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楼主: li_suny
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《Mentor SiP系统级封装设计与仿真》出版与技术答疑!

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151#
发表于 2012-12-12 13:23 | 只看该作者
李老师:不知能不能简单说一下制作bondpad的规范(大小等);bondpad间距设置等;bondpad距离DIE pin的间距最好控制在什么范围(最远、最近),bongpad距离管壳边缘最好控制在多大距离(涉及DIE封胶),谢谢

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152#
 楼主| 发表于 2012-12-12 14:27 | 只看该作者
sexfei 发表于 2012-12-12 13:23 $ x1 ]' V* M1 g1 E
李老师:不知能不能简单说一下制作bondpad的规范(大小等);bondpad间距设置等;bondpad距离DIE pin的间距 ...

' R/ k5 k) V! h这个通常和生产厂家的工艺能力有关系。* v+ e/ M* f- e8 w' k2 v
1 @7 ^0 T6 A( n! @' J$ i0 Q& A
例如bondpad 大小有150*75um,200*90um,300*100um或者更大,塑封Bondpad一般用椭圆形的,而陶瓷封装多采用矩形的或者不规则形状的Bondpad。间距通常和Bondpad的宽度差不多。
0 q9 m8 g2 z3 q1 k) |8 n
! d; F6 `5 G# X; N* m5 ~0 ^bondpad距离DIE pin的间距最远受键合线结构限制,一般不超过3.5mm,最近和芯片高度及键合机的能力有关,这在设置时和生产方要充分沟通。
! r7 W9 N1 Q2 ~6 j% `; e和管壳的距离也是如此。主要看在那里生产,相应的规则设置也会不同。

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153#
发表于 2012-12-14 14:25 | 只看该作者
本帖最后由 xiesonny 于 2012-12-14 14:30 编辑 ) E9 x$ n+ t8 D1 j5 r9 [( S3 i. w

3 _/ ]- T0 v% X# w问一下李老师,EXP中如何方便的剪铜,如果我想先画好想剪的轮廓,可能是复制的图形和线组成的轮廓,并且可以复制的轮廓,到我想剪铜时再剪铜,如何实现,' |3 `6 U7 A+ Z
我试过“-”那种方式,不方便使用,另外,实用工具中也有一个剪铜功能,但那个方式,是一剪就出来效果了,

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154#
 楼主| 发表于 2012-12-14 17:40 | 只看该作者
xiesonny 发表于 2012-12-14 14:25 ) X9 g4 F9 g5 e9 o
问一下李老师,EXP中如何方便的剪铜,如果我想先画好想剪的轮廓,可能是复制的图形和线组成的轮廓,并且可以 ...

; T! y$ S' t! n; L0 W你可以先绘制一个Draw Object类型的图形,只要这个图形是封闭的,无论形状多么复杂,都可以转换成铜。这个图形也可以复制(按住Contrl拖动就可以)。然后选中图形,在属性中直接更改为 plane shape 或者 Conductive Shape即可。

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155#
 楼主| 发表于 2012-12-15 14:49 | 只看该作者
本帖最后由 li_suny 于 2012-12-15 14:53 编辑
3 G- p5 X; d0 T
xiesonny 发表于 2012-12-14 14:25
* Z6 k  |& A- F* M- t# k/ J问一下李老师,EXP中如何方便的剪铜,如果我想先画好想剪的轮廓,可能是复制的图形和线组成的轮廓,并且可以 ...

( T0 j: l1 w: ~/ K3 S5 n* m/ u/ `8 u, P7 t+ v4 J. H- B9 Y
看了你的操作过程,觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切,造成了无效的类型,不能被识别,如果换成Draw Object问题就不会有了。当然Draw Object需要绘制成封闭图形(polygon)。& A, Y3 ^% M: ^
5 r. P0 w# t: T
参看下面两图。$ \9 P) q) D, Y

copper_cut_before.png (47.26 KB, 下载次数: 10)

copper_cut_before.png

copper_cut_after.png (16.43 KB, 下载次数: 13)

copper_cut_after.png

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156#
发表于 2012-12-15 15:13 | 只看该作者
li_suny 发表于 2012-12-15 14:49
/ N5 x3 j5 {+ K" d$ ?- L看了你的操作过程,觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切,造成了无效的类型,不能被识别,如果换 ...

( v5 {  i3 z. h( C! ~2 w谢谢,我再试试

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157#
发表于 2012-12-15 15:40 | 只看该作者
本帖最后由 xiesonny 于 2012-12-15 16:39 编辑
: s# ]! Y  {3 F, W
li_suny 发表于 2012-12-15 14:49 ! B& A. r% f( y# H8 y
看了你的操作过程,觉得问题在于你用的是Conductive Shape去切,造成了无效的类型,不能被识别,如果换 ...
5 J5 A( a, f2 r+ J+ Z  d
& u& u2 q4 s) a) l
2高亮部分如何挖空1
/ B! `6 z# V$ q0 w5 C, {+ d
5 ~) i6 @: J6 K 9 \; q& G$ t& `% q3 u! M& s3 c/ p
9 B5 r! R* \; L7 _% r7 K, |
问题就出在封闭图形上。上图中,高亮部分如果切开一个小口,就能挖空了,问题是,这样的图形就无法挖了吗、

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158#
 楼主| 发表于 2012-12-15 22:26 | 只看该作者
xiesonny 发表于 2012-12-15 15:40 # ~& I* l+ _: s- H
2高亮部分如何挖空1

