几种常见的光刻方法0 v& [ b. T5 Y3 b
接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。% s6 V0 ?2 ^" t' B: L! S* }- ^
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 7 P) R' L. A }' @, g投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式$ |! d8 _5 d. \- ?$ K
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发表于 2022-11-8 08:56
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