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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › PMOS竟然导通了？！
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楼主: Scisci
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PMOS竟然导通了？！

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guchenglihua
  • TA的每日心情
    开心
    2025-7-18 15:23

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    [LV.7]常住居民III
    16#
    发表于 2025-1-2 16:29 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-2 16:273 A0 q) {! ^$ x0 P
    这个图有防倒灌功能吗？BAT1供电时，BAT2有没有电压？
    8 h7 v- b" x9 I& g
    有呀，给备用电池灌点电不少很正常吗，但备用往往电压比主电池高，所以不用担心灌点问题。
    & j* q, I, L' S8 W: A$ x6 l

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    huo_xing
    好吧。你高兴就好  发表于 2025-1-2 16:31

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    guchenglihua
  • TA的每日心情
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    2025-7-18 15:23

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    [LV.7]常住居民III
    17#
    发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 15:33& I( ~. P' T$ ?
    这边的疑惑是M1为啥能导通了，（看现象是），（对M3接法，故意让它体二极管上电导通的）
    % y: N9 ]0 U8 ~) ^3 C/ j8 `' ^# c
    是不是真的导通了，光看电压没有，最好串给电流表，看下是不是持续有电流，还是说只是寄生电容充电放电导致的你目前看到这种情况。/ E$ f* \" r# l; E- K

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    18#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:36 | 只看该作者
    本帖最后由 Scisci 于 2025-1-2 16:49 编辑
    ! v4 B; a+ t4 X  I7 V& ~
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:22& o2 z$ x; N! p  X' U
    你从那里看到M1是导通的？如果M1导通了那么M3还能导通吗？你不知道MOS有寄生电容吗？来网上给你扒一个双 ...

    ) \  G  b9 i5 h( t' r好哒，可是，M1如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的电压啊，想不明白，另外如果M1是导通的话，M3失去作用了，始终通过体二极管导通，会有问题（发热很厉害），不知小弟分析的对不对，我10楼有再贴一个仿真验证。) Q5 c3 K, ]9 E! A$ h3 {( T

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    guchenglihua
    的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗？  详情 回复 发表于 2025-1-2 16:48

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    Scisci
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    19#
     楼主| 发表于 2025-1-2 16:38 | 只看该作者
    bazhonglei 发表于 2025-1-2 16:22
    : Y3 l8 B0 y, _1 D) ~) W3 K看M3的D和S方向!!

    * E  u3 ]) \! {3 C# I$ G故意对调的，另外这边疑问是M1不是M3，M3故意让电压过来的- X# K8 H" \# g" C. k/ G

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    guchenglihua
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    [LV.7]常住居民III
    20#
    发表于 2025-1-2 16:48 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 16:36
    5 f  \6 ~0 i: c" Z好哒，可是，MI如果不是导通的，那么小弟的仿真图里，为什么M1（注意不是M3）的漏极（D极）为啥有2.9V的 ...

    . Z, d& f8 ?/ H3 C- ?的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有就是如果把R1改成330Ω的话那么M1还会导通吗？  w# u+ o. c1 }

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    Scisci
    这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该是逻辑正常，为啥啊，没想通。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:03

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    Scisci
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    21#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:03 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 16:48
    / Z) q+ L6 @( V4 Y* o: @3 V的确是这样，但是M1导通的条件是M4导通，为什么M4会导通呢，所以之前才跟你说看看串个电流标看看请，还有 ...
    ! ]. G# c& k5 W, H( d
    这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该是逻辑正常，为啥啊，没想通。% N7 N- q- \0 W8 O5 W) |; P

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    带300R负载测试

    带300R负载测试

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    guchenglihua
    那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通，所以才有之前的事情，而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:23

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    发表于 2025-1-2 17:23 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:03) Z4 o! ~7 a  l, L  K% A$ a: W
    这边把R1并联个300R模拟负载（类似于你说的R1改为300R），确实发现M1的漏极电压正常了，被拉的很低，应该 ...
    # L" Y# _5 n1 R2 X
    那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上面的压降足够M1导通，所以才有之前的事情，而电阻改小后充电电流在R1上的压降不足够M1导通所以就会这样了。8 H1 [6 K/ Y& r. M

