半导体部分术语的中英文对照

james814

半导体产业作为一个起源于国外的技术，很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历，或者他们习惯于用英文表述相关的工艺和技术节点，那就导致很多的英文术语被翻译为中文之后，很多人不能对照得上，或者不知道怎么翻译。在这里我们整理一些常用的半导体术语的中英文版本，希望对大家有所帮助。如果当中有出错，请帮忙纠正，谢谢！
: H% l# a& [% G% k. P/ t
常用半导体中英对照表离子注入机 ion implanterLSS理论 Lindhand SchaRFf and SchIoTt theory，又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。' d2 _$ D" L/ }* h' a" n: I
沟道效应 channeling effect射程分布 range distribution深度分布 depth distribution投影射程 projected range阻止距离 stopping distance阻止本领 stopping power标准阻止截面 standard stopping cross section
+ K4 ?3 _' k+ x& `退火 annealing激活能 activation energy等温退火 isothermal annealing激光退火 laser annealing应力感生缺陷 stress-induced defect择优取向 preferred orientation制版工艺 mask-making technology
图形畸变 pattern distortion初缩 first minification精缩 final minification母版 master mask铬版 chromium plate干版 dry plate乳胶版 emulsion plate透明版 see-through plate高分辨率版 high resolution plate, HRP超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization% U! f0 T4 G9 l$ s/ J. F
掩模 mask掩模对准 mask alignment对准精度 alignment precision光刻胶 photoresist，又称“光致抗蚀剂”。负性光刻胶 negative photoresist正性光刻胶 positive photoresist无机光刻胶 inorganic resist多层光刻胶 multilevel resist电子束光刻胶 electron beam resist
X射线光刻胶 X-ray resist刷洗 scrubbing甩胶 spinning涂胶 photoresist coating后烘 postbaking光刻 photolithographyX射线光刻 X-ray lithography电子束光刻 electron beam lithography
) x! x% i: o% ~离子束光刻 ion beam lithography深紫外光刻 deep-UV lithography光刻机 mask aligner投影光刻机 projection mask aligner曝光 exposure
接触式曝光法 contact exposure method接近式曝光法 proximity exposure method光学投影曝光法 optical projection exposure method电子束曝光系统 electron beam exposure system分步重复系统 step-and-repeat system
2 o# Z0 N) p6 P" l显影 development线宽 linewidth去胶 stripping of photoresist氧化去胶 removing of photoresist by oxidation等离子［体］去胶 removing of photoresist by plasma
刻蚀 etching干法刻蚀 dry etching反应离子刻蚀 reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀 isotropic etching各向异性刻蚀 anisotropic etching反应溅射刻蚀 reactive sputter etching离子铣 ion beam milling，又称“离子磨削”。等离子［体］刻蚀 plasma etching6 Z% |6 K4 n/ y/ i% d
钻蚀 undercutting剥离技术 lift-off technology，又称“浮脱工艺”。终点监测 endpoint monitoring金属化 metallization互连 interconnection多层金属化 multilevel metallization. r0 Q3 m4 @& G) K: m/ k" T$ C
5 V( ?5 i/ @. O% s2 O" s电迁徙 electromigration回流 reflow磷硅玻璃 phosphorosilicate glass硼磷硅玻璃 boron-phosphorosilicate glass钝化工艺 passivation technology多层介质钝化 multilayer dielectric passivation
划片 scribing电子束切片 electron beam slicing烧结 sintering印压 indentation热压焊 thermocompression bonding热超声焊 thermosonic bonding& ]5 D! X7 v0 {# l; ^4 X0 O
冷焊 cold welding点焊 spot welding球焊 ball bonding楔焊 wedge bonding内引线焊接 inner lead bonding外引线焊接 outer lead bonding2 a5 q7 w, Z$ O! T
" e1 K+ y. d2 }$ K7 J! x- t0 h3 g: G梁式引线 beam lead装架工艺 mounting technology附着 adhesion封装 packaging金属封装 metallic packaging陶瓷封装 ceramic packaging/ D0 {( Q  a. e* q
