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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑
7 g& O! f# }+ X* @0 P5 S1 f( U( f; v) o! ~3 l
目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化
( \' M' \( d5 F2 J4 T; w1 a c/ ~) {$ q 2.2 行激活
# g1 e$ T2 d) U0 U) {, R% f- S: n$ V 2.3 列读写/ Y; c9 H+ H! L: v+ i
2.4 数据输出（读）5 Z1 A; x( M7 m# i' w
2.5 数据输入（写）1 Y+ P; l! |4 i5 F' j$ B7 {
2.6 突发长度6 ]2 Y: w- E4 h+ x5 ~
2.7 预充电
( B! S% |. p" _+ E 2.8 刷新
* E4 u- [4 p/ J. m( C8 P1 a" a 2.9 数据掩码& _* m# X* ?4 y5 g
3 硬件设计
# V' `* H& i+ K+ o1 e& k4 参考资料
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. E" K: k7 C: w) s; {7 |- D参考链接： r6 W M( w. Q* _- S' N$ R
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7 J6 X" f+ Z6 a: c0 \2 o; n; y
+ y& v8 k0 J& |5 k8 ]/ `2 Q1 }SDRAM 工作原理详解
! n6 }6 ~% \8 Z* b7 J( K) l1 d9 f' J2 i3 ^, y/ Y6 W' W$ R
SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。 4 w0 A9 w9 B2 v, B2 p& i b
1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示：
6 U4 J% [' g" u5 o: c
) {1 C8 |/ M! {2 I5 X' q: S2 _& w
图1 SDRAM寻址原理
, J2 P1 p2 \# s% w1 h! k 图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量
! s8 U) H/ e: h1 r }6 O4 z" ?7 ` SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。 / V$ L8 Y3 `2 D
; ?, X' p, X7 V* Q* `5 B C3 e 图2 SDRAM存储单元结构示意图
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: p6 x }' f& v8 M6 D 下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。
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图3 SDRAM功能框图 : l c6 O. ~' V7 A. ^$ u$ ?
2 SDRAM工作原理% Z( }. k1 ?3 e+ b% n. l
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发表于 2020-7-12 21:17
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