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楼主: myeda_365
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高速信号SATA、PCIE、USB3.0等差分线串接0.1uf电容问题

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    2024-2-21 15:59
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    [LV.8]以坛为家I

    16#
    发表于 2015-3-7 08:56 | 只看该作者
    如果是PCIe到连接器的,AC电容放连接器端。

    点评

    版主说的没错,一般来说,AC电容需要离连接器的距离不要超过500MIL。  详情 回复 发表于 2015-3-9 08:59

    该用户从未签到

    17#
    发表于 2015-3-7 22:54 来自手机 | 只看该作者
    myeda_365 发表于 2015-3-6 17:26
    : S9 i4 K4 h5 K& l# q% M1 ^" Y; S不是AC电容不是已经隔直了吗?提供正确的直流偏置是什么意思

    # n8 Z& \- y9 j/ s/ X# q$ q" |Sink端的直流偏置电压和source端的直流偏置电压不一样,故要采用ac电容耦合信号。- F  g  N7 C' g8 p8 ~/ |

    该用户从未签到

    18#
    发表于 2015-3-9 08:59 | 只看该作者
    dzkcool 发表于 2015-3-7 08:56( X; i! G$ j4 J% \
    如果是PCIe到连接器的,AC电容放连接器端。

    ! ~( z  d) q2 P. G5 d版主说的没错,一般来说,AC电容需要离连接器的距离不要超过500MIL。

    该用户从未签到

    19#
    发表于 2015-3-10 13:17 | 只看该作者
    ac电容,除了位置如上所述,还一定记得参看芯片手册中的电容规格要求,实际上,我们用在sata上的电容,耐压50v的,时间久了后,性能会有所下降,严重时,甚至无法识别硬盘,最好还是用芯片手册中规定的10v的---切记。

    点评

    同问啊,50V更差?  发表于 2015-3-14 09:03
    对你所说的很感兴趣,为什么用50V的反而会更差呢?请不吝赐教。  详情 回复 发表于 2015-3-10 15:16

    该用户从未签到

    20#
    发表于 2015-3-10 15:16 | 只看该作者
    bluemare 发表于 2015-3-10 13:17% a  }/ e* G: e5 I, M" L( r
    ac电容,除了位置如上所述,还一定记得参看芯片手册中的电容规格要求,实际上,我们用在sata上的电容,耐压 ...

    / E, V1 T, F+ i对你所说的很感兴趣,为什么用50V的反而会更差呢?请不吝赐教。

    该用户从未签到

    21#
    发表于 2015-3-10 16:05 | 只看该作者
    这个电容应该放在靠近进口附近吧,电脑上的HDMI有类似的设计

    该用户从未签到

    22#
    发表于 2015-4-27 20:36 | 只看该作者
    学习啦,都是高手啊!

    该用户从未签到

    23#
    发表于 2015-4-28 09:22 | 只看该作者
    1.高速线上的0.1uf的电容是交流耦合电容,只要是交流耦合必须要的,否则就是直流耦合了。4 W( T$ H# d/ ]; ~) {0 R
    2.关于0.1uf电容的选择。不是仅仅选择0.1uf这个值而已,电容选择的大小要看高速信号的频率(ex1G  10G 25G),也要看是否其需要传输低频信号(长0  长1的那种)。  根据具体情况会有不同。  但是为i什么我们一般都是选择0.1uf的电容呢? 因为这个值基本可以满足大多数到10G的应用。     
    % z! L. q- J! S6 q% b1 b/ k3.不是选择了此0.1UF的电容就完事了。电容的封装设计也非常重要。 电容的封装一般选择越小越好,常用0201的。目的是减小电容处瞬态阻抗偏低。 故会在电容处的焊盘特殊处理。 电容的ESR ESL(特别重要)尽量小。