扁平封装 flat packaging塑封 plastic package玻璃封装 glass packaging微封装 micropackaging，又称“微组装”。0 E$ c6 F, [, a- y& M+ z% L
" B" h3 a9 E8 g管壳 package管芯 die引线键合 lead bonding引线框式键合 lead frame bonding带式自动键合 tape automated bonding, TAB8 o# [8 d4 r# Y
激光键合 laser bonding超声键合 ultrasonic bonding红外键合 infrared bonding
) y5 t3 Q5 H5 O* ]4 k- z微电子辞典大集合（按首字母顺序排序）
9 ~5 g4 M: f' Q+ Z+ n9 HA+ y" h% X2 j7 q! ]: b, _$ K9 j
Abrupt junction 突变结
6 K' V& y; ~: F! H) ZAccelerated testing 加速实验
6 ?" w- D% J- Y1 N% Q0 O+ uAcceptor 受主
' O! g  _/ ^+ J6 |: F' T" c5 NAcceptor atom 受主原子: U) w. B  |- ?- q; o: Q
/ `' O; q" |( P9 c" v' P& aAccumulation 积累、堆积) y3 X3 a' r% ?( D- L% [
Accumulating contact 积累接触' _- ?. F& Y1 T7 _9 {( u$ W: d
. O+ A( k4 K# u& I' ]Accumulation region 积累区
Accumulation layer 积累层- a8 f: p1 h. \8 i& l! j- j$ O5 v4 f
9 _4 t% K, D3 y" [! {Active region 有源区
Active component 有源元
Active device 有源器件
Activation 激活5 b* e% M6 c; H8 z; [+ |
  T& ?4 ~, s3 a( w7 p( C+ n8 O; kActivation energy 激活能+ v0 z$ A' ]! B; i1 }
Active region 有源（放大）区0 C! ]1 ]2 a2 r) T& z; H
2 [; v5 V; y8 v. i+ L1 u7 b' hAdmittance 导纳  e, K6 V) \) d9 N2 j8 V1 ^
* i9 g2 U- X# @/ j- T& Z) ^Allowed band 允带
  S) S' G* S+ C2 @' ~; T. W9 sAlloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝: a0 I% O* ~# o2 I% o4 [
* r2 R. r, W8 u" {7 AAluminum – oxide 铝氧化物7 a9 ~: Y7 I3 L- q4 z
Aluminum passivation 铝钝化
; P' K+ n" a2 \' B4 W5 _Ambipolar 双极的
Ambient temperature 环境温度- ^8 I& T: ~' O5 `
5 x; O% a0 h# `3 l; _Amorphous 无定形的，非晶体的
& m( m' o- A2 T, o' @+ LAmplifier 功放 扩音器 放大器9 o! y7 S# q+ h. }# B* }
& n( v& o! R. mAnalogue(Analog) comparator 模拟比较器 . H' Y7 a; X- P
Angstrom 埃Anneal 退火
Anisotropic 各向异性的) e- s* |2 `- d) J' O$ A
Anode 阳极
! |0 j+ H- W! F" \Arsenic (AS) 砷
Auger 俄歇
Auger process 俄歇过程. `+ i( l5 _, P* z$ P
' |7 X2 t5 i% ^8 \( C( dAvalanche 雪崩
" V3 a& G  N+ z: U1 \% B3 R7 jAvalanche breakdown 雪崩击穿
Avalanche excitation雪崩激发B
Background carrier 本底载流子
( ~7 |: i; V$ ~/ v" {. GBackground doping 本底掺杂. s9 Y/ o# R" a9 u
Backward 反向
Backward bias 反向偏置# A. w. C! w9 D; P1 B2 g
5 p1 P1 @1 p% r- f7 V' ABallasting resistor 整流电阻
- ?; y% ^5 a6 E+ w5 N1 Y# c% XBall bond 球形键合
, k" w1 ?4 V0 B7 q7 bBand 能带: M. ?# f4 b1 n% l+ g2 l2 e
Band gap 能带间隙" ?% m3 U  Y) b$ A  C* J
Barrier 势垒( [% }9 w7 B& l* |( i
: t  R9 X9 O  d; E' P% R: }5 sBarrier layer 势垒层2 D4 Y' P1 x! y4 q5 v. d- Q1 y* r
  ^9 F$ m# C2 S  O( kBarrier width 势垒宽度  V* x. C- C  S3 s: Y+ ]" d8 A+ u8 M
# k& D: Z) _* X7 [Base 基极
/ ?( z2 C- t+ {( |! V+ EBase contact 基区接触! C# X' W7 B, R' t" Y1 n
9 N( O# C0 a3 P: vBase stretching 基区扩展效应' F9 |5 f. _) b) T- Q
" L+ U/ h: G1 P# h0 h; tBase transit time 基区渡越时间9 G) ?+ g+ |" n5 J* C0 [; {+ H
. P% Z6 v2 t9 z/ V( A# cBase transport efficiency基区输运系数8 L: o/ N+ Y$ s
Base-width modulation基区宽度调制
