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器件：CSD95481RWJ / cc2640R2FRGZR / STM32L4R9ZIY6PTR 芯片参数
$ d3 L9 L# e! w) |6 n0 p
( O" f' q& } E一、CSD95481RWJ 同步降压 NexFET 智能功率级转换器：
6 s/ v* @) ^) {6 J8 J6 V. zCSD95481RWJ 用于高功率、高密度同步降压转换器。 该芯片集成驱动IC和功率MOSFET，完成功率级开关功能。 这种组合在小型 5mm × 6mm 外形封装中产生大电流、高效率和高速开关能力。 它还集成了精确的电流感应和温度感应功能，以简化系统设计并提高精度。 此外，PCB 封装已经过优化，有助于缩短设计时间并简化整个系统设计的完成。/ W V' V! s U0 }) c( _% ]
特征：8 N9 H/ R- w( v+ c" e3 p7 P5 e! ~
60A 连续工作电流能力& n4 }/ P; \2 G. e' P
30 A 时系统效率超过 95%% x6 t. i. B, q% n5 o
高频操作（高达 1.25 MHz）6 k: }9 n3 N( f. T+ [$ @" h
二极管仿真功能" Y2 [! U4 R: P5 S' I/ K# O
温度补偿双向电流检测$ h' u: x2 i3 H0 k. [! U2 ^4 I
模拟温度输出, X% A, n9 p0 I. a0 ]( @9 y
故障监控) Y( ?, M+ H* ]5 z9 p
3.3V 和 5V PWM 信号兼容4 }5 i$ n+ U* q+ O- Y% a
三态 PWM 输入
& @, f8 e8 V: @& ?3 ?6 T集成自举开关
A/ Y( j0 i C$ o- M5 e; q3 `# H J优化的直通保护死区时间
1 I. e( k5 ]# J. _8 X高密度 QFN 5-mm × 6-mm 封装
$ }' w0 t/ c* w! \" ]4 h- q' D1 Z6 j1 p& B超低电感封装
: ~2 g; D2 E, K- [! X! ]" c+ w系统优化的 PCB 封装
5 r: p5 @" m" d) v0 Q# F6 Z热增强顶部冷却
0 b: e; `8 S k/ S- V. V" ~应用：9 G$ e* H3 j8 A
多相同步降压转换器' ?# I. A* q) }
高频应用4 e- v: m \0 o/ ~
大电流、低占空比应用, {2 L( X, v9 e: R) M3 _: X- M2 S
POL DC-DC 转换器
* }( d) F" \) t8 K% A内存和显卡
' w& ?. {( |0 X台式机和服务器 VR12.x / VR13.x V 核同步降压转换器# I+ ^. q" ~$ h& Z3 C
0 ^ p6 U d" B2 d( W5 `1 p' {
二、CC2640R2FRGZR：射频收发器 IC
. h5 e6 Z/ \5 h' t类型：TxRx + mcu
? s2 y" B) m/ K8 r4 h) S9 K射频系列/标准：蓝牙
, F p* \7 x/ x0 b4 \! E2 X" K6 v协议：蓝牙 v5.0
. y0 a/ L" e3 N/ B, ~" `调制：GFSK7 A* F7 W8 w4 X; X8 @
频率：2.4GHz
( v& q; f" o& M! ?! D数据速率（最大值）：2Mbps" `+ J' _7 ]# r" J7 |5 S
功率 - 输出：5dBm( [8 j6 ~2 p. |4 G8 |
灵敏度：-97dBm) R+ D: f& B. J, e0 D" V
存储容量：128kB 闪存，20kB RAM- a8 p" b! U4 Q, V1 l" _
串行接口：I²C，I²S，SPI，UART& J8 \: U& N, p& r- F
GPIO：31
) h4 ?5 w2 `# S9 ~9 H电压 - 供电：1.8V ~ 3.8V$ R6 e# O- b3 V! ]
电流 - 接收：5.9mA- h# C8 b. e0 `4 V" d
电流 - 传输：9.1mA
1 o: V1 F" U- \) k2 u) G工作温度：-40°C ~ 85°C
) B. C% H% O1 }1 L) L& d+ u安装类型：表面贴装型
L; x! t/ H7 l! I0 Z' x; H封装/外壳：48-VFQFN 裸露焊盘
& F: D% ^9 }5 D) U N供应商器件封装：48-VQFN（7x7）
8 A5 m0 M2 X& b7 ~8 L
# h+ e( L/ G0 O" ^8 H5 W三、STM32L4R9ZIY6PTR：嵌入式 - 微控制器
& x2 x2 B" d# O; p核心处理器：ARM® Cortex®-M4
8 t' s- K+ F0 i7 z# Q内核规格：32 位单核" }" I5 M8 S) l
速度：120MHz
( k4 \ {1 p t/ W1 b% b连接能力：CANbus，EBI/EMI，I²C，IrDA，LINbus，MMC/SD，SAI，SPI，UART/USART，USB OTG
" W6 M$ L3 D8 n: u外设：欠压检测/复位，DMA，LCD，POR，PWM，WDT+ b9 F P4 T F
I/O 数：1125 E+ H! U* n9 _$ r1 u
程序存储容量：2MB（2M x 8）. i; ?! d# {! p' Y. U8 x3 U
程序存储器类型：闪存8 U' e4 j3 j( Q9 e) ^
EEPROM 容量 -
" ~& g6 M: \4 K8 J9 u) MRAM 大小：640K x 8( W' ]* ?) e* q: Q2 T9 Q% y
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.71V ~ 3.6V, j8 D# p! ^+ B' S; W
数据转换器：A/D 16x12b；D/A 2x12b
' Q4 b0 \. H' x1 o6 p3 b振荡器类型：内部! R$ K; Z% x! a5 r e
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）9 h, g" m& D d( N9 S- u
安装类型：表面贴装型3 P2 A: d. v5 ]; ?, z8 g \% Z2 T4 ~! r
封装/外壳：144-UFBGA，WLCSP
; \ A1 g I' F8 n, D3 T6 D3 L供应商器件封装：144-WLCSP（5.24x5.24）
& M( A! t6 \8 [) L
A1 d8 K" J' a; g |
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发表于 2022-8-4 11:20
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