4 L6 t$ R" b
Truth table 真值表 Tolerahce 容差; C2 G7 V) \: f3 M# F- H [
Tunnel(ing) 隧道（穿） Tunnel current 隧道电流/ C1 `# k# B& @. C8 h' K g& Q
Turn over 转折 Turn - off time 关断时间1 W. Y5 y5 ` R) v$ @% z2 ?7 V- @
Ultraviolet 紫外的 Unijunction 单结的
) O y9 O; Q& t- B7 }Unipolar 单极的 Unit cell 原（元）胞! o9 L1 I9 N; ~% S+ a# U
Unity-gain frequency 单位增益频率 Unilateral-switch单向开关
; m: h1 t6 g. Q7 X" O0 SVacancy 空位 Vacuum 真空0 k# e: \% v2 I7 ?) ~, R, T$ @
Valence(value) band 价带 Value band edge 价带顶
( f5 s- B5 x; ^+ uValence bond 价键 Vapour phase 汽相
& g3 D! ~* ?. s5 J( d! I7 GVaractor 变容管 Varistor 变阻器
$ [8 j( Q+ K0 t8 t" C+ Q, Q1 kVibration 振动 Voltage 电压
$ |! |* \" W7 M/ i9 TWafer 晶片 Wave equation 波动方程
! h/ T# y6 k2 u" m2 {Wave guide 波导 Wave number 波数
, j* s, l$ ?/ n6 O0 rWave-particle duality 波粒二相性 Wear-out 烧毁
' _/ J: ]7 P' d2 f& C/ z& cWire routing 布线 Work function 功函数
( w. l0 H' F' r1 MWorst-case device 最坏情况器件: H& W$ O- @) n/ t. E) h
Yield 成品率: Q' t3 Q- C$ J. ?
Zener breakdown 齐纳击穿
7 u8 j ?6 ^& u1 u+ zZone melting 区熔法7 W- d4 o/ [7 h5 _1 U6 c
- 9 - Created by rainman
; l7 K$ j( R3 e, a6 V, G. m$ x- H$ P( S: N' Z# N: Y
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发表于 2022-8-2 10:29
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