# l& C  {/ \) O% ~7 h1 D2 CBasis vector 基矢
1 B* n' J4 K1 y3 X' y3 w! BBias 偏置
4 K7 L5 A! `& f+ @! p+ jBilateral switch 双向开关( J7 j0 J0 k, f9 G4 ~- q( g" N
  N7 @6 i5 @# h0 ?& b2 u+ oBinary code 二进制代码3 x! P# q$ b: n7 q" n% a" K& L) B
Binary compound semiconductor 二元化合物半导体! T4 A# t8 `/ @  x! a8 X! C( z
Bipolar 双极性的# v, `; [( f5 r
Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管
Bloch 布洛赫, ^. ^& S" b% f6 y8 \9 r8 j
0 I4 X( x  }1 HBlocking band 阻挡能带. {* j/ F: }' T
Blocking contact 阻挡接触
Body - centered 体心立方
$ u, `4 C5 E& ^% o# [! S+ A: J9 `Body-centred cubic structure 体立心结构
4 _. |' W0 G* s( w/ v- [Boltzmann 波尔兹曼; M8 s0 F* h2 c# `  ^% Y3 s
Bond 键、键合; z. O3 ~6 i, }2 V
Bonding electron 价电子; {" V# z9 \( X5 |* D3 H3 {
! ^' Q* L2 D2 Y& ~4 xBonding pad 键合点% D5 Q( ^& E# `
; ~4 ]( @: Y4 ~6 k' V+ gBootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器- C3 ?- A) |5 `  j  j
Boron 硼
Borosilicate glass 硼硅玻璃8 w3 |" H# U) T* [* ^3 D' o+ V
Boundary condition 边界条件9 ?6 S1 v  j$ k' l, V
Bound electron 束缚电子
Breadboard 模拟板、实验板
Break down 击穿% v+ L& I1 p9 E$ B% M* E4 D
Break over 转折
: N6 B1 a1 x& L% ]% _! r& WBrillouin 布里渊
3 w9 a8 e1 X" @1 X6 |7 c7 y2 g9 M4 gBrillouin zone 布里渊区0 T9 }( i8 {  Y8 o
Built-in 内建的! Q" ~( B5 {  g
Build-in electric field 内建电场. v* x# |, {$ B  R4 s
1 v' n" R' F( V8 ]Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生
( h0 K' i% S$ t/ mBulk recombination 体复合
Burn - in 老化1 Y( [  g8 o5 O, Y0 B
Burn out 烧毁
! t3 s' x' S; [$ |1 h+ `; DBuried channel 埋沟
Buried diffusion region 隐埋扩散区C
Can 外壳0 ~9 Y( }4 f  W- [2 ~2 H
3 K  ~2 Q- k- R: P8 F( `# ACapacitance 电容
Capture cross section 俘获截面& Z7 k4 l  M, h- N! F
. n7 B" o, L$ |4 _9 Q. f# ECapture carrier 俘获载流子
3 Q* }( h) ]; |6 {% z+ |Carrier 载流子、载波& b7 k' S) F. b) s2 _1 u+ M
Carry bit 进位位
Carry-in bit 进位输入
2 Q1 h: t* L$ pCarry-out bit 进位输出5 y- i- X; @, o! ^! S; K) [
- w5 g4 d% l/ p, ]) I6 q, oCascade 级联3 d6 |3 D4 ~% u5 T5 A
/ C1 h6 i; [- J7 f$ q7 {Case 管壳
Cathode 阴极
5 b( _, ?& E8 w/ J$ v/ eCenter 中心
Ceramic 陶瓷（的）
Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿
Channel current 沟道电流
Channel doping 沟道掺杂
Channel shortening 沟道缩短8 ^( [7 x$ s* ?, i5 l- ^
Channel width 沟道宽度  E* ?/ j8 z# q5 r
Characteristic impedance 特征阻抗/ l, Z- j2 B+ D" w* B, c4 @
Charge 电荷、充电9 a; j3 d, W- u  w- [0 F
Charge-compensation effects 电荷补偿效应  J# z- I7 n; C, U2 z: t
Charge conservation 电荷守恒
( p2 g, s0 P# j) H2 n* o4 XCharge neutrality condition 电中性条件, A6 X7 C. ~2 h3 A9 [; P1 T0 n
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
Chemmical etching 化学腐蚀法* }: ?: j& U: L6 N) J% b: I8 l% ?
! Q2 o+ {6 q! B, k- A3 oChemically-Polish 化学抛光
Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光
! C3 g2 t. w* Y2 eChip 芯片) d4 w; E9 m5 P; \5 v% Z/ h
Chip yield 芯片成品率
Clamped 箝位. @4 D9 x9 |3 z. o) o
Clamping diode 箝位二极管9 [& |3 _8 S: i4 G# Z4 ?
