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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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支持!: 2.5
给力  发表于 2015-4-22 11:12
支持!: 0
  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
jj9981 + 2 赞一个!
cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333)
! P; v/ S4 v2 u. ^; {5 e; q, |/ o
" j6 ^7 U6 e* n8 D8 j7 r+ S下载请点赞。。+ f  g6 e9 O6 W$ w7 x0 q, c

+ h5 a+ Z0 f7 o: [' p  F3 y* Q不懂可以问。
( C" r  D9 P: T! d
, V7 s, w$ P- O6 `# ?* E. }/ p

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支持!: 5.0
支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑 0 m; R/ s/ i" S( p! c& K
8 j; T! y4 g6 t0 F
新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。$ J2 N, m# ?$ o4 `3 s* T. L/ [% L
0 o1 `' |" ~) u9 [2 X+ R
重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。. X& x8 O7 M+ h( F
DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
7 d- u& B& W) c这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
' V4 I/ f+ l5 z% I9 \3 T当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。
& W# j, ]0 C! \* x. u) d& c! K9 l
3 e3 U$ s: M) U. ~在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,# h- k# k6 y2 v: A/ z% e
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,
) R) G- E$ u4 K* o4 m2 H* ^- p# J而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。0 F9 ~: H0 R- [5 Z2 P3 i

# ?# x8 u  H) [+ a* H$ }

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者
+ e8 T- v7 h9 f

- V3 D+ f: Q0 W& J* {, j" u精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!
8 @- [# g+ G1 A6 U" i  k& X8 t& ~
, t6 [0 x4 I2 J/ I  Q

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35, o2 @4 e) \2 M  l% l
你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
, G& p# O; l( V: A要不你先来一把。悬赏50分。 ...
, n2 b2 P8 z# e. I. [
这是我没搞清楚的地方   + o7 a' o$ O( O0 i0 t

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49/ {" t. m$ p2 m+ S- O& ~" ]% U. c) i
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)
5 S1 Q) ?8 n; c8 V8 ?& B9 Y+ v9 ~1 Y- V: [
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
+ |+ U# j; m5 T
请教版主,突发长度是什么作用呢?" ^3 y- b- O2 E5 B
能否讲解一下DDR上电初始化的过程
0 i2 [9 V% R8 U; I& u

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型
9 m* J# Y7 k6 e2 [# c+ A
+ p1 i/ H) K( E) ^DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
1 J8 M& v" N& q% z7 |  H& n- BDDR1 strobes 为单端信号0 C" }; p# [, e) @5 @6 H9 Y
DDR2 strobes 有单端,也有差分" [3 C2 [6 t4 y1 N$ c9 u
单端信号会增加额外的Derating
- u" I, Z+ x2 p. k差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
7 A0 S! ^) S3 Y  B2 k( a9 F减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序
# L: Z8 t) r( C- l2 f1 C, Q+ y- p; x  @+ W4 I- [; H) K) q

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点) X4 N  {, `  K# \! {6 D
数据传输速率
+ f" r1 Q2 H* G% CDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
% l, z- t* Y" z4 s' D; }  @- W: xDDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s2 n7 d* p3 o, k2 F! `9 R
& U0 N. G* B+ p3 }' t3 F
电平
" e: ~1 i9 s: x$ K  g0 rDDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)2 Z5 r  |7 U+ w) l
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
) Z  n, A) |# X3 {- r( n0 T/ f
6 _( N; e. x/ N9 K驱动阻抗: K! l: Q4 c2 m. p7 @2 h
DDR2 18Ω & 34Ω* B6 M/ e9 q; E  i% r" V4 A
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω), `" j+ z, S6 m8 }2 b$ \8 |

" q1 B( p/ P* f; ]-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
; T- r5 h8 D* e5 D. Q2 M  R$ k' E6 w1 a* J0 _6 e- W

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支持!: 5.0
支持!: 5
  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
: d; _1 h% h/ D# L" x' \% C1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
2 L; t  o# s) V1 q; d数据传输速率# x9 C! C, E2 r1 i9 F3 \6 B
DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
9 ]% `5 B, B' {9 |: k3 v# x) k
应该是频率,不是速率。
9 A  R* `) ~$ K& X, jDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
5 i, C, C/ L5 F! `2 n
+ A4 R3 ~+ j" L( T5 M

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:326 w' `' x* E; L0 r
2.数据锁存(Strobe)类型
: O8 p3 r9 n; U/ @4 Z. f/ B- e, j' E
7 d) l4 V) f/ ], L( |" @6 NDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
2 u3 I* H( l! D  x$ U. V
大神加油,我坐板凳来学习!+ t* ?" V% `0 w( `

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力
7 _9 o$ z, a& a: R! L% R5 uDDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,: Z2 [: P& n, L' l$ U! P
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适
4 i5 W$ V3 c; d$ V. ^  cDDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小9 s9 h  B( w: Z$ ~$ s- W7 ~8 H

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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