EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑
' w9 b1 I( L! o" z) p9 |/ I$ z) ^' J% q8 r% {0 f6 ~
目录
# b9 V3 I% y8 W! s1 DDRx的差异) ^( r. I) D4 n8 o
2 电源0 a) @2 Z) V2 o! e5 A
2.2 参考电源 Vref
; a& v- A, p# t7 B8 i$ b2.3 用于匹配的电压 Vtt& E" n' q# V) M5 y6 z
2.4 DDRx电源设计小结: w4 p* u1 D# `' n" Z, G
3 时钟
( D9 \ R; v, s' `( {) {. i( U4 数据 DQ和 DQS - [& n% E4 f: `' X. V$ s- `
5 地址和控制 9 w% L B# j/ M$ O. P* A. B! E0 x
6 PCB 布局注意事项 6 X6 X2 k/ T" \9 i& y% B$ S% }/ Z
7 EMI 问题* [, ?' n0 o: r" c- ]# ^4 j: L
8 测试方法
* x, u0 Y: m' U! x, ?) B! f1 O) z" C7 W
参考链接:
- x# T9 t* c E/ v; z# T
) V9 o, J* m1 g( P$ T
1 e4 I7 b: o+ m; o6 I
$ M5 I( U2 j6 Z+ N$ w( @
' _( e1 O+ V8 v. Q/ W: n ?6 A 内存设计,作为硬件系统中核心的部分,越来越受到重视。规范的硬件设计,能在系统方案设计之初,就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。$ a/ s3 g! T6 ~& r7 t8 A
3 J3 Z& c& V/ C5 c# _4 v$ \. R
1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表
& f; O: P3 P* J4 \8 Z
% ^( k: C) d) k$ g* J# A- DDRx 工作电压越来越低,功耗和发热量越来越小,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术(Prefetch),由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT,ODT是内建核心的终结电阻,它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完,防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚,在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻,新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标,它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率,测试的时候关注时钟频率。 如下图所示:
: m0 d5 s+ Q- q4 ]0 O" u; C# H, R. g6 e8 S! X& _
图1 DDRx 频率特征
2 |! q2 p* v, Q& I5 w- 点对点连接,这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。' p# I5 N0 ?) e+ a
( ~2 [" O c8 V8 V% E
- h, [0 f' g' V9 p% w( l( N! c9 y. l" J
1 R6 F3 o& O( K5 p% o* W
+ b8 s6 U0 V+ M! E |