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楼主: myeda_365
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高速信号SATA、PCIE、USB3.0等差分线串接0.1uf电容问题

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    开心
    2024-2-21 15:59
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    [LV.8]以坛为家I

    16#
    发表于 2015-3-7 08:56 | 只看该作者
    如果是PCIe到连接器的,AC电容放连接器端。

    点评

    版主说的没错,一般来说,AC电容需要离连接器的距离不要超过500MIL。  详情 回复 发表于 2015-3-9 08:59

    该用户从未签到

    17#
    发表于 2015-3-7 22:54 来自手机 | 只看该作者
    myeda_365 发表于 2015-3-6 17:26( ^& x2 c) h  e: N+ S
    不是AC电容不是已经隔直了吗?提供正确的直流偏置是什么意思
    + g( p, y. q8 P' n! s
    Sink端的直流偏置电压和source端的直流偏置电压不一样,故要采用ac电容耦合信号。
    * Z  k' w% p0 [3 l+ d* h: [7 G

    该用户从未签到

    18#
    发表于 2015-3-9 08:59 | 只看该作者
    dzkcool 发表于 2015-3-7 08:56
    / e( C4 J: p5 B; D6 M如果是PCIe到连接器的,AC电容放连接器端。
    , C& b  K$ v8 k% T
    版主说的没错,一般来说,AC电容需要离连接器的距离不要超过500MIL。

    该用户从未签到

    19#
    发表于 2015-3-10 13:17 | 只看该作者
    ac电容,除了位置如上所述,还一定记得参看芯片手册中的电容规格要求,实际上,我们用在sata上的电容,耐压50v的,时间久了后,性能会有所下降,严重时,甚至无法识别硬盘,最好还是用芯片手册中规定的10v的---切记。

    点评

    同问啊,50V更差?  发表于 2015-3-14 09:03
    对你所说的很感兴趣,为什么用50V的反而会更差呢?请不吝赐教。  详情 回复 发表于 2015-3-10 15:16

    该用户从未签到

    20#
    发表于 2015-3-10 15:16 | 只看该作者
    bluemare 发表于 2015-3-10 13:17
    # w6 r: _4 H2 ~" f7 V. @9 D# Aac电容,除了位置如上所述,还一定记得参看芯片手册中的电容规格要求,实际上,我们用在sata上的电容,耐压 ...

    + d; j* K% J# i, f# ?% Q对你所说的很感兴趣,为什么用50V的反而会更差呢?请不吝赐教。

    该用户从未签到

    21#
    发表于 2015-3-10 16:05 | 只看该作者
    这个电容应该放在靠近进口附近吧,电脑上的HDMI有类似的设计

    该用户从未签到

    22#
    发表于 2015-4-27 20:36 | 只看该作者
    学习啦,都是高手啊!

    该用户从未签到

    23#
    发表于 2015-4-28 09:22 | 只看该作者
    1.高速线上的0.1uf的电容是交流耦合电容,只要是交流耦合必须要的,否则就是直流耦合了。/ Z* {( v: t8 l2 K1 V+ s
    2.关于0.1uf电容的选择。不是仅仅选择0.1uf这个值而已,电容选择的大小要看高速信号的频率(ex1G  10G 25G),也要看是否其需要传输低频信号(长0  长1的那种)。  根据具体情况会有不同。  但是为i什么我们一般都是选择0.1uf的电容呢? 因为这个值基本可以满足大多数到10G的应用。     4 O# a2 l8 ~, Y6 `5 z8 d. @' V- W
    3.不是选择了此0.1UF的电容就完事了。电容的封装设计也非常重要。 电容的封装一般选择越小越好,常用0201的。目的是减小电容处瞬态阻抗偏低。 故会在电容处的焊盘特殊处理。 电容的ESR ESL(特别重要)尽量小。

    该用户从未签到

    24#
    发表于 2015-4-28 11:06 | 只看该作者
    学习啦阿拉阿拉阿拉阿拉:lol:lol

    该用户从未签到

    25#
    发表于 2015-4-29 07:14 | 只看该作者
    若华110 发表于 2015-4-28 09:22
    9 _4 r9 a5 f" f7 l5 b( E, A1.高速线上的0.1uf的电容是交流耦合电容,只要是交流耦合必须要的,否则就是直流耦合了。
    + r0 \5 t/ t8 c7 R3 l) R+ C2.关于0.1uf电容 ...
    8 @! u' ?0 o. S4 ~. b6 c
    若华110兄弟的回答比较全面,赞一个,我补充一下:4 t( z" b1 O9 l) R' o* z

