nand flash的WP、WE、CE、RE、R/B信号线用接10K的上拉电阻吗？

youshan

使用的是SAMSUNG的K9F2G08R0A的nand flash，他的WP、WE、CE、RE、R/B信号线需要上拉电阻吗？

chensi007

我们遇到类似的情况，一般是会LAY上。因为担心MCU端的上拉不够。。

youshan

- o/ m9 C9 c; l9 \# f

chensi007 发表于 2013-6-5 19:02
我们遇到类似的情况，一般是会LAY上。因为担心MCU端的上拉不够。。

8 v: @9 R5 H8 C) V) o我们板子使用的三星的一种flash，1G的，烧写boot和kernal时不稳定，有时擦除不了，这能覆盖，有时烧写一半就停了，得重新烧写。
" \1 [: p! v/ c& c, ]! H, r我们是仿造开发板，开发板上没有上啦电阻。我们的数据线没接，给其他几个控制线接了。我们给信号线的中间串联了75Ω的电阻，开发板没有。layout的等长是没有问题的。falsh的读写时钟是40M.  这个速度感觉不高，即使没有等长，也不存在什么问题。

chensi007

75R电阻太大了。直接换0R或者22R试试。
' P9 |5 N4 d% ^, J& Z" G4 z另外，看VDD是1V8的。我所见的FLASH MEM是3V3的多。

zjg473

一般是串22或者33，没见过串75的。

LLHHJJNQN@163.c

没必要上啦，也不用串电阻。

smilly

R/B需要加，因为Flash的输出是OD方式的，没有上拉会有问题。其他几个信号加上上拉可以提高可靠性，但不是必需的。