PDN仿真时，提取Z阻抗过程中，如何处理串联电感/磁珠的问题

yzzsjc088

& g- D/ b* `+ V+ _" y) C1 S
7 L6 b$ ]3 u* P' N请教各位大神，在进行PI仿真时，电源芯片输出电压端口到mcu端电压输入端口串联电感/电感的情况下，有如下疑问：

- t9 b+ j* m* I7 A( h1、针对VCC_1V2_MCU进行PDN阻抗仿真，是否应将VCC_1V2及其并联的电容，串联的电感L的影响考虑在内？
  h+ C. }7 \+ I% y6 a8 @3 j2、若考虑电感L的影响，使用siwave进行仿真，只能针对单个net进行PDN阻抗提取，目前提取的Z阻抗对应的net是VCC_1V2_MCU，那么电感该作如何处理，才能提取从VCC_1V2经电感到VCC_1V2_MCU整体Z阻抗。
) t! g. b2 ?1 t6 i7 I$ h: e3 c8 o+ x' j  E谢谢

EagleJi

蹲个楼，共同学习一下。

hhh虎次郎

这么大的电感，不需要考虑进去；

dydhsnn

一起学习一起学习一起学习

yzzsjc088

hhh虎次郎 发表于 2023-12-5 10:54
$ W! q5 y1 M; ]$ N8 n* W- Q1 r这么大的电感，不需要考虑进去；

你好，那如果换磁珠呢，又如何考虑，再比如串联零欧姆电阻。
' k) e- H" y  P0 N" z9 A2 T! Q重点是中间有串联的无源器件时，两边的net名称不一样，SIwave如何提取整体的Z阻抗，谢谢
/ |# J# Z+ e' ^. x6 D

bbbaiye

Good question~

mggimg

你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

yzzsjc088

mggimg 发表于 2023-12-6 11:31
7 g5 Q: v' u; _) \. e你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
另外我在siwave软件里面把这个串联器件设置deactive，得到的Z阻抗曲线也没变化。
因为port端口是以net名称来建立，而电源网络被串联器件隔断了，两边net名称不一样，感觉应该有地方需要设置一下两边的net，才能提取整体的阻抗。

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yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
另外我在siwave软 ...

, \0 W) u' l: P  m+ [4 Z1 j说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响
, H# c1 h. {3 V8 [/ l0 K, H5 L

mggimg

yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
. ]5 t! T$ N; g( H1 [无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
# L; g1 S; T/ q8 l; \9 r/ W. ^另外我在siwave软 ...

* \- T) E6 R2 \6 k1 H你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

yzzsjc088

mggimg 发表于 2023-12-6 17:15
说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响

不可能一点影响也没有吧，即使影响再小，Z阻抗曲线不至于完全重合。
而且重点是SIwave软件里面，建port口是以net名为依据，对于串联器件两端不同的net，siwave提取阻抗时候如何识别为一个整体？
4 F% S& |; z3 R& @# ^2 u从结果来看，更像是没有把串联器件两端的net识别为一个整体区提取阻抗，所以才导致前端的电容对结果没有影响

ximencuocuo0517

8 h7 ]6 T5 M$ S! L5 Z" w
给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁珠两端网络建成1个group

yzzsjc088

mggimg 发表于 2023-12-6 17:22
你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

对于1MHz-100MHz区间的Z阻抗没有区别，对kHz低频级别的Z阻抗曲线有点不一样，还是有有点区别，谢谢！

yzzsjc088

ximencuocuo0517 发表于 2023-12-20 08:34
* k/ W! u" k$ k  \+ _) D* V6 e: q1 V给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁 ...

你好，这种模式相当于把磁珠两端net名当一个来考虑，不能给磁珠赋S参数模型。我之前不太明白的是我以用电IC芯片与磁珠相连的net建port，然后直接给磁珠赋S参数模型，SIwave计算Z阻抗，会不会直接把磁珠视作串联器?会不会磁珠前面的电容也考虑进去? 看楼上那位朋友回复的建议处理，好像直接给串联器件赋S参数模型，SIwave会把串联器件之前的电容考虑进去。
- ]8 e( P0 W. J9 A- Y) X) u' S, n* w谢谢
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