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    Scisci
    是不是一定这样导致的，暂时不知道，不过是听懂了，而且很有道理，M4这个管子DG（漏、栅）之前的寄生电容真会被充电的话，那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了，糟了，又长脑子了。  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:36

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    Scisci
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     楼主| 发表于 2025-1-2 17:36 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:23
    0 X- g* r. J. k  r$ W+ E. M4 S. |) |+ X那就对了，因为R1电阻太大，通过M3寄生二极管然后经过R1给M4的SD两级的寄生电容充电，这个充电电流在R1上 ...
    % T$ K; s2 S2 h+ L  ]( c' D) c/ p
    是不是一定这样导致的，暂时不知道，不过是听懂了，而且很有道理，M4这个管子DG（漏、栅）之前的寄生电容真会被充电的话，那你说的这个回路路径是对的。目前比较合理的解释了，糟了，又长脑子了。0 n/ `% v/ ]1 l- E: c

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    Scisci
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    24#
     楼主| 发表于 2025-1-2 17:40 | 只看该作者
    貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。。。) |: x1 e! }  t0 `; Z4 [

    点评

    huo_xing
    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？ 当然，如果你要求不高，单个mos还是可以用的。比如：不在乎空载漏电，没有两路电源同时使用，不在乎产品的死机率等。  详情 回复 发表于 2025-1-4 10:20
    guchenglihua
    不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了，这样会对左下角这个电  详情 回复 发表于 2025-1-2 17:55

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    guchenglihua
  • TA的每日心情
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    2025-7-18 15:23

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    [LV.7]常住居民III
    25#
    发表于 2025-1-2 17:55 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:40( m5 t% t0 E6 `1 c! u% A! ?7 o
    貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...

    ) R! ]0 j0 J) b6 U1 M8 ?不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V是不会导通的而且不会通过寄生二极管漏电过来。还有一个不合理的地方就是R2的值太小了，这样会对左下角这个电源一直放电。
    4 ~, Q) Q  q3 j. x3 Y; d

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    Scisci
    被发现了，这个电阻原先计划300K，只是为了验证M1为啥漏极有电压，故意设小（加强下拉看看），感谢。  详情 回复 发表于 2025-1-6 10:19

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    IO357
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-11-21 15:17

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    26#
    发表于 2025-1-4 09:08 | 只看该作者
    R1是330K   2.249V，   加了R3 330R 2.99V，  符合分压电阻计算结果。  对应电阻值是907.5K， 这个值是哪来的？

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    huo_xing

    该用户从未签到
    27#
    发表于 2025-1-4 10:20 | 只看该作者
    Scisci 发表于 2025-1-2 17:40
    6 s% t, Y  W% _- ~4 A2 m: a& Z/ B貌似这个电路没有啥实用价值，而且左下角的空缺电源电压貌似只能比V2大才理论能用，不知道是不是这样分析。 ...
    8 v- E* G$ m* V& t
    本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？  h2 Q/ b9 J4 w! o
    当然，如果你要求不高，单个mos还是可以用的。比如：不在乎空载漏电，没有两路电源同时使用，不在乎产品的死机率等。
    7 D! g3 F5 m7 i- B# v

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    Scisci
    感谢答疑  详情 回复 发表于 2025-1-6 10:21

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    28#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:19 | 只看该作者
    guchenglihua 发表于 2025-1-2 17:55( H# L: d! h* k- @: \; n4 t2 L
    不一定呀，要看M3的VGS是多少导通，至少跟V2一样的电压的时候，M4导通，然后M1导通，这样M3的VGS基本上0V ...
    2 k+ ?2 m, L! y' m( A1 E& G
    被发现了，这个电阻原先计划300K，只是为了验证M1为啥漏极有电压，故意设小（加强下拉看看），感谢。
    : c: O! R/ f& O, |+ e; c6 ?( n

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    Scisci
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-16 15:21

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    [LV.5]常住居民I
    29#
     楼主| 发表于 2025-1-6 10:21 | 只看该作者
    huo_xing 发表于 2025-1-4 10:20
    ' X8 P* ?2 j, ?. |' F& e本来就没有啊。要不然怎么会有背靠背防反电路。发明背靠背的人是是吃饱了没事干吗？
    ; H8 c9 N' z; q* W当然，如果你要求不 ...
    ' u; y5 \; p8 n
    感谢答疑/ F6 g! |/ a/ c! c* j- |

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