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楼主: li_suny
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《Mentor SiP系统级封装设计与仿真》出版与技术答疑!

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151#
发表于 2012-12-12 13:23 | 只看该作者
李老师:不知能不能简单说一下制作bondpad的规范(大小等);bondpad间距设置等;bondpad距离DIE pin的间距最好控制在什么范围(最远、最近),bongpad距离管壳边缘最好控制在多大距离(涉及DIE封胶),谢谢

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152#
 楼主| 发表于 2012-12-12 14:27 | 只看该作者
sexfei 发表于 2012-12-12 13:23
2 i8 @/ R7 ~5 ^6 R% W0 V4 h李老师:不知能不能简单说一下制作bondpad的规范(大小等);bondpad间距设置等;bondpad距离DIE pin的间距 ...
' k2 E  [. F8 Q
这个通常和生产厂家的工艺能力有关系。' N9 Q8 g2 @4 @, m1 X
4 D& M1 h# M5 p% c
例如bondpad 大小有150*75um,200*90um,300*100um或者更大,塑封Bondpad一般用椭圆形的,而陶瓷封装多采用矩形的或者不规则形状的Bondpad。间距通常和Bondpad的宽度差不多。
( y& V1 P6 R9 E; E7 n( _) C* @5 {5 }. R% Z
bondpad距离DIE pin的间距最远受键合线结构限制,一般不超过3.5mm,最近和芯片高度及键合机的能力有关,这在设置时和生产方要充分沟通。
7 u/ P& X9 U: r+ t( h! n$ T和管壳的距离也是如此。主要看在那里生产,相应的规则设置也会不同。

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153#
发表于 2012-12-14 14:25 | 只看该作者
本帖最后由 xiesonny 于 2012-12-14 14:30 编辑
9 k9 a! o& x- n3 l8 v
- J# X. b$ t- V% n. q- N问一下李老师,EXP中如何方便的剪铜,如果我想先画好想剪的轮廓,可能是复制的图形和线组成的轮廓,并且可以复制的轮廓,到我想剪铜时再剪铜,如何实现,
5 l0 I; |! p! s我试过“-”那种方式,不方便使用,另外,实用工具中也有一个剪铜功能,但那个方式,是一剪就出来效果了,

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154#
 楼主| 发表于 2012-12-14 17:40 | 只看该作者
xiesonny 发表于 2012-12-14 14:25 ! g0 d4 R" r, n6 `
问一下李老师,EXP中如何方便的剪铜,如果我想先画好想剪的轮廓,可能是复制的图形和线组成的轮廓,并且可以 ...
0 E* a5 R+ M! T2 b8 L
你可以先绘制一个Draw Object类型的图形,只要这个图形是封闭的,无论形状多么复杂,都可以转换成铜。这个图形也可以复制(按住Contrl拖动就可以)。然后选中图形,在属性中直接更改为 plane shape 或者 Conductive Shape即可。

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155#
 楼主| 发表于 2012-12-15 14:49 | 只看该作者
本帖最后由 li_suny 于 2012-12-15 14:53 编辑
7 o7 X  {6 {8 v+ j& v4 p/ ^3 J
xiesonny 发表于 2012-12-14 14:25 2 K) A/ _2 b* Y2 h, F
问一下李老师,EXP中如何方便的剪铜,如果我想先画好想剪的轮廓,可能是复制的图形和线组成的轮廓,并且可以 ...
7 l6 O( h! ~2 e! v% C$ b
& a0 M8 Q7 U; s: V, ?# U
看了你的操作过程,觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切,造成了无效的类型,不能被识别,如果换成Draw Object问题就不会有了。当然Draw Object需要绘制成封闭图形(polygon)。
! h$ J% q  H) U; c5 V0 O' Q! X& g
6 y3 P2 ?- \9 ^& b4 X3 A1 N% ^  V参看下面两图。
& f5 e# {- q/ E8 z

copper_cut_before.png (47.26 KB, 下载次数: 9)

copper_cut_before.png

copper_cut_after.png (16.43 KB, 下载次数: 12)

copper_cut_after.png

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156#
发表于 2012-12-15 15:13 | 只看该作者
li_suny 发表于 2012-12-15 14:49
, f& r2 L. o4 v6 \看了你的操作过程,觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切,造成了无效的类型,不能被识别,如果换 ...
. d5 {* i! t7 [9 @
谢谢,我再试试

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157#
发表于 2012-12-15 15:40 | 只看该作者
本帖最后由 xiesonny 于 2012-12-15 16:39 编辑 5 _/ ^2 P) d5 ~  H# C/ ?" j1 Y' p% W
li_suny 发表于 2012-12-15 14:49 % S% q( `  e9 S( m4 b% l$ q
看了你的操作过程,觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切,造成了无效的类型,不能被识别,如果换 ...
3 e4 i+ `  z) z+ e2 p# x+ ]
0 N6 t# @; n& Y9 u3 y
2高亮部分如何挖空1& B. Q; Z( Y8 p+ P
- i( i* ?; k7 ^6 H5 [
' G" e  ~6 T# t; T7 @$ f) e
5 {8 `3 {' W+ D
问题就出在封闭图形上。上图中,高亮部分如果切开一个小口,就能挖空了,问题是,这样的图形就无法挖了吗、

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158#
 楼主| 发表于 2012-12-15 22:26 | 只看该作者
xiesonny 发表于 2012-12-15 15:40
. \; [* t( t# i& X" N4 M3 J2高亮部分如何挖空1
' b; z5 J% \1 D. N! k
这种图形我试了一下,确实无法用加减法处理,我想主要原因是这是非多边形,所以无法挖空。2 I, f. }% q" z" ?2 K& x4 {
& H4 K4 V( j0 D% P
可以用先挖外边,再添内部的方法,稍微麻烦了一点,也是一种变通方法。
: l2 q/ F4 Z* m% I1 v

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159#
发表于 2012-12-15 23:25 | 只看该作者
li_suny 发表于 2012-12-15 22:26 * X- H# ?4 D8 _: n
这种图形我试了一下,确实无法用加减法处理,我想主要原因是这是非多边形,所以无法挖空。! v7 S+ L; D' H. M- W) v+ J5 u

" x+ m% A% m4 Y8 w可以用先挖 ...

