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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑 - G3 ~5 C `6 d' i. T
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目录1 J' p$ C# S( F* d( J/ u$ |, s
1 DDRx的差异
1 F3 R( }. j# o; g' y6 _6 D2 电源& _1 S( @. [/ S
2.2 参考电源 Vref; Z$ Q- s# w1 A4 _4 J3 \
2.3 用于匹配的电压 Vtt1 A3 ], S/ i- W2 A. b
2.4 DDRx电源设计小结
* c1 x4 J* e0 i/ @3 时钟
% D; f$ J9 N9 J0 P, H% w4 数据 DQ和 DQS 5 b# d/ J' A0 W- _6 `
5 地址和控制
6 v4 i1 M6 ^6 l7 x! U6 PCB 布局注意事项 3 N2 |& h4 Q1 q* O0 }% y
7 EMI 问题. N, t% x) W* b3 Y+ c E6 f
8 测试方法
% I, S! B$ {! h
& R! L# ~6 I8 m: @& K. g( E参考链接：0 P. [7 \* B( i9 |& r
, y' L) g% n, H6 ?# s0 ~" K
) s/ K" x9 N. _2 K/ F
; }5 N Y; K0 c- K: Y3 | 内存设计，作为硬件系统中核心的部分，越来越受到重视。规范的硬件设计，能在系统方案设计之初，就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。3 R! Y' u* v, B
, \% Q; ]2 b. ]) z6 ^9 c/ @2 k
1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表
/ z ]- {$ `1 D
' b% A7 K# g- ?: W2 T- DDRx 工作电压越来越低，功耗和发热量越来越小，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT，ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率，测试的时候关注时钟频率。 如下图所示：
q6 E/ d* H/ R0 ^ T. S7 v6 ~, X' `+ V
图1 DDRx 频率特征 1 s" Q9 _' v$ n
- 点对点连接，这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。
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