    % t" p2 ^( a& d0 V$ U! Z: H1、电容看成一个阻抗不连续点(所以要求尽量跟传输线匹配),如果靠近接收端放,相同的反射系数下,信号经过通道衰减之后再反射会比一开始就反射的能量小。所以大多数的串行链路都要求靠接收端放,使用ADS仿真也可以发现放在接收端眼图质量要好。另外,在信号传输过程中,也可能串扰进去一些直流分量,导致接收出问题,所以对于高速差分信号(要求交流)一般加入耦合电容。耦合电容容值标准上有要求,太大太小都不好。
    . }$ R9 ^& e7 K& w& j5 d3 j+ B, [, ?* R. i+ r; O* O+ `3 z

    / W0 s: [6 t/ h0 P& \5 U2、在SATA信号传输的过程中会有衰减,传的距离越长衰减会越厉害,所以会给他一个载波(也就是直流分量),在进入IC或都SATAdevice后再用串电容的方法把直流分量滤掉,这样做会有比较好的信号质量。也就是隔直作用。2 g5 @$ u3 y8 [% j; V  `! f# g

    % W% y0 y* ^6 C/ A4 m

    . o1 k) x/ r6 g$ z+ @  N3、PCIE放在发送端是协议规定的, 记得放在近端TX是给detector 做充电检测device用的。( J! u# _; q3 H& _# }

    3 {- M% F$ }2 @! {" X  K1 t2 ?5 U4 s$ B/ |

    2 G# ]+ P: B' ?  `! q. J' _+ R. t7 Q3 J$ _. i  b1 |& r+ h! \% E
    / F, ~2 E0 _; O: d; K

    该用户从未签到

    26#
    发表于 2015-4-29 07:17 | 只看该作者
    若华110兄弟的回答比较全面,赞一个,我补充一下:  1、电容看成一个阻抗不连续点(所以要求尽量跟传输线匹配),如果靠近接收端放,相同的反射系数下,信号经过通道衰减之后再反射会比一开始就反射的能量小。所以大多数的串行链路都要求靠接收端放,使用ADS仿真也可以发现放在接收端眼图质量要好。另外,在信号传输过程中,也可能串扰进去一些直流分量,导致接收出问题,所以对于高速差分信号(要求交流)一般加入耦合电容。耦合电容容值标准上有要求,太大太小都不好。   2、在SATA信号传输的过程中会有衰减,传的距离越长衰减会越厉害,所以会给他一个载波(也就是直流分量),在进入IC或都SATAdevice后再用串电容的方法把直流分量滤掉,这样做会有比较好的信号质量。也就是隔直作用,所以放在接收端。   3、PCIE放在发送端是协议规定的, 记得放在近端TX是给detector 做充电检测device用的。

    点评

    补充的很好啊,对电容放置位置的原因阐述的很详细,就是最后一点,PCIE的不是很明白。能否再说明下啊,谢谢!! 总得来说,加电容是交流耦合作用,防止收发系统电平不同造成通信问题;容值大小频率有关;封装尽量小  详情 回复 发表于 2015-4-29 09:19

    该用户从未签到

    27#
     楼主| 发表于 2015-4-29 09:19 | 只看该作者
    jianguozoe 发表于 2015-4-29 07:17. b$ V+ f$ d% Z/ B  r5 _% B+ r
    若华110兄弟的回答比较全面,赞一个,我补充一下:  1、电容看成一个阻抗不连续点(所以要求尽量跟传输线匹 ...
    % _9 t( R; e" ]1 |0 s! _' d) ^* Q3 e
    补充的很好啊,对电容放置位置的原因阐述的很详细,就是最后一点,PCIE的不是很明白。能否再说明下啊,谢谢!!
    ; g( `! K/ e+ [总得来说,加电容是交流耦合作用,防止收发系统电平不同造成通信问题;容值大小频率有关;封装尽量小,是阻抗尽量连续;放置在接收端(PCIE协议要求)反射能量较小。感谢各位大神赐教啊,一人说一点就完整了5 t5 ]; X' i% u3 ]" Q) ^

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    28#
    发表于 2015-5-2 14:53 | 只看该作者
    学习了,MARK下 ,以后查询!!!
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