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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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支持!: 2.5
给力  发表于 2015-4-22 11:12
支持!: 0
  发表于 2015-4-5 09:21
支持!: 5
此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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参与人数 10威望 +55 收起 理由
deargds + 20
roseast + 2
天天在线 + 2 支持!
himonika + 1 支持!
红孩儿 + 1 很给力!
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cousins + 10 支持!
wangqin + 2 支持!
pjh02032121 + 10 支持!
菩提老树 + 5 先加5分,表达的好再加10分

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 333) ( P/ J) t8 Q& B8 S. c' ~* e

+ O$ n  W1 a# \) @- g2 c  |下载请点赞。。) [; ?9 m& L- J& u5 p) S

6 ], b4 i2 y5 B/ N8 y4 S* l不懂可以问。
% r) @) {/ a& @+ @5 k' U) o$ Q; h, p% `

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支持!: 5
赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑 9 W7 _3 S1 b9 x+ f) ]; t2 v

/ r+ p( ^( u3 j0 E% ?2 ~% l. ?新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。; F3 ~4 C3 ^* D- h( n

/ H) g: m$ r( _% @% R' R, u+ [: \+ T重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
/ T4 r% C6 P7 b! A5 }DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。  x" o% u7 M9 A9 c
这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。
" y8 F# F! G1 {) p+ W当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。" {* @" h# ?( n7 ]) h) I) v

/ w) w0 Q( a- n- Z0 m3 B在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,
- z4 e* l& i8 X& P) k所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,
: Z: \% p# B! D而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。. |; a/ D1 T/ ~

; s7 N6 D. A# t6 E- u  X# C

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谢谢分享!: 5.0 支持!: 5.0
谢谢分享!: 5 支持!: 5
谢谢,学习  发表于 2018-11-6 13:50

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

# C  Y2 W6 |6 K+ o0 ?5 s  c) N+ V0 _9 M# Q8 C
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!% e, e; R& |" E* X( }6 y( V& ]- H
, A- h' H5 k# k

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35
# b, A. k$ ?0 x- Y  Y你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
2 s* E# b% l1 C0 j要不你先来一把。悬赏50分。 ...

9 L6 k, {( u; E% G1 Q5 R, w这是我没搞清楚的地方   
2 Z7 K& F* |- g: h2 {; d9 l

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49
6 u8 T) f  M3 }* u' ]% }7 yDDR3的突发长度(Burst Length,BL)1 B8 Z# K( F# F1 v" x9 `6 b7 f

$ h6 Q! r2 R& k! T, u由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
+ u' w8 d4 a9 J3 w: _
请教版主,突发长度是什么作用呢?+ A* M2 z0 t3 J5 a8 G
能否讲解一下DDR上电初始化的过程
6 o+ }5 X" j# A0 O3 I

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型: c0 k7 E- V1 l# S3 h7 O! R

3 e& _: _1 z. `! [* u( s' eDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分! w5 b" v1 @& g# m
DDR1 strobes 为单端信号6 ^6 u% E# {4 v) S" _
DDR2 strobes 有单端,也有差分6 c& Q! }! z1 I3 @$ X% C/ w
单端信号会增加额外的Derating
9 E; I+ u1 |; h# A  Z$ o5 f差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量
  ?# E/ j: N, W" H# T) G2 Q减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序) F# E! [) n4 T# a4 u7 j7 G6 d5 D

" E1 U2 r9 `8 T" ]

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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2#
 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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3#
发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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5#
 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
2 S0 a* m1 y0 P8 I/ N数据传输速率
6 ^* e2 ]9 O/ e/ S) }0 IDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s/ E+ j' }# s  t, u
DDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s
6 [$ K$ B5 o& G! S  Q; u- r5 X$ X' y
+ P, ]! L( X% i3 r+ q电平 9 T: f, c! [; q2 D
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)2 @, R# r. Q0 d7 {/ q# r/ i! n
DDR3 1.5V (对低功耗有1.35V), F) e' ^2 Z) B/ r* y% `. \

, j, b; G: J  ~" r7 @8 i5 [驱动阻抗" o9 O* E& v" t0 m! w
DDR2 18Ω & 34Ω8 h6 X$ |7 ?# Z9 c% W, w9 Y8 j, o6 n
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)% `4 T; W$ ?- w. g) n/ l
1 B2 v: g. C& X, w8 l
-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。
) I1 Q" p9 i) w7 Q! U! @' q. g" z; X  ^& a, h' X: Z+ t6 a  {

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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6#
发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14
/ K2 m  x) i) C+ V! t  c1.先来看看DDR2和DDR3的不同点" ]) c. k: N1 X/ `, d
数据传输速率
, s, l1 E$ c8 s# K2 cDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
/ A, K+ ]; I" F( Q. w7 W
应该是频率,不是速率。
# e) @# C( _0 @2 o+ jDDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
0 ]4 H# H% j9 ]3 {' G5 X
4 w( e; \& k. M( I/ n( w1 V

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29

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8#
发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:32
' l+ \1 b8 Z) t2.数据锁存(Strobe)类型
8 z. {' @% h3 r  U/ j
* ~9 X, B: G  O8 E* l3 sDDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

. x6 O( o. n4 r大神加油,我坐板凳来学习!
2 @' a' X+ W4 ?1 o+ Y- y

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9#
 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力4 x" ]% N7 y' T/ }
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,
6 y  T+ D' ^9 a8 S/ E对点到点的拓扑,40欧姆比较合适6 d/ a/ ^% Y0 {1 o8 a
DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小5 V1 N/ \* `1 n

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10#
发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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11#
发表于 2015-3-12 16:35 | 只看该作者
版主加油啊,持续关注学习ing

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12#
发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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13#
发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。
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