PDN仿真时，提取Z阻抗过程中，如何处理串联电感/磁珠的问题

yzzsjc088

% I1 l6 {1 W- q! ~) ~$ \2 v* f请教各位大神，在进行PI仿真时，电源芯片输出电压端口到mcu端电压输入端口串联电感/电感的情况下，有如下疑问：
" b7 J& z0 P5 n6 w6 m: u' o
* K9 F0 H/ M0 L" \: Q' s1、针对VCC_1V2_MCU进行PDN阻抗仿真，是否应将VCC_1V2及其并联的电容，串联的电感L的影响考虑在内？
2、若考虑电感L的影响，使用siwave进行仿真，只能针对单个net进行PDN阻抗提取，目前提取的Z阻抗对应的net是VCC_1V2_MCU，那么电感该作如何处理，才能提取从VCC_1V2经电感到VCC_1V2_MCU整体Z阻抗。
谢谢
1 f9 ~- ~  N3 k- u

EagleJi

蹲个楼，共同学习一下。

hhh虎次郎

这么大的电感，不需要考虑进去；

dydhsnn

一起学习一起学习一起学习
& y  B% ~! l1 n1 L) M

yzzsjc088

hhh虎次郎 发表于 2023-12-5 10:54
这么大的电感，不需要考虑进去；

" Y# g* t! G6 B9 `6 _+ t8 `你好，那如果换磁珠呢，又如何考虑，再比如串联零欧姆电阻。
* t5 f, B7 E4 S% o/ B) Z* h4 A  X0 {# f重点是中间有串联的无源器件时，两边的net名称不一样，SIwave如何提取整体的Z阻抗，谢谢
# p, e, F& g& `2 L/ B5 a

bbbaiye

Good question~

mggimg

你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

yzzsjc088

" K: o# u1 p# b  }) f) L" w  H7 e

mggimg 发表于 2023-12-6 11:31
你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

0 \$ h9 l1 d' {/ y" i2 F7 L1 k无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
. L* \/ `  p3 H3 n( t; F* C. x另外我在siwave软件里面把这个串联器件设置deactive，得到的Z阻抗曲线也没变化。
6 ?$ ]7 I5 d" n9 u, F# B1 d7 M因为port端口是以net名称来建立，而电源网络被串联器件隔断了，两边net名称不一样，感觉应该有地方需要设置一下两边的net，才能提取整体的阻抗。
# s2 H9 w2 h9 A: w: G

mggimg

yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
( |* j0 @/ O" m6 Z; [无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
* }: N4 n2 v* M+ z8 @0 j$ Q9 X另外我在siwave软 ...

9 d/ O6 P* [% Z4 r+ g9 `( R5 a; N说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响
# ?# o, M. y4 ^/ D, t  Q

mggimg

yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
- P5 V# |4 V- H% c7 I" G另外我在siwave软 ...

你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

yzzsjc088

mggimg 发表于 2023-12-6 17:15
说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响

不可能一点影响也没有吧，即使影响再小，Z阻抗曲线不至于完全重合。
而且重点是SIwave软件里面，建port口是以net名为依据，对于串联器件两端不同的net，siwave提取阻抗时候如何识别为一个整体？
3 |. s. S" w+ N$ j; q$ R, f从结果来看，更像是没有把串联器件两端的net识别为一个整体区提取阻抗，所以才导致前端的电容对结果没有影响

ximencuocuo0517

  w" W! B4 ^" v5 K" ^' m# i给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁珠两端网络建成1个group

yzzsjc088

mggimg 发表于 2023-12-6 17:22
& c5 g% x' K+ H  z; @+ }% o9 W你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

# i: y3 S; G+ w; W对于1MHz-100MHz区间的Z阻抗没有区别，对kHz低频级别的Z阻抗曲线有点不一样，还是有有点区别，谢谢！

yzzsjc088

ximencuocuo0517 发表于 2023-12-20 08:34
+ B/ b  i4 S" t% |0 b( q) N# n; r& F- J给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁 ...

; q0 {5 A0 s# }$ E( U  ^你好，这种模式相当于把磁珠两端net名当一个来考虑，不能给磁珠赋S参数模型。我之前不太明白的是我以用电IC芯片与磁珠相连的net建port，然后直接给磁珠赋S参数模型，SIwave计算Z阻抗，会不会直接把磁珠视作串联器?会不会磁珠前面的电容也考虑进去? 看楼上那位朋友回复的建议处理，好像直接给串联器件赋S参数模型，SIwave会把串联器件之前的电容考虑进去。
谢谢
% d1 G6 r6 U- h1 f5 w

xxxsq

直接赋S参数就行么，不需要设置XNET么
' O' R. R% T" n; k! Z: X8 ~