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提高开关电源效率11个点

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发表于 2023-1-9 17:44 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、在开关电源次级输出端的肖特基上并一个小功率快速二极管来代替RC吸收,效率一般可以提高1~2个点。5 d, ]) L+ r4 Y+ D# Z
- X: U7 t  |" v8 C, R7 \
- I& ]/ p( k# [8 M0 v" F9 Q5 l4 `" H  o: W% n# ]; p
' @  O" B! F* w2 B( C0 ]& o8 W
8 G5 I( z1 v. k; Q5 {1 P+ ~2、在体积和面积的允许下,尽量选用PQ RM型的变压器,在安规允许的情况下,变压器不加挡墙效率可以得到提升。. j  d' S2 U7 k. {' |$ ~' n+ f

* k/ u2 k" {3 C2 n, {- j& _; H- N5 M2 ^1 W: c# y7 a0 S* R
! r& i( e4 s& F7 l
3、输入和输出的电解容量值。; V, l9 E9 A1 t  I# O7 D% J$ w1 e0 S; j7 o+ C  ]/ T# @7 X
. @# h. [4 A! U( e; H9 e& _
8 [2 Y! f+ J$ v9 eAC输入整流电解容量低时效率会低0.2~1个点,何为低?用示波器看AC输入整流后纹波,小于10W功率,纹波10~30V为佳,大于10W纹波在5~20V为佳。
$ X4 l  P7 I! M7 w4 b  o, B+ [  d5 o8 T; X: K
( I. H9 }8 B# Q3 `8 Q5 f- v
1 Y8 Z1 K! i, u( x3 u1 {4、主电流回路PCB尽量短。- Y( S$ C2 K# E5 d+ [( c: W" d% e; x, f2 _5 Q6 {9 z
. o2 H' N. c" k+ Y$ n. l8 D. U6 U& _. t, O$ P: z8 M3 j3 l$ R
# f/ ?) i% w- |/ b: z, m
% `; c' \" p- e" _8 g+ H6 ?) y* b) p- Y9 @' @! N% K4 n
5 g& r$ H9 `  L1 E8 O5、优化变压器参数设计,减少振铃带来的涡流损耗。+ a6 A; r/ c4 C0 R9 K1 g
+ W6 r6 l0 ^4 F
8 L0 X- B, h, ~( G4 ]! J3 i9 i$ t# X# ]% F4 b, w# T5 |6 z' B; l  d! _; V
0 @& \% f7 t! m$ q
6、合理选用开关器件。' }* V8 a+ K0 b( S) L) L3 ]( T* T% C% E9 R; |
& s. }& K0 E1 K5 [8 A% Q- p
减小开关器件损耗的直接途径是:选择低导通电阻、可快速切换的MOSFET;选择低导通压降、快速恢复的二极管。通常,增加芯片尺寸和漏源极击穿电压,有助于降低导通电阻。因此,选择MOSFET时需要在尺寸和效率之间进行权衡。# K0 B4 m7 }. s, q; I2 f  |

) I" l* J, m+ c- z$ L6 y. K1 G: {3 ?" ~, x: l& s, {7 X
7、输入EMI部分优化设计4 l+ X( F2 z* i3 E* @4 S) j
0 S3 N  B* j4 r& n  o# U1 i3 e3 e0 i: Q) o8 I
, l5 U3 N. u" R  Q$ f) A
' _2 L% {  m4 F0 J$ o: ]6 k
8、选择高效率的拓补结构+ a' E: h& i4 O' m( h
/ v2 x* t, H) Z+ P( ?; N/ _5 S( ~1 E- i4 c9 A* s2 [3 q1 W; Z( R' V
7 l2 A0 x/ ~- u  J* `% y) a( s6 F7 u; w7 h

: h1 A6 i$ E7 w4 \! [, m- @9、选择好的电解电容8 @1 V* D  e/ B7 }' J& J$ x3 O
& h) l" h* G! o% p0 l/ ~, @7 k+ h( ]; p+ a& V' v8 J3 V& o
  Q6 s7 R3 L1 }" x3 \电容在电源电路中主要起稳压、滤除输入/输出噪声的作用(图4),电容的这些损耗降低了开关电源的效率。
8 w9 q) J9 K. m* T4 p+ I$ p& g) Z, u0 b+ x
3 ?7 w4 S. ]8 x2 t) }6 }
4 Q/ a0 H& N5 c. [10、启动部分功耗设计
8 i2 z. I  s4 d+ r% O' J* j9 J5 D1 o* N6 L. Y% W
! K. n- `! r# V  }
7 G: }& K4 d  B& p. J. R9 B$ E: @$ k) y" K" X
11、芯片辅助供电优化4 z4 V  q; \" C+ ]4 b2 U) P# H+ o
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