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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › PMOS竟然导通了？！
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楼主: Scisci
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PMOS竟然导通了？！

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guchenglihua
  • TA的每日心情
    开心
    2025-9-9 15:06

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    [LV.8]以坛为家I
    16#
    发表于 2025-1-2 16:29 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-2 16:274 x( M' }' m7 {& c& i& i- K
    这个图有防倒灌功能吗？BAT1供电时，BAT2有没有电压？
    9 T  \8 T: w2 @% @& ]$ k
    有呀，给备用电池灌点电不少很正常吗，但备用往往电压比主电池高，所以不用担心灌点问题。
    / z2 m/ y1 ]% {/ j

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    huo_xing
    好吧。你高兴就好  发表于 2025-1-2 16:31

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    guchenglihua
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    [LV.8]以坛为家I
    17#
    发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 15:33
    ) U. c6 Z* ]4 U$ m这边的疑惑是M1为啥能导通了，（看现象是），（对M3接法，故意让它体二极管上电导通的）
    , c, H1 e* r- G! \  v# b* K! |
    是不是真的导通了，光看电压没有，最好串给电流表，看下是不是持续有电流，还是说只是寄生电容充电放电导致的你目前看到这种情况。, b9 W; z  ^3 P% I. v

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    18#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    本帖最后由 Scisci 于 2025-1-2 16:49 编辑 6 i+ a% H) f% r
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:224 Y0 }! `9 J+ {  a: U& ~' j9 z
    你从那里看到M1是导通的？如果M1导通了那么M3还能导通吗？你不知道MOS有寄生电容吗？来网上给你扒一个双 ...
    # c, F" V' b) F+ q
    好哒，可是，M1如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的电压啊，想不明白，另外如果M1是导通的话，M3失去作用了，始终通过体二极管导通，会有问题（发热很厉害），不知小弟分析的对不对，我10楼有再贴一个仿真验证。
    $ A. ?3 \& Q: p: G6 C* X8 p3 Y1 f

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    guchenglihua
    的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗？  详情 回复 发表于 2025-1-2 16:48

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    Scisci
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    19#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:38 | 只看该作者
    bazhonglei 发表于 2025-1-2 16:228 y+ ^7 y: U) S5 T! f4 z
    看M3的D和S方向!!

    + e: X/ r+ u; k; l( @9 R4 l故意对调的，另外这边疑问是M1不是M3，M3故意让电压过来的  Y$ L9 I" z! Z' b2 _5 |4 p2 C

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    guchenglihua
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    20#
    发表于 2025-1-2 16:48 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 16:36
    6 |1 G! X+ q8 @2 S8 s好哒，可是，MI如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的 ...

    + O2 _& F: h. G的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗？; t* a5 H+ u6 t. u+ W/ v

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    Scisci
    这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该是逻辑正常，为啥啊，没想通。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:03

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    21#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:03 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:486 j: r1 J2 }4 w% |7 [: Z7 u5 n
    的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有 ...
    % [, E$ C& p4 ~6 y2 m& W3 z
    这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该是逻辑正常，为啥啊，没想通。
    ! q- J: `- ^  k! e; n

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    带300R负载测试

    带300R负载测试

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    guchenglihua
    那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通，所以才有之前的事情，而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:23

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    发表于 2025-1-2 17:23 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:035 y; u' Q  Z) K! r; g; w' M! a
    这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该 ...

    . J3 S/ ]) K7 T+ B0 s那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通，所以才有之前的事情，而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。, O" s, d/ M/ z

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    Scisci
    是不是一定这样导致的，暂时不知道，不过是听懂了，而且很有道理，M4这个管子DG（漏、栅）之前的寄生电容真会被充电的话，那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了，糟了，又长脑子了。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:36

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     楼主| 发表于 2025-1-2 17:36 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:239 d! M9 [7 s5 Y5 @) E* i2 X5 {
    那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上 ...

    % L( x1 ^$ R" c4 n9 q$ e! C3 d0 Z6 \是不是一定这样导致的，暂时不知道，不过是听懂了，而且很有道理，M4这个管子DG（漏、栅）之前的寄生电容真会被充电的话，那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了，糟了，又长脑子了。4 \7 b+ Y3 l  c% @

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    Scisci
  • TA的每日心情
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    24#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:40 | 只看该作者
    貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。。。! L, a3 B, w1 s. o

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    huo_xing
    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？ 当然，如果你要求不高，单个mos还是可以用的。比如：不在乎空载漏电，没有两路电源同时使用，不在乎产品的死机率等。  详情 回复 发表于 2025-1-4 10:20
    guchenglihua
    不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了，这样会对左下角这个电  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:55

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    guchenglihua
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    25#
    发表于 2025-1-2 17:55 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:40
    & e  v9 r- r9 b' ?3 }5 w貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...

    / K: t' Q9 [: u不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了，这样会对左下角这个电源一直放电。0 w) f# K; Q9 I

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    Scisci
    被发现了，这个电阻原先计划300K，只是为了验证M1为啥漏极有电压，故意设小（加强下拉看看），感谢。  详情 回复 发表于 2025-1-6 10:19

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    IO357
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    奋斗
    2019-11-21 15:17

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    [LV.1]初来乍到
    26#
    发表于 2025-1-4 09:08 | 只看该作者
    R1是330K   2.249V，   加了R3 330R 2.99V，  符合分压电阻计算结果。  对应电阻值是907.5K， 这个值是哪来的？

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    huo_xing

    该用户从未签到
    27#
    发表于 2025-1-4 10:20 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:40% o& T' f+ n2 T6 D
    貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...

    5 q% u7 [+ W" F- i) Z本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？
    3 M* y0 \6 {: |4 c当然，如果你要求不高，单个mos还是可以用的。比如：不在乎空载漏电，没有两路电源同时使用，不在乎产品的死机率等。
    + P# B6 l' a' h4 g+ d

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    Scisci
    感谢答疑  详情 回复 发表于 2025-1-6 10:21

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    Scisci
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    2025-1-16 15:21

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    28#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:19 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:55
    , q8 f: u+ {& e6 U- r不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V ...
    * M' K4 p% \8 p  f& b
    被发现了，这个电阻原先计划300K，只是为了验证M1为啥漏极有电压，故意设小（加强下拉看看），感谢。
    - g& D6 T# H$ j, M$ r. w

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    29#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:21 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-4 10:206 m( }( [, O, [1 K2 M/ k
    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？  J: e$ M" l" u% b% E! o# K
    当然，如果你要求不 ...
    : k4 `$ n3 K* v, u6 ?$ ~
    感谢答疑2 [: @! p# V0 o; i9 R

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