: g6 H& Q7 Z& |; H" H9 J$ a* wCleavage plane 解理面
Clock rate 时钟频率: [( m% |: K! p" [. v
Clock generator 时钟发生器
" C7 V" p1 K% B* nClock flip-flop 时钟触发器/ w1 u; E/ A) I- f! ?* I; b0 ~1 q
Close-packed structure 密堆积结构4 K' C/ @0 q6 t7 V0 s/ X
' _- L% X" V! z2 I) b+ U, V6 IClose-loop gain 闭环增益! c+ u' v/ R% i( @& n: T
% w, s- A- i; k3 rCollector 集电极
Collision 碰撞6 X" O" g! R8 N6 A
Compensated OP-AMP 补偿运放. Z1 t5 D2 \$ U6 i0 R
) _3 H5 Q5 A$ D. K4 ^9 W) fCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
! P) m: y) O% J, a/ XCommon-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接- x: y! ~9 h3 k8 p  V
Common-mode gain 共模增益; _: w' x0 B* I! A
, C  R0 y# F- j$ K! N7 rCommon-mode input 共模输入# W1 J; Q8 J* L0 M# S( Z( C+ I5 ~+ R/ C
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比
9 [/ m" U/ j& r/ I" k& _- O4 Y9 |Compatibility 兼容性
- w* G0 S* l: h) G/ d$ mCompensation 补偿
Compensated impurities 补偿杂质  }( H( U5 W# }/ _+ X
8 p7 x+ U5 N. C: S" dCompensated semiconductor 补偿半导体" f) G* m) l' m3 I! Y( m$ _
+ x& C$ t% X' K, u! y) J+ ZComplementary Darlington circuit 互补达林顿电路, V0 j  A. q# G' H3 ^# c
! }  Y; f- M, e) l3 P2 NComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)
互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数
; L" P% f  S6 i& p$ D$ KComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造7 q" S. ^( J  B
Compound Semiconductor 化合物半导体/ N# h- B9 c. z8 n) t" P3 T, F
+ `  C0 T; z& ~  f1 ~Conductance 电导. t  \, y; W- h. }$ A/ o, q- M2 m
  M3 J6 `9 G& L) B9 |$ @Conduction band (edge) 导带(底)! u. Z5 a4 u3 u! O+ x; K+ O
' {3 B, V% g& ~& A$ n8 f0 vConduction level/state 导带态
6 m7 l# w/ g2 k0 U. P1 R( y+ Q: cConductor 导体" j3 E* q5 ]  [5 i, e( D, J
0 G. W, v7 Y5 P9 |Conductivity 电导率
Configuration 组态$ ^3 w' m- V/ p& t' q8 `  b
Conlomb 库仑. n& ~5 g% }* x5 d; t# A
Conpled Configuration Devices 结构组态) ]+ I) v( N3 v$ Z; D
5 J; x+ \& }9 }0 F" \; ZConstants 物理常数
Constant energy suRFace 等能面
Constant-source diffusion恒定源扩散
1 B+ N; e! H8 K' F% w: i. AContact 接触
0 J6 A  |5 D" T* V" A2 zContamination 治污
Continuity equation 连续性方程: I" Q; Q" w# L: _4 N7 z3 s3 F
Contact hole 接触孔
0 A4 s% E# l0 iContact potential 接触电势# c9 @8 h& [6 n% h6 v( l+ \: y
Continuity condition 连续性条件+ c/ l& Q' g* }6 O  f4 R
; g7 n9 j( ~$ U# PContra doping 反掺杂/ `% J" G0 s9 R, Z- ]6 @
Controlled 受控的
  h) Y; ?8 @7 O. UConverter 转换器% {& A0 K9 Q0 A2 b6 Q: q% d
Conveyer 传输器8 C% J& A) ~9 S6 ~& M
Copper interconnection system 铜互连系统
Couping 耦合2 \6 q7 q0 H) B/ P/ |4 O- i
. S3 I2 z1 p& W3 gCovalent 共阶的6 U# P, Q  k, z
Crossover 跨交9 g/ g4 D/ v0 Y1 }. m
' j* H: \# z; Y+ }; y" X+ s* DCritical 临界的+ @- M: x+ V* l& ]5 Y$ N
Crossunder 穿交( C  }9 ]7 B% X! L6 _- x( W
Crucible坩埚
+ y+ i7 P8 I% [/ _9 d  p" yCrystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
Current density 电流密度