: W" `+ g5 O+ X. ~这种图形我试了一下,确实无法用加减法处理,我想主要原因是这是非多边形,所以无法挖空。# T, y" U0 q' P3 Q9 M

8 }7 y2 c, p& g+ K( ?; t0 }( w1 ?8 r可以用先挖外边,再添内部的方法,稍微麻烦了一点,也是一种变通方法。
, N4 F3 m9 a6 P0 p/ E  K* q' F  V

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159#
发表于 2012-12-15 23:25 | 只看该作者
li_suny 发表于 2012-12-15 22:26   n% t6 W, V5 s3 V% h8 J
这种图形我试了一下,确实无法用加减法处理,我想主要原因是这是非多边形,所以无法挖空。1 ~* U& A' r5 b; T2 h: q3 j% `
, Q; ~. ?- x, F+ ?
可以用先挖 ...
. q- M( W, E1 @7 @. D
呵呵,谢谢李老师的回复,如你所说,要挖出这样的效果是可以的,只是操作麻烦了

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160#
 楼主| 发表于 2012-12-17 13:14 | 只看该作者
yth0 发表于 2012-12-10 13:35 0 f& H" ^! W  F2 }0 P
嗯,谢谢李工。还有个问题想请教一下李工,我在电子工程网上提问过,但是还是没有好的办法:http://www.e ...

' v: i4 C1 Z- w, `. a# ?我试了一下,这个矛盾可以参照以下方法解决:* v4 e; J& Q- H0 M3 ^
9 e% C* I. V! l& J. t/ F6 L
还是依照你现在的建库方法,做成一个Part Number,然后再在Dxdatabook中添加器件的其它参数区分不同的阻值等。/ \+ w* z, y7 H8 {3 e
9 x6 G2 K. Z( C. F' b4 S
在用Variant Manager的Replace功能时,除了Part Number外,把用于区分的其它参数也加上,就可以在Replace时有参照了。& D7 L. A4 h7 `+ m; s+ ?) G8 v
参看下面两图:) N" C3 L! U% p& [

Variant_seting.png (43.5 KB, 下载次数: 13)

Variant_seting.png

Variant_replace.png (58.25 KB, 下载次数: 18)

Variant_replace.png

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161#
发表于 2012-12-17 20:17 | 只看该作者
请教一下李老师,我Allegro导入Expedition一直不成功,用的是Mentor的工具和方法,Allegro 是 16.5的版本,Expedition 是 7.9.3的版本,不知跟版本有没有关系?
  D" Z5 s# G/ ~5 h/ u5 i4 B6 F; A/ x在Allegro里报了很多有关layer的错误,明明有的layer,报告说没有,让查看stack_up;然后用Mentor的Allegro2Expedition工具,报错退出。看userguide也没找到解决办法。

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162#
 楼主| 发表于 2012-12-17 20:54 | 只看该作者
dzgking 发表于 2012-12-17 20:17 # W- H, N0 ?% s2 G
请教一下李老师,我Allegro导入Expedition一直不成功,用的是Mentor的工具和方法,Allegro 是 16.5的版本, ...

. E. H' V& S% J$ Q( m应该是Allegro 的版本太高的原因,你另存一个15.5版本的试试。
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    [LV.2]偶尔看看I

    163#
    发表于 2012-12-19 09:39 | 只看该作者
    单纯的顶帖,为的只是不让这个帖子沉下去了。

    该用户从未签到

    164#
    发表于 2012-12-19 14:41 | 只看该作者
    li_suny 发表于 2012-12-17 13:14
    6 t0 L) R/ ?5 c3 s我试了一下,这个矛盾可以参照以下方法解决:
    ! L! f6 [7 i6 a9 d7 e6 u$ j, h  m' o
    还是依照你现在的建库方法,做成一个Part Number,然后再 ...
    % b  W, O9 ]5 m5 _- B& w: S

    * d( p# F; p& O9 `呵呵,谢谢李工。不好意思啊,我上面忘了说清楚 Variant出的什么问题了。你说的那个方法我试过,但执行Greate Variant/Function Schenatics后,在生成Variant原理图中,器件并没有替换成你想要的值,而是被替换成part number是相同的随机一个器件,比如你图示的例子,他可能被替换成1N4001、1N4003、1N5817等,当然也有可能被替换成1N4007。你多试几个看看是不是能保证每次都能正确的替换成想要的。
    , f6 ?4 e$ x( G, N个人感觉还是因为很多不同的器件用了相同的part number,而替换后他只能存储part number,看下图,替换后还是显示的part number (RES2012),根本看不出来器件的值是多少,所以在Greate Variant/Function Schenatics后,随机(或者是选择第一个?)用了一个part number 是RES2012的电阻。
    7 k$ v0 Z- Z/ e! v% F6 D  E6 c3 f- {& r
    另外吐槽一下,现在EE里面的属性搞的很乱,什么part number 、partnumber(我得Variant Manager的Settings里默认的属性就是这个)、DEVICE(这个大概是从老的viewdraw延续过来的吧) ,都结合这么长时间了,就不能好好整理一下吗?
    . s6 P" {' E+ u( A, w' V3 p$ p* }- @" V, h8 w

    无标题.jpg (40.77 KB, 下载次数: 8)

    无标题.jpg

    该用户从未签到

    165#
    发表于 2012-12-19 21:26 | 只看该作者
    顶楼上,刚学MENTOR搞的我头晕!
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