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本帖最后由 DAA008 于 2012-2-20 09:56 编辑 * d9 B' n3 ?& }2 J
clandey 发表于 2008-12-9 15:46 ![]()
/ ?' m6 I# e* ~5 ?* ~+ I& J$ L晶振的布局一般很靠近芯片，走线一般都很短，所以我也倾向走表层，也没见EMI有什么问题。不过我见过的晶振才 ...
' d* r1 b" X( b6 ]
如果是石英震盪器送出給晶片的走線，建議是走得又短，又在外層。# _/ j# I6 D8 y
誠如上方討論，走內層的好處是crosstalk又少，阻抗控制得又準。
4 y! z6 A6 @' z5 @5 f K R6 O& \) X) o$ H! |+ r) S; C3 j
走線本身會有電容性，拉越長就越多，
' x0 d- X6 S! ^, e4 @. x" Y( G若要走內層則無可避免得打額外的via，這又增加額外的電容性。: Q- \& K: t- o' k8 X
. A+ W; C' e, m( `. G
這一點點電容性一般走線對一般串列訊號是很少差別的，- f, e8 F* ?2 d* a4 C* R
除非走線又長(ex:>15")速度又快(ex:>6Gbps)。3 d8 `/ o: E. i' J, O
但對於震盪器輸出的地方而言，這點點電容會影響震盪的頻率，
( |1 V0 b! L3 ?. K電容越大影響就越多，會造成晶片接收clock訊號頻率差異而無法滿足spec。8 B% ?1 `# l/ I, O% w
0 R# {; [% g2 _3 W3 |) |
至於不是從震盪器出來的一般的晶片互傳的clock訊號，
' z' M# p4 S+ Z+ E$ r走得越長的話盡量把它埋到內層，短短的話就沒啥差了～3 `% D. Y- r4 c% D$ K! S2 w
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发表于 2011-11-30 20:30
发表于 2011-12-5 23:29