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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑
. a8 y9 l4 s/ i& M/ u1 G. t2 {: G' O. i/ H& |# q
目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化
3 c( X6 y* y5 V0 s1 E8 p 2.2 行激活; f% P( V+ P$ U) m( N
2.3 列读写" o8 z( x% u! q# U7 W) L
2.4 数据输出（读）; v8 G% z8 Y% C/ T2 g
2.5 数据输入（写）
5 N- F5 X! P1 i3 s' O( p 2.6 突发长度$ B; M0 P' r1 ]6 l Y6 Z
2.7 预充电
0 z+ ?8 V5 N3 t% G 2.8 刷新
7 z$ i9 Z* h( L" ?& z 2.9 数据掩码) o( `# w' f0 I3 Z
3 硬件设计
' W) Q4 [8 t3 a, ^7 C4 参考资料9 g% n& q+ N0 E _* C- F5 p' \
- f7 w0 b' N& m8 A8 n
参考链接：7 T8 |( p* l* c* ?, c, F
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SDRAM 工作原理详解
6 M5 q' @( g; J9 ?" |2 @0 v; a& m% n5 `
& C: v6 d2 p( W SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。
5 T" v: Q; X( ]/ k- l& C1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示：
8 X& S4 M: J3 d
. y% F+ E. w3 ~6 `1 V# Y 图1 SDRAM寻址原理
5 V; G/ ?+ h) `' b& |" G 图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量 ' P* X- G% h% W
SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。
( O! P( i" ~# |/ ?+ s: N
. k$ L6 n3 P d# M3 Y- b
图2 SDRAM存储单元结构示意图 \; u! O) r, L4 T
; k6 }( a* T1 C1 M$ k3 |: q$ [% s
下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。 4 |5 U% K9 l# B! ]# J- |
( u7 o$ Q: V* e4 y& W& r* g2 m1 t3 d 图3 SDRAM功能框图 . T- ^. I' w# s4 c$ i' P
2 SDRAM工作原理$ N( ?- ]$ x4 f7 n3 l
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发表于 2020-7-12 21:17
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