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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑 / [# G) V2 L5 A+ t& i6 W1 i2 i
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目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化
8 i) ]) L( k7 t( M8 L 2.2 行激活
& r0 S! l$ ~& [* p& e 2.3 列读写* K Z' B, V8 B
2.4 数据输出（读）! O; ^2 T+ b, h
2.5 数据输入（写）
7 J% @ ^2 Q& n3 S+ Y% Q 2.6 突发长度) h+ B$ ?& X- M+ R- [- L
2.7 预充电
# v( Z8 _/ g9 `; t 2.8 刷新
, Z& w% o( B$ z9 v 2.9 数据掩码( W! ?6 }- E& @* c7 T# x
3 硬件设计" c. d9 m- M' ?) X9 D ], _
4 参考资料
' M }4 T, J0 v8 H) B1 N% P 5 m6 ?/ A( H N g0 Y1 ?; y
参考链接：
0 X! l1 a1 ?5 Z* O& A 7 U$ W8 k0 Z: c( N5 [( W: d- b
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SDRAM 工作原理详解
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1 O' V4 T* f: }" _ SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。 5 E, w# Q7 z9 [* m7 d: m: \
1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示： 1 i7 ~7 L8 }2 W/ t7 G; J
0 N7 ]1 o/ v: |3 u( I7 T% i 图1 SDRAM寻址原理
2 d2 G; E1 k8 Z" F7 { 图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量
c' K4 R# K$ p! k% N& D) i SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。 / q' n& _, e1 G6 Y
" {; H- C5 i( o% H 图2 SDRAM存储单元结构示意图 * g' q o3 ~5 p: ]) Y
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下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。 6 e2 j. Q' Z( A( e# s* U
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图3 SDRAM功能框图
5 `0 W; g* W2 j3 U9 m) i2 k' q6 H2 SDRAM工作原理
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发表于 2020-7-12 21:17
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