System SI做DDR眼图仿真时，走线参考电源平面或电源平面的差别

F小飞

请教一下大家，在做使用System Si做DDR眼图仿真时，如果DDR走线有用电源平面去做参考层的话，我们在使用Power SI去提取S参数是时，需要做什么特殊的处理吗？
4 q0 d- b3 k2 R0 f最近在做一个DDR4的眼图仿真。用的是System SI +Power SI 。
* G8 A$ K7 G" _5 r* z7 l这是个4层板，层叠是S-G-P-S,但发现TOP层的走线，因为参考的是GND，仿真结果跟原厂的仿真结果接近，但是BOT层参考电源平面的结果就比原厂仿出来的差很多了，这个是不是因为我这边的操作有什么问题？大家在遇到这种参考电源平面的情况，会做什么特殊的处理吗？
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要对比跟原厂的相比，这个电源的电容用的是什么模型

F小飞

mggimg 发表于 2023-10-19 14:50
; X, r$ C3 `( m! P/ `* d3 _要对比跟原厂的相比，这个电源的电容用的是什么模型

6 t4 F$ W9 N. l之前我也有考虑是不是这个电源平面的电容模型不一样，导致电源平面的参数不同，所以参考这个电源平面的走线眼图才跟原厂的差异比较大，但是感觉这个差异差了30％多，应该不大可能吧？

有你相随6266

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