) c+ h) c. }% R/ [& q9 s呵呵,谢谢李老师的回复,如你所说,要挖出这样的效果是可以的,只是操作麻烦了

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160#
 楼主| 发表于 2012-12-17 13:14 | 只看该作者
yth0 发表于 2012-12-10 13:35
$ [" Q0 L+ f7 H( v- Q; _! |7 G嗯,谢谢李工。还有个问题想请教一下李工,我在电子工程网上提问过,但是还是没有好的办法:http://www.e ...

! a- h! T$ c9 U我试了一下,这个矛盾可以参照以下方法解决:
4 m4 Z& B' |+ V4 G1 g. ~# h3 i% `6 S4 e$ |. t8 V6 c7 k, o9 t, `
还是依照你现在的建库方法,做成一个Part Number,然后再在Dxdatabook中添加器件的其它参数区分不同的阻值等。' f$ }7 Q. f2 \$ J# \2 t# j
3 s8 M- U" j2 _: x* m
在用Variant Manager的Replace功能时,除了Part Number外,把用于区分的其它参数也加上,就可以在Replace时有参照了。9 `3 D0 U- S1 ], b! ]( Z# l
参看下面两图:
. j! c' {9 J6 M% B% p$ {7 X

Variant_seting.png (43.5 KB, 下载次数: 13)

Variant_seting.png

Variant_replace.png (58.25 KB, 下载次数: 17)

Variant_replace.png

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161#
发表于 2012-12-17 20:17 | 只看该作者
请教一下李老师,我Allegro导入Expedition一直不成功,用的是Mentor的工具和方法,Allegro 是 16.5的版本,Expedition 是 7.9.3的版本,不知跟版本有没有关系?, W+ f8 h! `) ?7 t& E& }
在Allegro里报了很多有关layer的错误,明明有的layer,报告说没有,让查看stack_up;然后用Mentor的Allegro2Expedition工具,报错退出。看userguide也没找到解决办法。

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162#
 楼主| 发表于 2012-12-17 20:54 | 只看该作者
dzgking 发表于 2012-12-17 20:17 # f$ v, {* i! M
请教一下李老师,我Allegro导入Expedition一直不成功,用的是Mentor的工具和方法,Allegro 是 16.5的版本, ...
/ L. p3 N" X9 m& \* Q
应该是Allegro 的版本太高的原因,你另存一个15.5版本的试试。
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-26 15:17
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    [LV.2]偶尔看看I

    163#
    发表于 2012-12-19 09:39 | 只看该作者
    单纯的顶帖,为的只是不让这个帖子沉下去了。

    该用户从未签到

    164#
    发表于 2012-12-19 14:41 | 只看该作者
    li_suny 发表于 2012-12-17 13:14
    - h& B  S0 X' W, Y我试了一下,这个矛盾可以参照以下方法解决:
    0 }. L5 q6 I: ?0 u( q7 b8 h- M2 c0 Q. u) w. ~0 A
    还是依照你现在的建库方法,做成一个Part Number,然后再 ...
    2 P+ a- r$ G: M6 Z8 P' H2 s" I
    + [0 L+ V" W; ]% u8 A, v( ^* }
    呵呵,谢谢李工。不好意思啊,我上面忘了说清楚 Variant出的什么问题了。你说的那个方法我试过,但执行Greate Variant/Function Schenatics后,在生成Variant原理图中,器件并没有替换成你想要的值,而是被替换成part number是相同的随机一个器件,比如你图示的例子,他可能被替换成1N4001、1N4003、1N5817等,当然也有可能被替换成1N4007。你多试几个看看是不是能保证每次都能正确的替换成想要的。
    ) t- z# v; N2 T( D个人感觉还是因为很多不同的器件用了相同的part number,而替换后他只能存储part number,看下图,替换后还是显示的part number (RES2012),根本看不出来器件的值是多少,所以在Greate Variant/Function Schenatics后,随机(或者是选择第一个?)用了一个part number 是RES2012的电阻。
    ) Y8 q& k" O: k
    2 [) f5 r' f0 g* z* v- u另外吐槽一下,现在EE里面的属性搞的很乱,什么part number 、partnumber(我得Variant Manager的Settings里默认的属性就是这个)、DEVICE(这个大概是从老的viewdraw延续过来的吧) ,都结合这么长时间了,就不能好好整理一下吗?
    % b" I  K+ g- w
    0 \/ q+ Q* M. R% l# O8 }

    无标题.jpg (40.77 KB, 下载次数: 6)

    无标题.jpg

    该用户从未签到

    165#
    发表于 2012-12-19 21:26 | 只看该作者
    顶楼上,刚学MENTOR搞的我头晕!
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