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规则一 高速信号走线屏蔽规则) Y1 ] {1 d% e' y. T8 y; h9 s2 i% i3 d7 G$ A' I
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图2
- ]+ @0 \* q8 d时钟信号等高速信号网络,在多层的PCB走线的时候产生了闭环现象,这种闭环现象会产生环形天线,增加EMI的辐射强度。- ?2 |' O+ |- B1 B# H
- w" R! c0 {9 g, J5 |; v% i' K) x0 l+ O% V; R4 s' x* L* J" G1 T8 O, s' |
规则三、高速信号的走线开环规则
4 N `8 r! e9 ]0 J( f" P# K6 H5 w规则二提到的高速信号的闭环会造成EMI辐射,同样的开环现象也会造成EMI辐射,如图3所示。( l8 }: w9 [' S; D- x9 U: |5 W3 p0 @2 \9 I: x" L+ ?$ \& H A
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图48 }/ X! f( Z5 d$ j* k- r0 o4 }3 P% `2 X8 V; ^+ p
也就是,同层的布线宽度必须连续,不同层的走线阻抗必须连续。7 g$ x! Z \7 F6 k a5 e4 G7 z: s+ W. ^ l
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规则五、高速PCB设计的布线方向规则
5 c5 x: y& W4 u8 x! b相邻两层间的走线必须遵循垂直走线的原则,否则会造成线间串绕,增加EMI辐射,如图5所示。' u& O7 x4 ^8 G: ]; t2 Z. h8 F" K8 p* M
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图6' k s! w7 V& h
2 b5 B; d4 U* d" L$ t' p如图6所示,就是我们常用的菊花链式拓扑结构,这种拓扑结构一般用于几MHZ的情况下为益,高速的拓扑结构我们建议使用后端的星形对称结构。: }- g: t7 f4 u- a7 l* Q5 [
3 o+ J( U: m8 N" W- c. ^7 p; p5 o$ g7 m6 z2 g% X
$ r( [, g6 V2 g9 [0 u/ v/ B规则七 走线长度的遵循规则, M+ f* m! o' h9 Z% n" j( r f
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图86 k' Q1 u: w/ a. o0 {3 `
8 y; E' z. g. g2 }; d' {) D所有高速信号必须有良好的回流路径,尽可能的保证时钟等高速信号的回流路径最小,否则会极大地增加辐射,并且辐射的大小和信号路径和回流路径所包围的面积成正比。
! P5 w+ ]( ]0 [7 e2 {1 o$ i) N S4 c/ e- d- x V6 ^) o1 h
: I: q. x9 e; d/ _规则九 器件的去耦电容摆放规则
R% k. e; E% I7 S1 k" m, v q& c# e* Y; E
去耦电容的摆放位置非常重要,不合理的摆放位置,是根本起不到去耦效果的。去耦电容的摆放原则是:靠近电源的管脚,并且电容的电源走线和地线所包围的面积最小。
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