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' W3 l6 b: p/ Z去耦电容处理不妥：
: v0 G# o+ s1 p' S$ U0 a/ v& T* v
+ s6 O5 I2 u5 O$ f
( k, Z8 w: Y! L! Y7 m7 l; b: y$ C0 j* H+ q0 P" t& \% B3 C" {5 B
" J" ]8 B9 G8 o
' f6 U! ^$ t5 K1 P6 W
0 l& b6 B+ [. ?+ x1 x8 `- B, z
- }$ W, w l0 f) ? a芯片没有做散热设计：- g. Y# b3 V0 i/ e9 P1 d
3 C, p1 O+ B; W1 i: n C
+ P5 ^) c5 F6 M+ L
6 J) C V8 ^0 x B% a! t: ^" u晶体处理不当：, S, K3 [3 s, H/ w* W! X# d( m
- O( _ r$ Z. ?. Q
3 n- a6 F; D6 g3 R) T
$ t5 J1 Q0 D$ I" t% w% b/ W0 `
2 f3 }- D* B! [* l0 G- f+ ^! p% K2 Q1 I9 Y
线宽变变：3 B9 i N3 l$ C! q! \, M9 E; `
2 m3 @5 M4 P. S: D0 ]' r6 r: R
( `& o6 L, O; }6 m8 H, e7 E
* B# z7 h$ D3 [1 O2 d. ?) C器件可能有干涉：
- k4 J: I. Y6 F7 t% [$ w& u* W: Q9 l/ O" a. A2 F. ~
/ B5 ]' J% D4 a. S) B3 r- E* s& ^5 Z7 \9 ]0 }
此处会产生串扰：! d: V: ]$ V9 S3 g3 E" {; {; g! l+ f
8 [9 |- _1 c; ^, u: m8 ?
0 b5 U/ ~9 ~% p% p3 b; K; E; M$ \ X+ |2 b$ T% ?, o5 V& R
串行总线没有保护好：( W$ i$ `; |0 W2 ]
7 G! m1 E( e1 ^8 O
7 `7 J; L2 w* b3 @4 T ^) N2 H" a8 b' s6 X4 x' O+ a9 s0 }; Y
输入和输出太近：+ N: t( v7 X1 H3 Z
, H7 e& `( T9 ^3 l9 D) ~
: m% q- E# x0 C
2 v6 ]( B1 Q6 \ Z7 Z电源回流路径很差，纹波会很大：
7 Z( k5 q% J" i9 y9 @& L
/ U+ a: J) v! z
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发表于 2013-12-26 17:48
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