Curvature 曲率
% M3 L+ D3 U5 Z2 t8 K- }9 z% oCut off 截止8 `5 R$ f; L9 h# F
Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享' E4 _, t! D6 ^' ^
' R$ Z7 o3 }) L2 v! R. ?; ZCurrent Sense 电流取样
Curvature 弯曲# A; X- ?$ ^5 S
Custom integrated circuit 定制集成电路7 a0 `; x6 f9 F/ Y; I# R. m/ L
Cylindrical 柱面的
6 u3 T) N3 c3 h) ~( r+ c! cCzochralshicrystal 直立单晶
7 g) t+ H7 j! K" ICzochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）D
$ a6 t) M; \, y' |2 c  s! EDangling bonds 悬挂键) {% N0 k4 R; P/ f+ ~9 n
& M5 ^0 M2 E4 N5 y  g- I2 uDark current 暗电流
Dead time 空载时间1 t  }5 W& Z7 W; Q% {% f4 |+ z
8 D! H/ j, Q/ u  G  `2 p" d! VDebye length 德拜长度: h2 R3 r5 F# t
De.broglie 德布洛意! m' |! m/ J+ P, d8 x0 ^
Decderate 减速  R* Y6 q; y  y
Decibel (dB) 分贝; g! W: C- A$ O( b
Decode 译码2 A1 y9 u6 \; w8 L
Deep acceptor level 深受主能级
Deep donor level 深施主能级
Deep impurity level 深度杂质能级1 y1 w2 G: \* \7 m: b8 |2 z8 \
6 [4 V7 \2 D6 \: B3 QDeep trap 深陷阱6 G9 E: h/ m( E
- N, F) x. s  M+ a; w" U" x8 D6 `5 ADefeat 缺陷7 K3 P9 ]1 ^& I6 A& l5 o" S( p" q
Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度
) d  Y- m  x6 J5 q. FDegradation 退化
' ~6 g; L' z8 w5 q2 V# qDegree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度8 k: V' p, X) i: G
Delay 延迟 Density 密度1 U1 a7 T3 Q- f' F
Density of states 态密度
Depletion 耗尽
Depletion approximation 耗尽近似" w+ Z5 Y9 u  I+ t' x
Depletion contact 耗尽接触( ~6 g: ^) o  l) L' q* p& X
Depletion depth 耗尽深度. v' S& [; S7 Y" t; L- n
4 Y" a7 X8 [! _/ u) r0 RDepletion effect 耗尽效应, j+ h5 u: s% ^& k& x
Depletion layer 耗尽层
Depletion MOS 耗尽MOS* b: [- l+ A8 Q3 R( h6 T
Depletion region 耗尽区
Deposited film 淀积薄膜8 z# {# E) D" @3 |& y7 y9 T
Deposition process 淀积工艺7 ~% C' X5 @+ Z) k6 y& i
Design rules 设计规则
Die 芯片（复数dice）& X) ~9 j, r* L5 E5 o
  B. t" n& k2 m2 g& A* GDiode 二极管# V/ g# M# ~( s
Dielectric 介电的8 S: }$ R2 R$ v+ h1 I! c
" I- i9 I4 M+ r% `Dielectric isolation 介质隔离
Difference-mode input 差模输入
$ ]4 U1 `- R5 n; l' DDifferential amplifier 差分放大器4 t, L4 c" S+ g% [# _5 Q8 _( x0 o
Differential capacitance 微分电容
( A5 j* J$ ]; z. k- a/ aDiffused junction 扩散结
0 r! d6 p. k4 M& O/ @% J4 i8 V& Z2 vDiffusion 扩散0 @3 D' l# P+ Q6 u7 l3 Z, {
Diffusion coefficient 扩散系数" {2 s# d' u; U% L3 F
Diffusion constant 扩散常数
/ ]: J/ l% f) vDiffusivity 扩散率
$ K# R: Y+ j9 L& MDiffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉) k2 I: z6 |. e( P  h
Digital circuit 数字电路
Dipole domain 偶极畴
" C5 y1 p- D) r9 n7 Z+ U4 b7 ZDipole layer 偶极层
Direct-coupling 直接耦合) \- U; _; E  H# f6 o8 u
5 b8 W2 M% r& n, S* pDirect-gap semiconductor 直接带隙半导体+ H/ e. x9 r+ }5 e' X
9 A8 ~( o5 P* j: t# |Direct transition 直接跃迁/ `3 i* P7 L' o  z0 }& M3 n& q
8 o% c* @4 E$ XDischarge 放电$ X  X) a7 @9 F) ~5 I4 k  j4 Y
+ @$ P6 [7 H3 T7 \2 hDiscrete component 分立元件8 |7 V6 j9 A$ a
Dissipation 耗散
/ H7 [9 P; n* `9 N+ F