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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑
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$ I3 Q; ?; P$ ^目录
+ f2 C" ?2 i3 p* i" I1 DDRx的差异" F6 h2 i1 W" u# e* n/ J9 H$ P
2 电源
& `. m8 u# O' P4 u) t$ M2.2 参考电源 Vref
3 n C9 i! A9 p1 w2.3 用于匹配的电压 Vtt7 V6 s6 y1 ~7 N1 I' t' P `9 \
2.4 DDRx电源设计小结) H! O" m) ]. t6 S s5 i
3 时钟" Y" h# g1 o! o# q
4 数据 DQ和 DQS " T. t3 @, y& s& J5 }" }
5 地址和控制 1 i& c1 o3 C: R, r5 n" X* r9 h) u
6 PCB 布局注意事项 1 } b8 F* K# L6 `, O+ E$ C0 N
7 EMI 问题% ] | E5 [. c& V4 b' Y! ?; K- w
8 测试方法! t1 D( F) v. c; _8 {8 s8 ?
! n3 i0 w1 h& m% B* a0 N6 C9 E
参考链接：
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2 n, b1 }. d$ n
8 S; Z# T Y" v2 `" H
( U3 Z% w" d9 J+ E' j- l# C
0 q" b! C. m2 |0 X 内存设计，作为硬件系统中核心的部分，越来越受到重视。规范的硬件设计，能在系统方案设计之初，就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。* j) d% N6 ]( q& y
* L: g& P! X- A' ?7 z# h% p) S0 y& h
1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表
( O, a6 B! m, |/ X . W; [( X3 p; [2 b( b( a4 ^7 R
- DDRx 工作电压越来越低，功耗和发热量越来越小，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT，ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率，测试的时候关注时钟频率。 如下图所示：
" O* w }$ g( T. b) W, p, H% X( k8 I8 B' N/ n1 ^
图1 DDRx 频率特征
8 `+ _3 _! \. U- 点对点连接，这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。/ e* R$ U; h$ J0 I0 k& t/ ?
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