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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑
( Q, i+ y8 h+ Z6 C& B
( L4 r4 {0 k, Q5 J) D目录! T, i2 B2 a6 h& U' `
1 DDRx的差异. R8 B+ {- a, v* A* R9 s
2 电源
9 I) }1 G# ]- ^8 n, b$ A0 [2.2 参考电源 Vref
8 w) i2 Q5 V# G% j! b% J; g3 ?2.3 用于匹配的电压 Vtt
$ j {; P& H% H" Y# D+ d2.4 DDRx电源设计小结
* Z; N. d* K+ w+ [- H1 e+ Q3 时钟
4 X4 E) `7 W7 N7 j+ @! K4 数据 DQ和 DQS
2 J+ u3 @7 z- z5 地址和控制
+ ?( k2 X* m& F# U1 N* V' J2 W6 PCB 布局注意事项 3 x* l* H/ G- C3 P0 s
7 EMI 问题5 f! Q' A8 K* Y1 L3 \
8 测试方法 H. i4 x. t% } g& D: p; S
4 R5 Q2 z" M9 i2 d" L) s. t* A参考链接：. r9 P4 N) Z, F' Y$ G
& b& W. \; s4 ~, k4 \6 N# |0 k6 K% h) K0 V' V& `* J' l- m
; Z$ f, b3 I: X) q0 R+ n
6 E( Z7 c1 q) s* `0 Q 内存设计，作为硬件系统中核心的部分，越来越受到重视。规范的硬件设计，能在系统方案设计之初，就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。% _, O# R# l. L6 y S) {) t
3 x! N8 l: v4 D, A2 L3 f
1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表
' P* R( _2 y7 d/ U# q
$ B: k$ x4 W7 g- s- DDRx 工作电压越来越低，功耗和发热量越来越小，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT，ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率，测试的时候关注时钟频率。 如下图所示：
+ k* X, k" e: C% j7 Z$ @9 [
5 a0 u6 D* P' V& ?! s- z) [
图1 DDRx 频率特征 & y" h' ~3 v z
- 点对点连接，这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。 u4 E+ d/ a8 @/ R
, u: x( S- U) k+ L; B( ]' p0 @+ w" l5 _& ^2 c4 ]8 n9 q
6 o8 r2 K3 r3 T9 w0 [2 ^8 M0 D/ D
* V" e1 F- q7 O' o u" M a( k; [! \. d3 Y. c6 c
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