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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 20:59 编辑 ) z0 J7 N6 W; K0 ~6 |
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目录 1 SDRAM简介 2 SDRAM工作原理 2.1 芯片初始化 r# T/ d0 j& k& Z0 E/ n- b- U3 n4 V
2.2 行激活
) Y# I, A+ z9 `; Z 2.3 列读写
' a. G; \7 B: S& a5 ~# s 2.4 数据输出（读）4 J/ h. I; z& f$ Y
2.5 数据输入（写）8 d; u3 @1 s4 Q; n/ B4 b: f1 l8 X
2.6 突发长度# Z r! ~: E. [
2.7 预充电
! S/ B7 @0 E# ]6 G# r p2 p# P* b 2.8 刷新! E, x4 H/ O6 K. M+ n
2.9 数据掩码$ H4 X% @/ l! s. c5 Y* j
3 硬件设计
% `# _& w2 a1 F) g" e4 参考资料
0 g) m# D o% d, i 0 X# N1 z3 h7 S
参考链接：
2 u* t+ m; d! ^3 U9 o, w% a , V) {6 ~& q6 b: x4 k9 l4 h. m
( E2 d0 t5 S1 z3 `8 ~
% x0 \/ q9 r1 c* n( a; DSDRAM 工作原理详解4 o$ B2 T- Q3 }3 z
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SDRAM是一种可以指定任意地址进行读写的存储器，它具有存储容量大，读写速度快的特点，同时价格也相对低廉。因此，SDRAM常作为缓存，应用于数据存储量大，以及速度要求较高的场合，如复杂嵌入式设备的存储器等。 % R- o9 F% ?$ H. L/ @, [' l
1 SDRAM简介 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），同步动态随机存储器。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 SDRAM具有空间存储量大、读写速度快、价格相对便宜等优点。然而由于SDRAM内部利用电容来存储数据，为保证数据不丢失，需要持续对各存储电容进行刷新操作；同时在读写过程中需要考虑行列管理、各种操作延时等，由此导致了其控制逻辑复杂的特点。 SDRAM的内部是一个存储阵列，你可以把它想象成一张表格。我们在向这个表格中写入数据的时候，需要先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的“单元格”，这就是SDRAM寻址的基本原理。如图所示： / w8 N h+ ?6 [0 g
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图1 SDRAM寻址原理
# \$ B0 x: s. W 图中的“单元格”就是SDRAM存储芯片中的存储单元，而这个“表格”（存储阵列）我们称之为L-Bank。通常SDRAM的存储空间被划分为4个L-Bank，在寻址时需要先指定其中一个L-Bank，然后在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址（寻址就是指定存储单元地址的过程）。 对SDRAM的读写是针对存储单元进行的，对SDRAM来说一个存储单元的容量等于数据总线的位宽，单位是bit。那么SDRAM芯片的总存储容量我们就可以通过下面的公式计算出来： SDRAM总存储容量 = L-Bank的数量×行数×列数×存储单元的容量
: }' ~8 X" B/ ?. }, C# Y SDRAM存储数据是利用了电容的充放电特性以及能够保持电荷的能力。一个大小为1bit的存储单元的结构如下图所示，它主要由行列选通三极管，存储电容，刷新放大器组成。行地址与列地址选通使得存储电容与数据线导通，从而可进行放电（读取）与充电（写入）操作。 ) P! Z% i+ B1 N5 V o7 N
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图2 SDRAM存储单元结构示意图 * L/ E: c3 u+ a; \
$ |! @. g4 L2 N+ g- Z: C: |! v2 R, C 下图为SDRAM的功能框图，SDRAM内部有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。SDRAM接收外部输入的控制命令，并在逻辑控制单元的控制下进行寻址、读写、刷新、预充电等操作。
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图3 SDRAM功能框图
9 y) Y) {2 C S$ R4 M# b2 x3 p2 SDRAM工作原理
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发表于 2020-7-12 21:17
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