TA的每日心情 | 郁闷
2025-4-10 15:44 |
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IMBF170R1K0M1XTMA1特点
& H. i) T% Y8 u6 y7 J; T. U革命性的半导体材料——碳化硅1 l [7 t+ S# b
优化用于反激式拓扑结构! T5 [) R4 h5 ?7 Y
12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器/ Y: H7 @+ `" v' e6 U: k
非常低的切换损失& g8 G* I0 k& N
基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V) N9 f5 [/ K( ]$ z
完全可控制的dV/dt，用于EMI优化
- I$ v6 j8 O* [( x3 w0 N2 h# p降低系统复杂性
' J1 u+ v$ z3 s: H0 X* z O0 x直接从反激式控制器驱动7 E, @ e, u( Z" J& c' [
提高效率和降低冷却工作量
4 r& r) B0 J1 B# l2 y, Z实现更高频率8 j" M, ^% m: x6 ]# }6 b: X
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详细% \3 f& p+ O Z7 W7 L( m2 T
这款 1700V SiC沟槽MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。也可直接由反激式控制器驱动，通过减少冷却工作量来提高效率。# ]$ }4 s1 E1 K. j1 I8 Q
IMBF170R1K0M1 1700V SiC沟槽式MOSFET非常适合用于能源产生、工业电源和充电基础设施应用。
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注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！4 `6 V/ e7 s9 m$ O' m9 @& Y
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发表于 2022-10-7 13:30
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