    该用户从未签到

    24#
    发表于 2015-4-28 11:06 | 只看该作者
    学习啦阿拉阿拉阿拉阿拉:lol:lol

    该用户从未签到

    25#
    发表于 2015-4-29 07:14 | 只看该作者
    若华110 发表于 2015-4-28 09:22
    3 T4 C1 N% ~/ k1.高速线上的0.1uf的电容是交流耦合电容,只要是交流耦合必须要的,否则就是直流耦合了。. K0 K' d0 K4 ~" p" l, v6 R  E
    2.关于0.1uf电容 ...
    , _$ D7 t  P( w! [2 s: z
    若华110兄弟的回答比较全面,赞一个,我补充一下:
    : E1 X  }. A" M$ g
    ) W7 B0 ]  v4 l8 i) [9 I6 X& K$ o. X3 ?
    1、电容看成一个阻抗不连续点(所以要求尽量跟传输线匹配),如果靠近接收端放,相同的反射系数下,信号经过通道衰减之后再反射会比一开始就反射的能量小。所以大多数的串行链路都要求靠接收端放,使用ADS仿真也可以发现放在接收端眼图质量要好。另外,在信号传输过程中,也可能串扰进去一些直流分量,导致接收出问题,所以对于高速差分信号(要求交流)一般加入耦合电容。耦合电容容值标准上有要求,太大太小都不好。: d7 A% L# o3 ]( ?! ]5 I4 q# A+ d
    ; p  j5 P" J% c0 r
    ( N. p! i" T" J4 q" r* S% r
    2、在SATA信号传输的过程中会有衰减,传的距离越长衰减会越厉害,所以会给他一个载波(也就是直流分量),在进入IC或都SATAdevice后再用串电容的方法把直流分量滤掉,这样做会有比较好的信号质量。也就是隔直作用。& {& {$ O: |, G7 k' l

    # B  n1 @, S3 m2 d

    ' O8 t0 `" q" X9 W. w3、PCIE放在发送端是协议规定的, 记得放在近端TX是给detector 做充电检测device用的。
    . T6 D# y9 [8 l. J: a9 |6 }5 S2 @8 c3 D7 b+ G7 U5 A2 D! `

    ! V; r' X# ~% z' U2 t/ I
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    % Y! U' `* A. a5 X2 [* E7 x' N

    该用户从未签到

    26#
    发表于 2015-4-29 07:17 | 只看该作者
    若华110兄弟的回答比较全面,赞一个,我补充一下:  1、电容看成一个阻抗不连续点(所以要求尽量跟传输线匹配),如果靠近接收端放,相同的反射系数下,信号经过通道衰减之后再反射会比一开始就反射的能量小。所以大多数的串行链路都要求靠接收端放,使用ADS仿真也可以发现放在接收端眼图质量要好。另外,在信号传输过程中,也可能串扰进去一些直流分量,导致接收出问题,所以对于高速差分信号(要求交流)一般加入耦合电容。耦合电容容值标准上有要求,太大太小都不好。   2、在SATA信号传输的过程中会有衰减,传的距离越长衰减会越厉害,所以会给他一个载波(也就是直流分量),在进入IC或都SATAdevice后再用串电容的方法把直流分量滤掉,这样做会有比较好的信号质量。也就是隔直作用,所以放在接收端。   3、PCIE放在发送端是协议规定的, 记得放在近端TX是给detector 做充电检测device用的。

    点评

    补充的很好啊,对电容放置位置的原因阐述的很详细,就是最后一点,PCIE的不是很明白。能否再说明下啊,谢谢!! 总得来说,加电容是交流耦合作用,防止收发系统电平不同造成通信问题;容值大小频率有关;封装尽量小  详情 回复 发表于 2015-4-29 09:19

    该用户从未签到

    27#
     楼主| 发表于 2015-4-29 09:19 | 只看该作者
    jianguozoe 发表于 2015-4-29 07:174 ?4 }; d( T* ?
    若华110兄弟的回答比较全面,赞一个,我补充一下:  1、电容看成一个阻抗不连续点(所以要求尽量跟传输线匹 ...

    3 l. h! B7 X$ i6 W$ s补充的很好啊,对电容放置位置的原因阐述的很详细,就是最后一点,PCIE的不是很明白。能否再说明下啊,谢谢!!7 y. Z+ e) @* `! [# z
    总得来说,加电容是交流耦合作用,防止收发系统电平不同造成通信问题;容值大小频率有关;封装尽量小,是阻抗尽量连续;放置在接收端(PCIE协议要求)反射能量较小。感谢各位大神赐教啊,一人说一点就完整了
    ! r( |, \& P0 {! z+ {  y$ `

    该用户从未签到

    28#
    发表于 2015-5-2 14:53 | 只看该作者
    学习了,MARK下 ,以后查询!!!
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